-
ROHM确立了可更大程度追求电源IC响应性能的创新电源技术“QuiCurTM”
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）确立了一种新电源技术“QuiCurTM”，可改善包括DC/DC转换器IC在内的各种电源IC的负载响应特性*1（以下称为“响应性能”，指后级电路工作时的响应速度和电压稳定性）。
2022-02-14
-
SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作
MOSFET和IGBT等电源开关元器件被广泛应用于各种电源应用和电源线路中。另外，所使用的电路方式也多种多样，除单独使用外，还有串联连接、并联连接等多种使用方法。
2022-02-11
-
理想开关自身会带来挑战
随着我们的产品接近边沿速率超快的理想半导体开关，电压过冲和振铃开始成为问题。适用于SiC FET的简单RC缓冲电路可以解决这些问题，并带来更高的效率增益。
2022-02-10
-
派恩杰SiC驱动设计新探索：如何避免误开通？
随着SiC 工艺逐渐成熟和成本不断下降，SiC MOSFET凭借整体性能优于硅基器件一个数量级的优势正逐渐普及，获得越来越多的工程应用。相较于传统的Si功率器件，SiC MOSFET具有更小的导通电阻，更快的开关速度，使得系统损耗大幅降低，效率提升，体积减小，从而实现变换器的高效高功率密度化，因此广泛适用于5G数据中心通信电源，新能源汽车车载充电机，电机驱动器，工业电源，直流充电桩，光伏，UPS等各类能源变换系统中。
2022-02-10
-
SiC功率器件使用过程中的常见问题集（上）
由于SiC 材料具有更高的击穿场强、更好的热稳定性、更高的电子饱和速度及禁带宽度，因此能够大大提高功率器件的性能表现。相较于传统的Si功率器件，SiC 器件具有更快的开关速度，更好的温度特性使得系统损耗大幅降低，效率提升，体积减小，从而实现变换器的高效高功率密度化。当前碳化硅功率器件主要在新能源汽车的车载充电机、充电桩、计算机电源、风电逆变器、光伏逆变器、大型服务器电源、空调变频器等领域，根据Yole估计，未来市场将有每年30% 左右的高速增长。为此，派恩杰推出1700V,1200V,650V各种电压等级SiC MOSFET以应对市场需求。在从硅器件到碳化硅器件使用转变过程中，客户常常会遇到一些疑问或者使用问题，为此，派恩杰针对客户的问题进行归纳总结并分享一些解决办法。
2022-02-09
-
将ICT和FCT优势结合在单个测试适配器中
一般以针床来测试不上电的电路板，使用直接数字合成（DDS）和离散傅立叶变换（DFT）等技术生成刺激信号进行模拟测量分析，以此让在线测试仪（ICA）测量电感、电容、阻抗和电阻等实际数据，以便确认所有被测器件（DUT）测试节点的结果在公差范围内，以及是否有开路、短路、错件或极性接反的问题。这些都在不上电的情况下进行测量。继电器多路复用器可以用来连接探针触点和电路板的模拟通道或数字驱动器/传感器（D/S）（图1）。
2022-02-09
-
适用于电流模式DC-DC转换器的统一的LTspice AC模型
当电源设计人员想要大致了解电源的反馈环路时，他们会利用环路增益和相位波特图。知道环路响应可进行预测有助于缩小反馈环路补偿元件的选择范围。
2022-02-09
-
针对SiC串扰抑制方法的测试报告
近年来，以SiCMOSFET 为代表的宽禁带半导体器件因其具有高开关频率、高开关速度、高热导率等优点，已成为高频、高温、高功率密度电力电子变换器的理想选择。然而随着SiC MOSFET开关速度加快，桥式电路受寄生参数影响加剧，串扰现象更加严重。由于SiC MOSFET 正向阈值电压与负向安全电压较小，串扰问题引起的正负向电压尖峰更容易造成开关管误导通或栅源极击穿，进而增加开关损耗，严重时损坏开关管，因此合适的串扰抑制方法对提高变换器工作可靠性、提升其功率密度具有重要意义。
2022-02-08
-
如何仿真转换器的数字输入／输出
对于SAR-ADC的仿真比较复杂。目前来看，还没有准确模拟整个器件的完整转换器模型。现有资源是一个仿真模拟输入引脚稳定性的模拟SPICE文件。有了它，用户就有了一款强大工具，使用户能够解决其中一个最关键、最棘手的转换器问题。
2022-02-08
-
用于信号和数据处理电路的低噪声、高电流、紧凑型DC-DC转换器解决方案
现场可编程门阵列(FPGA)、片上系统(SoC)和微处理器等数据处理IC不断扩大在电信、网络、工业、汽车、航空电子和国防系统领域的应用。这些系统的一个共同点是处理能力不断提高，导致原始功率需求相应增加。设计人员很清楚高功率处理器的热管理问题，但可能不会考虑电源的热管理问题。与晶体管封装处理器本身类似，当低内核电压需要高电流时，热问题在最差情况下不可避免——这是所有数据处理系统的总体电源趋势。
2022-01-30
-
开发基于碳化硅的25 kW快速直流充电桩：方案概述
在本系列文章的第一部分中，[1]我们介绍了电动车快速充电器的主要系统要求，概述了这种充电器开发过程的关键级，并了解到安森美(onsemi)的应用工程师团队正在开发所述的充电器。现在，在第二部分中，我们将更深入研究设计的要点，并介绍更多细节。特别是，我们将回顾可能的拓扑结构，探讨其优点和权衡，并了解系统的骨干，包括一个半桥SiC MOSFET模块。
2022-01-28
-
如何充分发挥碳化硅耐高温的优势？
随着碳化硅(SiC)技术的发展，器件也在日趋成熟和商业化，其材料独特的耐高温性能正在加速推动结温从150℃走向175℃，有的公司称，现在已开始研发200℃结温的碳化硅器件。
2022-01-28
- 噪声中提取真值！瑞盟科技推出MSA2240电流检测芯片赋能多元高端测量场景
- 10MHz高频运行！氮矽科技发布集成驱动GaN芯片，助力电源能效再攀新高
- 失真度仅0.002%！力芯微推出超低内阻、超低失真4PST模拟开关
- 一“芯”双电！圣邦微电子发布双输出电源芯片，简化AFE与音频设计
- 一机适配万端：金升阳推出1200W可编程电源，赋能高端装备制造
- TI 推出全栈嵌入式边缘 AI 方案，依托 MCU+NPU 架构破解终端 AI 落地难题
- 东芝推出高浪涌耐受 3300V SiC MOSFET 模块 助力工业电力设备提升可靠性
- 瑞萨推出超小尺寸可配置GreenPAK IC 赋能小型化智能终端硬件设计升级
- Silicon Line推出MSDL 20G超低功耗互连芯片组 突破传统MIPI传输布线瓶颈
- 极海推出 G32R502 高性价比实时控制 MCU/DSP 面向电源与运动控制场景实现性能成本平衡
- 车规与基于V2X的车辆协同主动避撞技术展望
- 数字隔离助力新能源汽车安全隔离的新挑战
- 汽车模块抛负载的解决方案
- 车用连接器的安全创新应用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
