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安森美SiC技术赋能AI数据中心，助力高能效电源方案
紧跟人工智能的算力步伐，全球数据中心正面临前所未有的能耗挑战。面对大模型训练、实时推理等场景带来的指数级能耗增长，全球领先的智能电源与感知技术供应商安森美（onsemi）正式推出《AI数据中心系统方案指南》，首次系统性展示其基于尖端碳化硅（SiC）技术的全链路电源解决方案，为下一代超算中心提供从电网接入到芯片供电的完整能效优化路径。
2025-06-25
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控制回路仿真入门：LTspice波特图分析详解
在电源设计中，控制回路的稳定性是确保电源可靠运行的关键。一个设计不当的控制回路可能导致电源振荡、输出纹波过大，甚至降低电磁兼容性（EMC）性能。此外，控制回路的响应速度直接影响到电源对负载变化和输入电压波动的适应能力。为了确保电源的稳定性和高效性，控制回路的仿真分析至关重要。
2025-06-25
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破局电动车续航！罗姆第4代SiC MOSFET驱动助力丰田bZ5性能跃迁
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，搭载了罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块，已应用于丰田汽车公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下简称“丰田”）面向中国市场的全新跨界纯电动汽车（BEV)“bZ5”的牵引逆变器中。
2025-06-24
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战略布局再进一步：意法半导体2025股东大会关键决议全票通过
意法半导体（STMicroelectronics，NYSE：STM）2025年股东大会于荷兰阿姆斯特丹圆满落幕，大会全票通过所有决议案。作为全球多重电子应用领域领导者，此次决议将为公司战略布局注入新动能。
2025-06-20
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从单管到并联：SiC MOSFET功率扩展实战指南
在10kW-50kW中高功率应用领域，SiC MOSFET分立器件与功率模块呈现并存趋势。分立方案凭借更高设计自由度和灵活并联扩容能力突围——当单管功率不足时，只需并联一颗MOSFET即可实现功率跃升，为工业电源、新能源系统提供模块之外的革新选择。
2025-06-19
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破解工业电池充电器难题：升压or图腾柱？SiC PFC拓扑选择策略
工业设备电动化浪潮下，电池充电器面临严苛挑战：需兼容120-480V宽压输入，在震动/粉尘/温变等恶劣条件下实现高效供电，同时满足尺寸重量极限压缩与无风扇散热需求。本文聚焦PFC级核心设计，对比升压与图腾柱拓扑的实战优劣，解析SiC MOSFET如何重构工业充电器性能边界。
2025-06-19
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高结温IC设计避坑指南：5大核心挑战与应对策略
在商业、工业及汽车电子领域，高温环境对集成电路的性能、可靠性和安全性构成严峻挑战。随着应用场景向极端温度条件延伸，高结温引发的漏电增加、寿命衰减等问题日益凸显，亟需通过创新设计技术突破技术瓶颈。本文将解析高温对集成电路的深层影响，揭示高结温带来的五大核心挑战，并探讨针对性的高功率设计解决方案。
2025-06-18
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高功率镀膜新突破！瑞典Ionautics HiPSTER 25电源首次运行
近日，瑞典 Ionautics 公司宣布其全新研发的 HiPSTER 25 紧凑型高性能高功率脉冲磁控溅射（HiPIMS）脉冲电源成功完成首次运行。Ionautics 成立于 2010 年，长期深耕于电离物理气相沉积领域， HiPSTER 25提供高达 25kW 功率，不仅重新定义了行业高效运行模式，还极大提升了性能与能量效率。
2025-06-13
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安森美SiC Cascode技术：共源共栅结构深度解析
碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）相比其他竞争技术具有一些显著的优势，特别是在给定芯片面积下的低导通电阻（称为RDS.A）。为了实现最低的RDS.A，需要权衡的一点是其常开特性，这意味着如果没有栅源电压，或者JFET的栅极处于悬空状态，那么JFET将完全导通。
2025-06-12
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低排放革命！贸泽EIT系列聚焦可持续技术突破
全球电子元器件及工业自动化产品授权代理商——贸泽电子(Mouser Electronics)，近日发布了其Empowering Innovation Together (EIT) 技术系列的新一期内容《低排放、再利用、重塑未来的技术》。本期EIT系列专注于探索那些能够改善环境的清洁技术，并提供面向未来的创新工程解决方案，旨在通过技术革新推动可持续发展的进程。
2025-06-11
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集成化栅极驱动IC对多电平拓扑电压均衡的破解路径
在新能源汽车主驱模块（如800V平台）中，多电平拓扑通过串联开关器件实现高压阶梯化处理，但分立式驱动方案面临两大核心挑战。
2025-06-10
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挑战极限温度：高温IC设计的环境温度与结温攻防战
在汽车引擎舱的200℃热浪中，或在深地钻探设备的极限工况下，集成电路（IC）的‘心脏’——半导体结温正面临前所未有的挑战。环境温度与结温的差值每扩大10℃，芯片寿命可能缩短一半。安森美（onsemi）的Treo平台的创新设计证明：通过材料革新（如SiC/GaN）与动态热管理，高温IC的可靠性可提升3倍以上。本文将揭示环境温度如何‘传导’为结温危机，并拆解工业级解决方案的底层逻辑。
2025-06-09
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