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图腾柱无桥PFC中混合碳化硅分立器件的应用
现代尖端电力电子设备性能升级需要提升系统功率密度、使用更高的主开关频率。而现有硅基IGBT配合硅基FRD性能已无法完全满足要求，需要高性能与性价比兼具的主开关器件。为此，基本半导体推出的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合，为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的完美方案。
2022-04-01
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英飞凌650V混合SiC IGBT单管助力户用光伏逆变器提频增效
户用光伏每年装机都在高速增长，单相光伏逆变器功率范围基本在3~10kW，系统电路示意框图如图1所示，从光伏电池板经过逆变器中DC/DC，DC/AC电路实现绿电的能量转换，英飞凌能提供一站式半导体解决方案包括650V功率器件、无核变压器CT技术驱动IC、主控制MCU和电源管理芯片等。
2022-03-01
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集成驱动器！原来，GaN电源系统性能升级的奥秘在这里~
如今，以GaN和SiC为代表的第三代半导体技术风头正劲。与传统的半导体材料相比，GaN和SiC禁带宽度大、击穿电场强度高、电子迁移率高、热导电率大、介电常数小、抗辐射能力强……因此可实现更高的功率密度、更高的电压驱动能力、更快的开关频率、更高的效率、更佳的热性能、更小的尺寸，在高温、高频、高功率、高辐射等功率电子应用领域，不断在向传统的硅基IGBT和MOSFET器件发起强劲的冲击。
2022-02-17
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一文弄懂IGBT驱动
要了解什么是IGBT驱动，首先你需要了解什么是IGBT。我们都知道，电机驱动是IGBT的主要应用领域之一。
2022-02-11
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SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作
MOSFET和IGBT等电源开关元器件被广泛应用于各种电源应用和电源线路中。另外，所使用的电路方式也多种多样，除单独使用外，还有串联连接、并联连接等多种使用方法。
2022-02-11
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担心栅极驱动器的绝缘能力？采用'BIER'测试吧
最新的宽带间隙（WBG）半导体正走向最理想的状态，也就是具有高电压和低损耗的超快速切换，而现代的MOSFET和沟槽IGBT也可以有高dV/dt和di/dt。然而，下桥臂电路中的快速切换会将瞬态电压耦合到栅极驱动电路，从而造成混乱或损坏，同时上桥臂栅极驱动器的信号和电源隔离还会受到应力影响。本文将探讨这些影响、解释如何减轻影响，以及评估应力和局部放电（PD）带来的损伤的实验结果。
2022-01-27
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IGBT和MOSFET该用谁？你选对了吗？
半导体功率器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT属于电压控制型开关器件，具有开关速度快、易于驱动、损耗低等优势。IGBT全称是绝缘栅极型功率管，是由双极型三极管（BJT）和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式半导体功率器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降两方面的优点。随着新能源汽车、智能家电、5G、轨道交通等行业的兴起，MOSFET和IGBT也迎来了发展的春天。
2022-01-26
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大功率二极管晶闸管知识连载——热特性
功率二极管晶闸管广泛应用于AC/DC变换器，UPS，交流静态开关，SVC和电解氢等场合，但大多数工程师对这类双极性器件的了解不及对IGBT的了解，为此我们组织了6篇连载，包括正向特性，动态特性，控制特性，保护以及损耗与热特性。内容摘来自英飞凌《双极性半导体技术信息》。
2022-01-26
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IGBT集电极电压超过额定电压会发生什么？
我们常常被告诫：实际应用中，IGBT集电极电压绝对不能超过额定值，否则器件有可能被击穿。然后有的同学并不死心：如果我只超了一点点呢，1210V就会击穿吗？如果只是一个非常短非常短，比如只有1us的脉冲呢？功率器件也没那么脆弱啊对不对？
2022-01-25
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功率半导体冷知识：IGBT短路结温和次数
英飞凌IGBT模块开关状态下最高工作结温一般是150度，而IGBT7短时过载情况下的最高工作结温可达175度。那么IGBT模块一辈子都可以生活在这样的舒适区享受人生吗？
2021-12-28
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大功率二极管晶闸管知识连载——保护
功率二极管晶闸管广泛应用于AC/DC变换器，UPS，交流静态开关，SVC和电解氢等场合，但大多数工程师对这类双极性器件的了解不及对IGBT的了解，为此我们组织了6篇连载，包括正向特性，动态特性，控制特性，保护以及损耗与热特性。内容摘来自英飞凌《双极性半导体技术信息》。
2021-12-25
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大功率二极管晶闸管知识连载——控制特性
功率二极管晶闸管广泛应用于AC/DC变换器，UPS，交流静态开关，SVC和电解氢等场合，但大多数工程师对这类双极性器件的了解不及对IGBT的了解，为此我们组织了6篇连载，包括正向特性，动态特性，控制特性，保护以及损耗与热特性。内容摘来自英飞凌《双极性半导体技术信息》。
2021-12-22
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