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鱼与熊掌皆可得？当SiC MOSFET遇上2L-SRC
事物皆有两面：SiC MOSFET以更快的开关速度，相比IGBT可明显降低器件开关损耗，提升系统效率和功率密度；但是高速的开关切换，也产生了更大的dv/dt和di/dt，对一些电机控制领域的电机绝缘和EMI设计都带来了额外的挑战。
2022-06-07
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IGBT窄脉冲现象解读
IGBT作为一种功率开关，从门级信号到器件开关过程需要一定反应时间，就像生活中开关门太快容易挤压手一样，过短的开通脉冲可能会引起过高的电压尖峰或者高频震荡问题。这种现象随着IGBT被高频PWM调制信号驱动时，时常会无奈发生，占空比越小越容易输出窄脉冲，且IGBT反并联续流二极管FWD在硬开关续流时反向恢复特性也会变快。
2022-06-03
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如何计算驱动芯片的desat保护时间
SiC MOSFET短路时间相比IGBT短很多，英飞凌CoolSiC™ MOSFET单管保证3us的短路时间，Easy模块保证2us的短路时间，因此要求驱动电路和的短路响应迅速而精确。今天，我们来具体看一下这个短而精的程度。
2022-06-02
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汽车级IGBT/SiC模块驱动器应该怎么用？首款唯一车硅认证栅极驱动板简化设计
就在德国纽伦堡PCIM Europe展会的最后一天，Power Integrations（PI）在线上举办新品沟通会，PI资深技术培训经理Jason Yan讲解了一个汽车级IGBT/SiC（碳化硅）模块驱动器系列产品——适用于Infineon EconoDUALTM模块的SCALETM EV系列栅极驱动板。
2022-06-02
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Tvj - IGBT元宇宙中的结温
在IGBT应用中，结温是经常使用的一个参数，大部分读者应该都很熟悉这个概念，但是这和元宇宙有什么关系呢？
2022-05-25
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IGBT门极驱动到底要不要负压
先说结论，如果条件允许还是很建议使用负压作为IGBT关断的。但是从成本和设计的复杂度来说，很多工程师客户希望不要使用负压。下面我们从门极寄生导通现象来看这个问题。
2022-05-23
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挑选一款合适的汽车级IGBT模块： 解读国内首部车用IGBT标准
随着新能源汽车行业的蓬勃发展，越来越多的IGBT产品应运而生。汽车零部件时常暴露在恶劣的气候条件下，因此必须保证汽车级产品在高温、高湿、高压条件下可靠运行。如何选择合适的汽车级半导体器件，对于Tier1和OEM的产品可靠性及其成本至关重要。本文将从汽车行业的IGBT模块环境试验的要求出发，介绍汽车级功率半导体器件IGBT模块需要满足的条件。
2022-05-09
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东芝低功耗IGBT持续助力家电市场
IGBT因其优异的电气属性和性价比在业界被广泛应用，特别是在工业控制领域几乎随处可见IGBT的身影。作为功率半导体的家族分支，不仅融合了BJT和MOSFET的优点，还进一步提升了控制速度和精度，同时具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点。而今天要给大家介绍的是由东芝半导体新研发的具备低功耗节能属性的IGBT器件——GT30N135SRA，其有助于家电产品能耗进一步降低。
2022-04-30
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IGBT驱动电流行为综述
】IGBT是一种电压驱动的电子开关，正常情况下只要给15V电压就可以饱和导通，实际器件的驱动是给栅极端口电容充放电，还是需要电流的。IGBT驱动电流峰值电流取决于栅极总电阻，电流取决于栅极电荷，但我们一般讲的是峰值电流。
2022-04-30
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多功能预驱动器，为中高电流驱动器提供全方位保护
关于IGBT／MOSFET预驱动器，相信做电机驱动或者大功率设备驱动的工程师都会有所了解，所谓预驱动器，其实就是将微控制器与IGBT／MOSFET隔离开来，为负载及驱动器提供保护，并为微控制器（MCU）提供诊断信息。这种预驱动器一般会使用运放，MOS或者三极管等搭建，在实现保护驱动器和微控制器的前提之下，还实现了将MOSFET的漏极-源极电压（VDS）与基准电压做比较，实现状态诊断；那么大家知道光耦其实还可以做IGBT／MOSFET的预驱动器么？东芝针对IGBT／MOSFET产品以及光耦应用技术深耕多年，这款针对中高电流IGBT／MOSFET的预驱动器——TLP5231，就是东芝半导体系列产品线的补充和完善。
2022-04-27
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如何正确理解功率循环曲线
近年来IGBT的可靠性问题一直受到行业的广泛关注，特别是风力发电、轨道交通等应用领域。IGBT的可靠性通常用以芯片结温变化为衡量目标的功率循环曲线和基板温度变化为衡量目标的温度循环曲线来评估。引起IGBT可靠性问题的原因主要是IGBT是由多种膨胀系数不同的材料焊接在一起，工作过程中温度的变化会引起结合点的老化，以及绑定线在工作过程中热胀冷缩；另外绑定线的成分，绑定工具的形状、绑定参数以及芯片的金属化焊接等因素都会影响IGBT的可靠性。
2022-04-20
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图腾柱无桥PFC中混合碳化硅分立器件的应用
现代尖端电力电子设备性能升级需要提升系统功率密度、使用更高的主开关频率。而现有硅基IGBT配合硅基FRD性能已无法完全满足要求，需要高性能与性价比兼具的主开关器件。为此，基本半导体推出的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合，为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的完美方案。
2022-04-01
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