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RF射频电路设计问题分析
通常情况下,对于微波以下频段的电路(包括低频和低频数字电路),在全面掌握各类设计原则前提下的仔细规划是一次性成功设计的保证。对于微波以上频段和高频的PC类数字电路。则需要2~3个版本的PCB方能保证电路品质。而对于微波以上频段的RF电路.则往往需要更多版本的:PCB设计并不断完善,而且是在具...
2010-12-01
RF射频 干扰 辐射干扰
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飞思卡尔半导体推出RF LDMOS组合适用于航空航天工业与商业
飞思卡尔半导体公司以合理的性价比点,面向OEM(原始设备制造商)推出三款先进的工业RF功率晶体管。 增强的耐用性与领先的RF性能结合,使OEM厂商能够大幅缩减在工业和商用航空航天领域的系统级设计成本。
2010-11-24
RF LDMOS 飞思卡尔半导体 航空航天工业
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雷达发射机的调制器电路设计
调制器是雷达发射机中的一个比较重要的组成部分,其主要作用是给雷达发射机的行波管提供正负偏电压、灯丝电压以及调制脉冲。本文将对雷达发射机的调制器电路设计进行分析,目的是使雷达维修人员能够更快速准确地找到并排除雷达调制器的常见故障...
2010-11-23
雷达发射机 调制器 脉冲
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MRFE6VP6300H:飞思卡尔推出R FLDMOS功率管用于推拉式或单端配置
飞思卡尔半导体推出一款R FLDMOS功率管,工作频率为1.8至600MHz,最适于在CO2激光器、等离子体发生器和磁共振成像(MRI)扫描仪等应用中所遇到的具有潜在破坏性的阻抗失配条件下使用。新MRFE6VP6300HFET是世界首款50V LDMOS晶体管,在电压驻波比(VSWR)为65:1的负载中提供300W CW的全额定输出功率。
2010-11-16
MRFE6VP6300H 飞思卡尔 功率管
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RFID芯片的攻击技术分析
本文以采用磁耦合和CMOS工艺的RFID产品为例,简要介绍了此类芯片的构成,在列举各种破坏性/非破坏性攻击手段的基础上,从软/硬件角度分析现有的各种安全措施如何在设计阶段应对这些攻击,或使攻击变得难以实施,以及如何避免不良的设计...
2010-11-15
RFID 智能卡 IC卡 RFAFE
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MEMS传感器市场前景广阔
传感器是能感受规定的被测量,并能按照一定的规律转换成可用输出信号的器件或装置。传感器作为现代科技的前沿技术,被认为是现代信息技术的三大支柱之一。有市场报告显示,预计2010年全球传感器市场可达600亿美元以上。我国传感器市场的增长 率超过15%,预计2009年为430亿元。
2010-11-03
MEMS传感器 汽车电子 消费电子
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电子标签产业将迎来跳跃式增长契机
日前,国务院办公厅发布《关于进一步加强乳品质量安全工作的通知》:2011年底前,完成婴幼儿配方乳粉和原料乳粉电子信息追溯系统建设和相关标准、法规的制定,并逐步在乳品行业推行电子信息追溯系统。
2010-10-09
电子标签 RFID 电子信息追溯系统
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Freescale推出3款功率晶体管满足Doherty放大器体系结构的特殊要求
飞思卡尔半导体推出3款新型RF LDMOS功率晶体管,提供在无线基站收发器里使用Doherty多载波功率放大器(MCPA)要求的超高输出电平。
2010-10-08
Freescale RF LDMOS 晶体管 Doherty
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通信网中的时间同步问题分析
目前通信网中的各种设备之间的时间误差非常大。通信网的计费,运营管理,事件记录和故障判别需要统一的时间标准。现代通信网设备日益采用计算机平台,日益IP化。采用软交换技术,时间同步采用TCP/IP时间协议NTP协议成为趋势。本文为你讲述通信网中的时间同步问题分析
2010-10-06
通信网 时间同步 授时技术
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