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具有集成反激式控制器的智能栅极驱动光耦合器
通过集成反激式控制器，ACPL-302J 器件允许在器件旁边放置更少的分立元件和更小的变压器和电容器，从而减少设计的整体尺寸并限度地减少电磁干扰 (EMI) 和 IGBT 通道之间的噪声耦合。通过减少设计中的这些元素，设计人员可以实现显着的成本节约。
2023-02-17
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MOS管开通过程的米勒效应及应对措施
在现在使用的MOS和IGBT等开关电源应用中，所需要面对一个常见的问题 — 米勒效应，本文将主要介绍MOS管在开通过程中米勒效应的成因、表现、危害及应对方法。
2023-02-10
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如何手动计算IGBT的损耗
现今随着高端测试仪器和仿真软件的普及，大部分的损耗计算都可以使用工具自动完成，节省了不少精力，不得不说这对工程师来说是一种解放，但是这些工具就像黑盒子，好学的小伙伴总想知道工作机理。其实基础都是大家学过的基本高等数学知识。今天作者就帮大家打开这个黑盒子，详细介绍一下IGBT损耗计算方法同时一起复习一下高等数学知识。
2023-02-07
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优化汽车应用的驾驶循环仿真
碳化硅（SiC）已经改变了许多行业的电力传输，尤其是电动汽车（EV）充电和车载功率转换部分。由于 SiC 具备卓越的热特性、低损耗和高功率密度，因此相对 Si 与 IGBT 等更传统的技术，具有更高的效率和可靠性。要想获得最大的系统效率并且准确的预测性能，必须仿真这些由 SiC 组成的拓扑、系统和应用。
2023-01-28
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SiC MOSFET真的有必要使用沟槽栅吗？
众所周知，“挖坑”是英飞凌的祖传手艺。在硅基产品时代，英飞凌的沟槽型IGBT（例如TRENCHSTOP系列）和沟槽型的MOSFET就独步天下。在碳化硅的时代，市面上大部分的SiC MOSFET都是平面型元胞，而英飞凌依然延续了沟槽路线。难道英飞凌除了“挖坑”，就不会干别的了吗？非也。因为SiC材料独有的特性，SiC MOSFET选择沟槽结构，和IGBT是完全不同的思路。咱们一起来捋一捋。
2023-01-27
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低电感ANPC拓扑结构集成新型950V IGBT和二极管技术，满足光伏应用的需求
本文介绍了新型950V IGBT和二极管技术。950V IGBT结构基于微沟槽理念，与典型1200V技术相比，新型950V IGBT和二极管的静态损耗和/或开关损耗显著降低。通过分析应用需求与功率模块设计的相互作用，本文确定了功率模块的应用结果和优化路径。得益于经优化的功率模块设计和采用950V技术，近期推出的无基板Easy3B解决方案实现了全集成1500V ANPC拓扑结构。该拓扑结构的额定电流达到400A，而杂散电感低至仅15nH。
2023-01-16
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高压栅极驱动IC自举电路的设计与应用指南
本文讲述了一种运用功率型MOSFET和IGBT设计高性能自举式栅极驱动电路的系统方法，适用于高频率，大功率及高效率的开关应用场合。不同经验的电力电子工程师们都能从中获益。在大多数开关应用中，开关功耗主要取决于开关速度。因此，对于绝大部分本文阐述的大功率开关应用，开关特性是非常重要的。
2023-01-13
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如何优化隔离栅级驱动电路?
栅极驱动光电耦合器FOD31xx系列的功能是用作电源缓冲器，来控制功率MOSFET或IGBT的栅极。它为MOSFET 或 IGBT 的栅极输入供应所需的峰值充电电流，来打开器件。该目标通过向功率半导体的栅极提供正压(VOH)来实现。若要关闭MOSFET或IGBT，需拉起驱动器件的栅极至0电压(VOL)或更低。
2023-01-10
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满足高度紧凑型1500-V并网逆变器需求的新型ANPC功率模块
本文提出了一种优化的ANPC拓扑结构。该拓扑结构支持最新的1200-V SiC T-MOSFET与IGBT技术优化组合，实现成本效益。市场上将推出一款采用全集成ANPC拓扑结构的新型功率模块，适用于高度紧凑型、高效率1500-V并网逆变器。新开发的Easy3B功率模块在48kHz频率条件下，可以实现输出功率达到200kW以上。此外，相应的P-Q图几乎呈圆形。这意味着，该功率模块适用于储能系统等新兴应用。
2023-01-10
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先进碳化硅技术，有效助力储能系统
人们普遍认识到，碳化硅（SiC）现在作为一种成熟的技术，在从瓦特到兆瓦功率范围的很多应用中改变了电力行业，覆盖工业、能源和汽车等众多领域。这主要是由于它比以前的硅（Si）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）的应用具有更多优势，包括更高的开关频率，更低的工作温度，更高的电流和电压容量，以及更低的损耗，进而可以实现更高的功率密度，可靠性和效率。得益于更低的温度和更小的磁性元件，热管理和电源组件现在尺寸更小，重量更轻，成本更低，从而降低了总 BOM 成本，同时也实现了更小的占用空间。
2022-12-22
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简述SiC MOSFET短路保护时间
IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力，也就是说，在一定的短路耐受时间（short circuit withstand time SCWT），只要器件短路时间不超过这个SCWT，器件基本上是安全的（超大电流导致的寄生晶闸管开通latch up除外，本篇不讨论）。
2022-12-22
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通过转向1700V SiC MOSFET，无需考虑功率转换中的权衡问题
高压功率系统设计人员努力满足硅MOSFET和IGBT用户对持续创新的需求。基于硅的解决方案在效率和可靠性方面通常无法兼得，也不能满足如今在尺寸、重量和成本方面极具挑战性的要求。不过，随着高压碳化硅（SiC）MOSFET的推出，设计人员现在有机会在提高性能的同时，应对所有其他挑战。
2022-12-16
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