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多功能预驱动器，为中高电流驱动器提供全方位保护
关于IGBT／MOSFET预驱动器，相信做电机驱动或者大功率设备驱动的工程师都会有所了解，所谓预驱动器，其实就是将微控制器与IGBT／MOSFET隔离开来，为负载及驱动器提供保护，并为微控制器（MCU）提供诊断信息。这种预驱动器一般会使用运放，MOS或者三极管等搭建，在实现保护驱动器和微控制器的前提之下，还实现了将MOSFET的漏极-源极电压（VDS）与基准电压做比较，实现状态诊断；那么大家知道光耦其实还可以做IGBT／MOSFET的预驱动器么？东芝针对IGBT／MOSFET产品以及光耦应用技术深耕多年，这款针对中高电流IGBT／MOSFET的预驱动器——TLP5231，就是东芝半导体系列产品线的补充和完善。
2022-04-27
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如何正确理解功率循环曲线
近年来IGBT的可靠性问题一直受到行业的广泛关注，特别是风力发电、轨道交通等应用领域。IGBT的可靠性通常用以芯片结温变化为衡量目标的功率循环曲线和基板温度变化为衡量目标的温度循环曲线来评估。引起IGBT可靠性问题的原因主要是IGBT是由多种膨胀系数不同的材料焊接在一起，工作过程中温度的变化会引起结合点的老化，以及绑定线在工作过程中热胀冷缩；另外绑定线的成分，绑定工具的形状、绑定参数以及芯片的金属化焊接等因素都会影响IGBT的可靠性。
2022-04-20
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图腾柱无桥PFC中混合碳化硅分立器件的应用
现代尖端电力电子设备性能升级需要提升系统功率密度、使用更高的主开关频率。而现有硅基IGBT配合硅基FRD性能已无法完全满足要求，需要高性能与性价比兼具的主开关器件。为此，基本半导体推出的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合，为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的完美方案。
2022-04-01
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英飞凌650V混合SiC IGBT单管助力户用光伏逆变器提频增效
户用光伏每年装机都在高速增长，单相光伏逆变器功率范围基本在3~10kW，系统电路示意框图如图1所示，从光伏电池板经过逆变器中DC/DC，DC/AC电路实现绿电的能量转换，英飞凌能提供一站式半导体解决方案包括650V功率器件、无核变压器CT技术驱动IC、主控制MCU和电源管理芯片等。
2022-03-01
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集成驱动器！原来，GaN电源系统性能升级的奥秘在这里~
如今，以GaN和SiC为代表的第三代半导体技术风头正劲。与传统的半导体材料相比，GaN和SiC禁带宽度大、击穿电场强度高、电子迁移率高、热导电率大、介电常数小、抗辐射能力强……因此可实现更高的功率密度、更高的电压驱动能力、更快的开关频率、更高的效率、更佳的热性能、更小的尺寸，在高温、高频、高功率、高辐射等功率电子应用领域，不断在向传统的硅基IGBT和MOSFET器件发起强劲的冲击。
2022-02-17
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一文弄懂IGBT驱动
要了解什么是IGBT驱动，首先你需要了解什么是IGBT。我们都知道，电机驱动是IGBT的主要应用领域之一。
2022-02-11
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SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作
MOSFET和IGBT等电源开关元器件被广泛应用于各种电源应用和电源线路中。另外，所使用的电路方式也多种多样，除单独使用外，还有串联连接、并联连接等多种使用方法。
2022-02-11
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担心栅极驱动器的绝缘能力？采用'BIER'测试吧
最新的宽带间隙（WBG）半导体正走向最理想的状态，也就是具有高电压和低损耗的超快速切换，而现代的MOSFET和沟槽IGBT也可以有高dV/dt和di/dt。然而，下桥臂电路中的快速切换会将瞬态电压耦合到栅极驱动电路，从而造成混乱或损坏，同时上桥臂栅极驱动器的信号和电源隔离还会受到应力影响。本文将探讨这些影响、解释如何减轻影响，以及评估应力和局部放电（PD）带来的损伤的实验结果。
2022-01-27
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IGBT和MOSFET该用谁？你选对了吗？
半导体功率器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT属于电压控制型开关器件，具有开关速度快、易于驱动、损耗低等优势。IGBT全称是绝缘栅极型功率管，是由双极型三极管（BJT）和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式半导体功率器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降两方面的优点。随着新能源汽车、智能家电、5G、轨道交通等行业的兴起，MOSFET和IGBT也迎来了发展的春天。
2022-01-26
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大功率二极管晶闸管知识连载——热特性
功率二极管晶闸管广泛应用于AC/DC变换器，UPS，交流静态开关，SVC和电解氢等场合，但大多数工程师对这类双极性器件的了解不及对IGBT的了解，为此我们组织了6篇连载，包括正向特性，动态特性，控制特性，保护以及损耗与热特性。内容摘来自英飞凌《双极性半导体技术信息》。
2022-01-26
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IGBT集电极电压超过额定电压会发生什么？
我们常常被告诫：实际应用中，IGBT集电极电压绝对不能超过额定值，否则器件有可能被击穿。然后有的同学并不死心：如果我只超了一点点呢，1210V就会击穿吗？如果只是一个非常短非常短，比如只有1us的脉冲呢？功率器件也没那么脆弱啊对不对？
2022-01-25
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功率半导体冷知识：IGBT短路结温和次数
英飞凌IGBT模块开关状态下最高工作结温一般是150度，而IGBT7短时过载情况下的最高工作结温可达175度。那么IGBT模块一辈子都可以生活在这样的舒适区享受人生吗？
2021-12-28
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