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功率半导体冷知识之二：IGBT短路时的损耗
IGBT主要用于电机驱动和各类变流器，IGBT的抗短路能力是系统可靠运行和安全的保障之一，短路保护可以通过串在回路中的分流电阻或退饱和检测等多种方式实现。
2022-06-17
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如何选取SiC MOSFET的Vgs门极电压及其影响
在IGBT时代，门极电压的选择比较统一，无非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V这几档。而在新兴的SiC MOSFET领域，还未有约定俗成的门极电压规范。本文愿就SiC MOSFET的门极电压选择上的困惑，提供些有用的参考。
2022-06-15
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保护IGBT和MOSFET免受ESD损坏
功率MOSFET用户都非常熟悉“静电敏感器件”警告标志。然而，越熟悉越容易大意。从统计的角度来看，单个MOSFET不太可能被静电放电（ESD)损坏。然而，在处理成千上万个MOSFET时，极小的故障都可能带来极大的影响。
2022-06-13
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鱼与熊掌皆可得？当SiC MOSFET遇上2L-SRC
事物皆有两面：SiC MOSFET以更快的开关速度，相比IGBT可明显降低器件开关损耗，提升系统效率和功率密度；但是高速的开关切换，也产生了更大的dv/dt和di/dt，对一些电机控制领域的电机绝缘和EMI设计都带来了额外的挑战。
2022-06-07
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IGBT窄脉冲现象解读
IGBT作为一种功率开关，从门级信号到器件开关过程需要一定反应时间，就像生活中开关门太快容易挤压手一样，过短的开通脉冲可能会引起过高的电压尖峰或者高频震荡问题。这种现象随着IGBT被高频PWM调制信号驱动时，时常会无奈发生，占空比越小越容易输出窄脉冲，且IGBT反并联续流二极管FWD在硬开关续流时反向恢复特性也会变快。
2022-06-03
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如何计算驱动芯片的desat保护时间
SiC MOSFET短路时间相比IGBT短很多，英飞凌CoolSiC™ MOSFET单管保证3us的短路时间，Easy模块保证2us的短路时间，因此要求驱动电路和的短路响应迅速而精确。今天，我们来具体看一下这个短而精的程度。
2022-06-02
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汽车级IGBT/SiC模块驱动器应该怎么用？首款唯一车硅认证栅极驱动板简化设计
就在德国纽伦堡PCIM Europe展会的最后一天，Power Integrations（PI）在线上举办新品沟通会，PI资深技术培训经理Jason Yan讲解了一个汽车级IGBT/SiC（碳化硅）模块驱动器系列产品——适用于Infineon EconoDUALTM模块的SCALETM EV系列栅极驱动板。
2022-06-02
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Tvj - IGBT元宇宙中的结温
在IGBT应用中，结温是经常使用的一个参数，大部分读者应该都很熟悉这个概念，但是这和元宇宙有什么关系呢？
2022-05-25
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IGBT门极驱动到底要不要负压
先说结论，如果条件允许还是很建议使用负压作为IGBT关断的。但是从成本和设计的复杂度来说，很多工程师客户希望不要使用负压。下面我们从门极寄生导通现象来看这个问题。
2022-05-23
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挑选一款合适的汽车级IGBT模块： 解读国内首部车用IGBT标准
随着新能源汽车行业的蓬勃发展，越来越多的IGBT产品应运而生。汽车零部件时常暴露在恶劣的气候条件下，因此必须保证汽车级产品在高温、高湿、高压条件下可靠运行。如何选择合适的汽车级半导体器件，对于Tier1和OEM的产品可靠性及其成本至关重要。本文将从汽车行业的IGBT模块环境试验的要求出发，介绍汽车级功率半导体器件IGBT模块需要满足的条件。
2022-05-09
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东芝低功耗IGBT持续助力家电市场
IGBT因其优异的电气属性和性价比在业界被广泛应用，特别是在工业控制领域几乎随处可见IGBT的身影。作为功率半导体的家族分支，不仅融合了BJT和MOSFET的优点，还进一步提升了控制速度和精度，同时具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点。而今天要给大家介绍的是由东芝半导体新研发的具备低功耗节能属性的IGBT器件——GT30N135SRA，其有助于家电产品能耗进一步降低。
2022-04-30
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IGBT驱动电流行为综述
】IGBT是一种电压驱动的电子开关，正常情况下只要给15V电压就可以饱和导通，实际器件的驱动是给栅极端口电容充放电，还是需要电流的。IGBT驱动电流峰值电流取决于栅极总电阻，电流取决于栅极电荷，但我们一般讲的是峰值电流。
2022-04-30
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