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优化汽车应用的驾驶循环仿真
碳化硅（SiC）已经改变了许多行业的电力传输，尤其是电动汽车（EV）充电和车载功率转换部分。由于 SiC 具备卓越的热特性、低损耗和高功率密度，因此相对 Si 与 IGBT 等更传统的技术，具有更高的效率和可靠性。要想获得最大的系统效率并且准确的预测性能，必须仿真这些由 SiC 组成的拓扑、系统和应用。
2023-01-28
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SiC MOSFET真的有必要使用沟槽栅吗？
众所周知，“挖坑”是英飞凌的祖传手艺。在硅基产品时代，英飞凌的沟槽型IGBT（例如TRENCHSTOP系列）和沟槽型的MOSFET就独步天下。在碳化硅的时代，市面上大部分的SiC MOSFET都是平面型元胞，而英飞凌依然延续了沟槽路线。难道英飞凌除了“挖坑”，就不会干别的了吗？非也。因为SiC材料独有的特性，SiC MOSFET选择沟槽结构，和IGBT是完全不同的思路。咱们一起来捋一捋。
2023-01-27
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低电感ANPC拓扑结构集成新型950V IGBT和二极管技术，满足光伏应用的需求
本文介绍了新型950V IGBT和二极管技术。950V IGBT结构基于微沟槽理念，与典型1200V技术相比，新型950V IGBT和二极管的静态损耗和/或开关损耗显著降低。通过分析应用需求与功率模块设计的相互作用，本文确定了功率模块的应用结果和优化路径。得益于经优化的功率模块设计和采用950V技术，近期推出的无基板Easy3B解决方案实现了全集成1500V ANPC拓扑结构。该拓扑结构的额定电流达到400A，而杂散电感低至仅15nH。
2023-01-16
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高压栅极驱动IC自举电路的设计与应用指南
本文讲述了一种运用功率型MOSFET和IGBT设计高性能自举式栅极驱动电路的系统方法，适用于高频率，大功率及高效率的开关应用场合。不同经验的电力电子工程师们都能从中获益。在大多数开关应用中，开关功耗主要取决于开关速度。因此，对于绝大部分本文阐述的大功率开关应用，开关特性是非常重要的。
2023-01-13
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如何优化隔离栅级驱动电路?
栅极驱动光电耦合器FOD31xx系列的功能是用作电源缓冲器，来控制功率MOSFET或IGBT的栅极。它为MOSFET 或 IGBT 的栅极输入供应所需的峰值充电电流，来打开器件。该目标通过向功率半导体的栅极提供正压(VOH)来实现。若要关闭MOSFET或IGBT，需拉起驱动器件的栅极至0电压(VOL)或更低。
2023-01-10
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满足高度紧凑型1500-V并网逆变器需求的新型ANPC功率模块
本文提出了一种优化的ANPC拓扑结构。该拓扑结构支持最新的1200-V SiC T-MOSFET与IGBT技术优化组合，实现成本效益。市场上将推出一款采用全集成ANPC拓扑结构的新型功率模块，适用于高度紧凑型、高效率1500-V并网逆变器。新开发的Easy3B功率模块在48kHz频率条件下，可以实现输出功率达到200kW以上。此外，相应的P-Q图几乎呈圆形。这意味着，该功率模块适用于储能系统等新兴应用。
2023-01-10
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先进碳化硅技术，有效助力储能系统
人们普遍认识到，碳化硅（SiC）现在作为一种成熟的技术，在从瓦特到兆瓦功率范围的很多应用中改变了电力行业，覆盖工业、能源和汽车等众多领域。这主要是由于它比以前的硅（Si）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）的应用具有更多优势，包括更高的开关频率，更低的工作温度，更高的电流和电压容量，以及更低的损耗，进而可以实现更高的功率密度，可靠性和效率。得益于更低的温度和更小的磁性元件，热管理和电源组件现在尺寸更小，重量更轻，成本更低，从而降低了总 BOM 成本，同时也实现了更小的占用空间。
2022-12-22
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简述SiC MOSFET短路保护时间
IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力，也就是说，在一定的短路耐受时间（short circuit withstand time SCWT），只要器件短路时间不超过这个SCWT，器件基本上是安全的（超大电流导致的寄生晶闸管开通latch up除外，本篇不讨论）。
2022-12-22
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通过转向1700V SiC MOSFET，无需考虑功率转换中的权衡问题
高压功率系统设计人员努力满足硅MOSFET和IGBT用户对持续创新的需求。基于硅的解决方案在效率和可靠性方面通常无法兼得，也不能满足如今在尺寸、重量和成本方面极具挑战性的要求。不过，随着高压碳化硅（SiC）MOSFET的推出，设计人员现在有机会在提高性能的同时，应对所有其他挑战。
2022-12-16
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分析自动化第三季度市场数据，看IC与方案需求
今年第三季度，电池和光伏制造业订单增长最好，印刷、制药、暖通空调、食品机械和电梯持平，其它行业都有降低。相关应用的MCU，DPS，MOSFET，IGBT和电源管理IC需求受终端设备制造商影响有变化，PLC和工控机用HMI方案和网关也有市场需求起伏。其中伺服、CNC增长率为负，低压变频器、大中小型PLC、HMI均有一定程度的正增长，其中PLC整体表现相对亮眼，达到两位数以上的增长率。
2022-12-16
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新一代1700V IGBT7技术及其在电力电子系统中的应用优势
EconoDUAL™3是一款经典的IGBT模块封装，其上一代的1700V系列产品已经广泛应用于级联型中高压变频器、静止无功发生器（SVG）和风电变流器，覆盖了中功率和一部分大功率的应用场合。随着芯片技术的发展和市场对高功率密度IGBT模块的需求增加，英飞凌已经基于最新的1700V IGBT7技术开发了新一代的EconoDUAL™3模块，并率先推出了900A和750A两款新产品。本文首先分析了上一代最大电流等级600A的产品FF600R17ME4[1]在MVD和SVG中的典型应用，然后介绍了1700V IGBT7的芯片特性和EconoDULA™3模块的性能优化。通过与FF600R17ME4对比，分析了900A和750A的产品优势。最后，针对级联高压变频器和静止无功发生器的应用场景，通过仿真对比，阐明了新一代IGBT产品在输出能力和功率损耗等方面为系统带来的价值。
2022-12-15
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适用于下一代大功率应用的XHP2封装
轨道交通牵引变流器的平台化设计和易扩展性是其主要发展方向之一，其对半导体器件也提出了新的需求。一方面需要半导体器件能满足更宽的电压等级和电流等级，另一方面也要兼容电力电子器件的新技术，比如IGBT5/.XT或SiC MOSFET。这样既有利于电力电子系统的平台化设计，也可以增加系统的功率密度，减小系统的尺寸和体积。因此，半导体器件需要具有更低的杂散电感、更大的电流等级和对称的结构布局。本文介绍了一种新的用于大功率应用的XHP™ 2 IGBT模块，包括低杂散电感设计原理、开关特性和采用IGBT5/.XT技术可以延长模块的使用寿命等关键点。
2022-12-05
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