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MOS管在开关电源中的核心作用及其关键性能参数对设计的影响
金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称MOSFET)是现代电子技术中不可或缺的元器件之一，在开关电源设计中扮演着至关重要的角色。开关电源作为现代电力转换和管理的核心组件，其性能与效率在很大程度上依赖于MOS管的选择与应用。本文将深入探讨MOS管在开关电源中的具体作用，并剖析其关键性能参数对电源整体性能的影响。
2025-01-25
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大电流、高性能降压-升压稳压器
许多应用都需要宽输入和/或输出电压范围，例如电池供电系统。在输入电压可能低于或高于输出电压的情况下，电源需要调节其输出电压。只要不需要接地隔离，四开关降压-升压拓扑结构就能为此类应用提供超高的效率和功率密度。此外，降压-升压稳压器非常灵活，可用作单纯的降压电源或升压（带短路保护）电源。
2025-01-20
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PCI Express Gen5：自动化多通道测试
对高速链路（如PCI Express®）的全面表征需要对被测链路的发送端（Tx）和接收端（Rx）进行多差分通道的测量。由于需要在不同通道之间进行同轴连接的物理切换，这对于完全自动化的测试环境来说是一个挑战。引入RF开关矩阵允许多通道测试中的物理连接切换，并实现自动化软件测试。
2025-01-17
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当过压持续较长时间时，使用开关浪涌抑制器
在工业电子设备中，过压保护是确保设备可靠运行的重要环节。本文将探讨如何使用开关浪涌抑制器替代传统的线性浪涌抑制器，以应对长时间的过压情况。与传统线性浪涌抑制器不同，开关浪涌抑制器能够在持续浪涌的情况下保持负载正常运行，而传统线性浪涌抑制器则需要在电源路径中的MOSFET散热超过其处理能力时切断电流。
2025-01-13
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第13讲：超小型全SiC DIPIPM
三菱电机从1997年开始将DIPIPM产品化，广泛应用于空调、洗衣机、冰箱等白色家用电器，以及通用变频器、机器人等工业设备。本公司的DIPIPM功率模块采用压注模结构，由功率芯片和具有驱动及保护功能的控制IC芯片组成。通过优化功率芯片和控制IC，预先调整了开关速度等特性。搭载驱动电路、保护电路、电平转换电路的HVIC（High Voltage IC），可通过CPU或微机的输入信号直接控制，通过单电源化和消除光耦来减小电路板尺寸，并实现高可靠性。另外，内置BSD（Bootstrap Diode），可减少外围元件数量。因此，DIPIPM使逆变器外围电路的设计变得更加容易，有助于客户逆变器电路板的小型化和缩短设计时间。
2025-01-09
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基于SiC的高电压电池断开开关的设计注意事项
得益于固态电路保护，直流母线电压为400V或以上的电气系统（由单相或三相电网电源或储能系统（ESS）供电）可提升自身的可靠性和弹性。在设计高电压固态电池断开开关时，需要考虑几项基本的设计决策。其中关键因素包括半导体技术、器件类型、热封装、器件耐用性以及路中断期间的感应能量管理。在本文中，我们将讨论在选择功率半导体技术和定义高电压、高电流电池断开开关的半导体封装时的一些设计注意事项，以及表征系统的寄生电感和过流保护限值的重要性。
2025-01-08
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PNP 晶体管：特性和应用
您可能很清楚，现代电气工程乃至整个现代世界都与晶体管设备有着千丝万缕的联系。这些组件既充当开关又充当放大器。尽管场效应晶体管目前在电子领域占据主导地位，但初的晶体管是双极晶体管，并且很快个双极结晶体管（BJT）就紧随其后。
2025-01-07
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原来为硅MOSFET设计的DC－DC控制器能否用来驱动GaNFET?
众所周知，GaNFET比较难驱动，如果使用原本用于驱动硅(Si) MOSFET的驱动器，可能需要额外增加保护元件。适当选择正确的驱动电压和一些小型保护电路，可以为四开关降压-升压控制器提供安全、一体化、高频率GaN驱动。
2025-01-07
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ESR 对陶瓷电容器选择的影响（下）
在楼氏电容事业部，我们深知 ESR 对这些高功率或高频率电路的影响，因为 Q 值在这些电路中至关重要。同时，我们也意识到，由于ESR会随着设备工作频率的改变而变化，因此并不存在一种适用于所有情况的超低ESR电容器。为此，我们精心打造了一系列II类陶瓷电介质电容器（根据芯片尺寸选用BX或X7R材料），这些电容器不仅具备卓越的容积效率，而且压电效应微乎其微。我们专门针对恶劣环境设计了一系列产品，例如在大功率宽带耦合和开关电源中，以确保产品的可靠运行。
2025-01-03
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低功率开关电容器带隙，第 2 部分
在本期文章中，对传统的带隙电路进行了误差分析，然后解释了如何使用开关电容电路将这些误差降至。图 1 显示了传统的带隙参考实现方案及其相关的误差源。
2024-12-31
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为何混合型交流浪涌保护器是浪涌保护首选？
现在的电子设备无处不在且发展迅速，其越来越敏感的电路在很大程度上依赖前端保护，因为它们要接入电力基础设施，而这些基础设施可能有或者没有最新的电压浪涌和瞬态保护功能。这些瞬态事件可能是由雷击、开关动作或类似的电压浪涌事件造成的结果，会导致过电压和过电流事件，进而损坏敏感电子设备或者降低其性能。
2024-12-16
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用4200A和矩阵开关搭建自动智能的可靠性评估平台
在现代ULSI电路中沟道热载流子（CHC）诱导的退化是一个重要的与可靠性相关的问题。载流子在通过MOSFET通道的大电场加速时获得动能。当大多数载流子到达漏极时，热载流子（动能非常高的载流子）由于原子能级碰撞的冲击电离，可以在漏极附近产生电子—空穴对。
2024-12-12
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