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开关电源变压器设计与材料选择
开关电源变压器是加入了开关管的电源变压器，在电路中除了普通变压器的电压变换功能，还兼具绝缘隔离与功率传送功能一般用在开关电源等涉及高频电路的场合。
2018-08-02
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浅谈高频电源变压器设计
关电源中主要的发热元器件为半导体开关管、功率二极管、高频变压器、滤波电感等。不同器件有不同的控制发热量的方法。功率管是高频开关电源中发热量较大的器件之一，减小它的发热量，不仅可以提高功率管的可靠性，而且可以提高开关电源的可靠性，提高平均无故障时间（MTBF）。
2018-08-02
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如何借助雪崩二极管提供过压保护？
当IGBT在高性能应用中高速接通和断开时，总会发生过压。例如，当关闭负载电流电路时，集电极发射极电压突然上升，达到非常高的峰值。由开关引起的过电压会严重损坏甚至破坏开关晶体管。
2018-08-01
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说说1P+N与2P漏电开关在选用上的区别！
首先要弄明白，漏电开关虽然有不同的规格，但它们的结构都是一样的，差别只是所配的前接断路器而已。断路器有两种脱扣器，分别是热脱扣器和磁脱扣器。热脱扣器对应于过载保护，磁脱扣器对应于短路保护。
2018-07-31
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开关和监视高达 1000V 的高压 DC 电源
就能量监视和优化而言，以数字化方式监视在高压总线上的电压和电流是必不可少的。任何控制这些电源的电路都必须是电气隔离的，以保证操作人员的安全，并针对危险的高压对低压电子组件提供保护。
2018-07-25
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【揭秘】隔离式栅极驱动器
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为集电极和发射极。
2018-07-24
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开关二极管选用和作用
如输入电压大于VCC，那上面的二极管导通，把A/D输入电压嵌位在VDD加一个导通电压（一般0.2~~0.75伏左右），低于GND时，下面的二极管导通，把电位嵌位在负的0.2~~0.75付之间，从而保护A/D输入不至于因输入电压太高而损坏。
2018-07-20
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堪称工业中的“CPU”：IGBT，中外差距有多大
IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。简单讲，是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点，如驱动功率小和饱和压降低等。
2018-07-18
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教你如何选择开关电源串模扼流圈、共模扼流圈
也许你知道开关电源，也了解开关电源串模扼流圈、共模扼流圈，但不一定知道如何选择开关电源中串模扼流圈、共模扼流圈？那么，本文就是教你如何去选择的。
2018-07-18
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深度解析低噪声增益可选放大器
数据采集、传感器信号调理以及输入信号变化范围较大的其他应用，会要求采用增益可选放大器。传统的增益可选放大器在反馈环路中，是用开关将电阻连接至反相输入，不过开关电阻会降低放大器的噪声性能，增加了反相输入上的电容，且提高了非线性增益误差。在使用低噪声放大器时，噪声和电容的增加，非线性增益误差，所有这些都会影响精密应用的准确性。
2018-07-13
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详解MOSFET与IGBT的本质区别
本文将对一些参数进行探讨，如硬开关和软开关ZVS (零电压转换) 拓扑中的开关损耗，并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明二极管的恢复特性是决定MOSFET 或 IGBT导通开关损耗的主要因素，讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。
2018-07-13
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【防偏磁】半桥隔直电容计算方法！
工程师都知道实际的开关电源半桥拓扑都有一个隔直电容，其实在原理拓扑中是没有这个电容的。这个电容的存在一定是有它的道理的，该如何理解，又该如何计算它的容量？
2018-07-13
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