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设计高压SIC的电池断开开关
DC总线电压为400 V或更大的电气系统，由单相或三相电网功率或储能系统（ESS）提供动力，可以通过固态电路保护提高其可靠性和弹性。在设计高压固态电池断开连接开关时，需要考虑一些基本的设计决策。关键因素包括半导体技术，设备类型，热包装，设备坚固性以及在电路中断期间管理电感能量。本文讨论了选择功率半导体技术的设计注意事项，并为高压，高电流电池断开开关定义了半导体包装，以及表征系统寄生电感和过度流动保护限制的重要性。
2025-02-16
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低压电源MOSFET设计
低抗性（RDS（ON））以减少传导过程中的功率损失，从而提高能源效率。当设备打开时，低压MOSFET的排水源电阻特别低，从而地减少了功率损耗。这对于效率至关重要，因为低RD（ON）意味着在传导过程中降低电阻损失高开关速度，用于快速切换操作；在DC-DC转换器和高频切换电路等应用中至关重要。
2025-02-14
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迎刃而解——华大九天Polas利器应对功率设计挑战
电源管理集成电路（PMIC）设计涉及电源转换、电压调节、电流管理等核心领域。随着技术节点的演进，功率器件面临着更大的电压差、更高的电流密度以及更为严苛的功率/热耗散要求；金属互联层的电阻在整体导通电阻中的占比越来越大；异形大金属图层以及功率器件拆分方式对参数提取的准确性造成了影响；封装对芯片内电气特性的影响亦愈发显著。这些因素共同对功率设计在电迁移（EM）、热性能（Thermal）和导通电阻（RDSon）等可靠性方面带来了新的挑战。此外，如何高效地驱动具有较大有效栅极宽度的PowerMOS，以及如何防止上下管开关切换过程中的穿通漏电现象，也成为功率设计领域的核心难题。
2025-02-13
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无需专用隔离反馈回路的简洁反激式控制器设计
传统的隔离型反激式转换器的架构中，转换器的功率等级通常可达60W左右，通过调整变压器的匝数比，借助原边开关和可以将电源电压转换为输出电压。有关输出电压的信息会通过反馈路径传输到原边的PWM发生器，以使该输出电压尽可能保持稳定。如果输出电压太高或太低，则将调整PWM发生器的占空比。
2025-02-12
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使用MSO 5/6内置AWG进行功率半导体器件的双脉冲测试
SiC器件的快速开关特性包括高频率，要求测量信号的精度至少达到100MHz或更高带宽 (BW)，这需要使用额定500MHz或更高频率的示波器和探头。在本文中，宽禁带功率器件供应商Qorvo与Tektronix合作，基于实际的SiC被测器件 (DUT)，描述了实用的解决方案。
2025-01-26
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MOS管在开关电源中的核心作用及其关键性能参数对设计的影响
金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称MOSFET)是现代电子技术中不可或缺的元器件之一，在开关电源设计中扮演着至关重要的角色。开关电源作为现代电力转换和管理的核心组件，其性能与效率在很大程度上依赖于MOS管的选择与应用。本文将深入探讨MOS管在开关电源中的具体作用，并剖析其关键性能参数对电源整体性能的影响。
2025-01-25
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大电流、高性能降压-升压稳压器
许多应用都需要宽输入和/或输出电压范围，例如电池供电系统。在输入电压可能低于或高于输出电压的情况下，电源需要调节其输出电压。只要不需要接地隔离，四开关降压-升压拓扑结构就能为此类应用提供超高的效率和功率密度。此外，降压-升压稳压器非常灵活，可用作单纯的降压电源或升压（带短路保护）电源。
2025-01-20
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PCI Express Gen5：自动化多通道测试
对高速链路（如PCI Express®）的全面表征需要对被测链路的发送端（Tx）和接收端（Rx）进行多差分通道的测量。由于需要在不同通道之间进行同轴连接的物理切换，这对于完全自动化的测试环境来说是一个挑战。引入RF开关矩阵允许多通道测试中的物理连接切换，并实现自动化软件测试。
2025-01-17
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当过压持续较长时间时，使用开关浪涌抑制器
在工业电子设备中，过压保护是确保设备可靠运行的重要环节。本文将探讨如何使用开关浪涌抑制器替代传统的线性浪涌抑制器，以应对长时间的过压情况。与传统线性浪涌抑制器不同，开关浪涌抑制器能够在持续浪涌的情况下保持负载正常运行，而传统线性浪涌抑制器则需要在电源路径中的MOSFET散热超过其处理能力时切断电流。
2025-01-13
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第13讲：超小型全SiC DIPIPM
三菱电机从1997年开始将DIPIPM产品化，广泛应用于空调、洗衣机、冰箱等白色家用电器，以及通用变频器、机器人等工业设备。本公司的DIPIPM功率模块采用压注模结构，由功率芯片和具有驱动及保护功能的控制IC芯片组成。通过优化功率芯片和控制IC，预先调整了开关速度等特性。搭载驱动电路、保护电路、电平转换电路的HVIC（High Voltage IC），可通过CPU或微机的输入信号直接控制，通过单电源化和消除光耦来减小电路板尺寸，并实现高可靠性。另外，内置BSD（Bootstrap Diode），可减少外围元件数量。因此，DIPIPM使逆变器外围电路的设计变得更加容易，有助于客户逆变器电路板的小型化和缩短设计时间。
2025-01-09
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基于SiC的高电压电池断开开关的设计注意事项
得益于固态电路保护，直流母线电压为400V或以上的电气系统（由单相或三相电网电源或储能系统（ESS）供电）可提升自身的可靠性和弹性。在设计高电压固态电池断开开关时，需要考虑几项基本的设计决策。其中关键因素包括半导体技术、器件类型、热封装、器件耐用性以及路中断期间的感应能量管理。在本文中，我们将讨论在选择功率半导体技术和定义高电压、高电流电池断开开关的半导体封装时的一些设计注意事项，以及表征系统的寄生电感和过流保护限值的重要性。
2025-01-08
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PNP 晶体管：特性和应用
您可能很清楚，现代电气工程乃至整个现代世界都与晶体管设备有着千丝万缕的联系。这些组件既充当开关又充当放大器。尽管场效应晶体管目前在电子领域占据主导地位，但初的晶体管是双极晶体管，并且很快个双极结晶体管（BJT）就紧随其后。
2025-01-07
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