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说说1P+N与2P漏电开关在选用上的区别！
首先要弄明白，漏电开关虽然有不同的规格，但它们的结构都是一样的，差别只是所配的前接断路器而已。断路器有两种脱扣器，分别是热脱扣器和磁脱扣器。热脱扣器对应于过载保护，磁脱扣器对应于短路保护。
2018-07-31
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开关和监视高达 1000V 的高压 DC 电源
就能量监视和优化而言，以数字化方式监视在高压总线上的电压和电流是必不可少的。任何控制这些电源的电路都必须是电气隔离的，以保证操作人员的安全，并针对危险的高压对低压电子组件提供保护。
2018-07-25
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【揭秘】隔离式栅极驱动器
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为集电极和发射极。
2018-07-24
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开关二极管选用和作用
如输入电压大于VCC，那上面的二极管导通，把A/D输入电压嵌位在VDD加一个导通电压（一般0.2~~0.75伏左右），低于GND时，下面的二极管导通，把电位嵌位在负的0.2~~0.75付之间，从而保护A/D输入不至于因输入电压太高而损坏。
2018-07-20
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堪称工业中的“CPU”：IGBT，中外差距有多大
IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。简单讲，是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点，如驱动功率小和饱和压降低等。
2018-07-18
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教你如何选择开关电源串模扼流圈、共模扼流圈
也许你知道开关电源，也了解开关电源串模扼流圈、共模扼流圈，但不一定知道如何选择开关电源中串模扼流圈、共模扼流圈？那么，本文就是教你如何去选择的。
2018-07-18
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深度解析低噪声增益可选放大器
数据采集、传感器信号调理以及输入信号变化范围较大的其他应用，会要求采用增益可选放大器。传统的增益可选放大器在反馈环路中，是用开关将电阻连接至反相输入，不过开关电阻会降低放大器的噪声性能，增加了反相输入上的电容，且提高了非线性增益误差。在使用低噪声放大器时，噪声和电容的增加，非线性增益误差，所有这些都会影响精密应用的准确性。
2018-07-13
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详解MOSFET与IGBT的本质区别
本文将对一些参数进行探讨，如硬开关和软开关ZVS (零电压转换) 拓扑中的开关损耗，并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明二极管的恢复特性是决定MOSFET 或 IGBT导通开关损耗的主要因素，讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。
2018-07-13
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【防偏磁】半桥隔直电容计算方法！
工程师都知道实际的开关电源半桥拓扑都有一个隔直电容，其实在原理拓扑中是没有这个电容的。这个电容的存在一定是有它的道理的，该如何理解，又该如何计算它的容量？
2018-07-13
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玩转开关时间、谐波、互调失真测试？这一篇就够了！
开关时间(Switch Time)或切换时间指的是开关从“导通”状态转变为“截止”状态或者从“截止”状态转变为“导通”状态所需要的时间。具体来讲是指从DUT接收到通道切换命令，到在被切换到的通道上信号的功率达到满幅度值的90%的时间。
2018-07-11
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开关电源EMC设计中电容特性的分析
许多电子设计者都知道滤波电容在电源中起的作用，但在开关电源输出端用的滤波电容上，与工频电路中选用的滤波电容并不一样，在工频电路中用作滤波的普通电解电容器，其上的脉动电压频率仅有100 赫兹，充放电时间是毫秒数量级，为获得较小的脉动系数，需要的电容量高达数十万微法，因而一般低频用普通铝电解电容器制造，目标是以提高电容量为主，电容器的电容量、损耗角正切值以及漏电流是鉴别其优劣的主要参数。
2018-07-07
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解析最新关于全波桥式整流器的设计方案
大多数电子元器件都需要一个来自AC电力线的输入电源。对于电压稳压器、开关模式电源和其它下游电子组件来说，一个全桥或半桥二极管整流器器件对正弦AC电压波形进行整流，并将其转换为一个DC电压。
2018-07-06
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