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【明天见】IIC Shanghai 2025：同期峰会论坛展商名单全攻略
【明天见】IIC Shanghai 2025：同期峰会论坛展商名单全攻略。
2025-03-26
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陶氏公司与Carbice公司合作，协力推进热界面材料创新发展
此次合作旨在将有机硅与碳纳米管(CNT)技术进行创新结合,以提升电子领域的产品性能及进一步增强应用可靠性
2025-03-25
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低成本变频技术赋能洗碗机 BLDC电机能效提升30%的解决方案
随着人们生活水平的提高，大型工商企业、事业单位及学校对大型商业厨具洗涤设备需求日趋增长。而传统大型厨具洗涤设备也在工业4.0的浪潮中不断更新换代，新一代洗碗机已经实现了高度自动化，可以通过传感器和控制系统实现自动进水、洗涤、漂洗、烘干等功能，不仅提高了生产效率，也降低了人为错误和交叉污染的风险。快报分析师推荐基于低成本MCU开发的变频洗碗机方案案例及其主控IC选型，极大降低BOM成本，方便工程师快速导入设计应用方案。
2025-03-25
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全球首款RGB-Mini LED电视售价27999元起
3月21日,2025年中国家电及消费电子博览会(AWE2025)期间,海信在上海世博中心举行“此刻是WALL”2025超旗舰新品发布会,正式发布了采用RGB-Mini LED和Micro LED两大创新技术路线的超旗舰新品UX系列。
2025-03-24
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贸泽联手Micron推出全新电子书带你探索面向AI边缘应用的创新内存解决方案与设计
专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子与Micron合作推出了全新电子书，探讨内存在AI边缘应用中的重要性，以及有效部署边缘人工智能 (AI) 的关键设计考虑因素。Micron是创新内存和存储解决方案的行业知名企业，在边缘计算、数据中心、网络连接和移动等关键市场领域，为AI、机器学习和自动驾驶汽车的发展提供支持。
2025-03-21
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乐鑫ESP32系列芯片被曝存在“后门”？官方紧急回应
近日，西班牙安全研究团队Tarlogic公开指出，乐鑫旗下ESP32系列芯片存在29条未记录的蓝牙指令，可能导致设备被远程控制、数据窃取甚至长期潜伏攻击。
2025-03-21
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意法半导体被评为2025年全球百强创新机构，已连续七年获此殊荣
服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM) 荣登2025年全球百强创新机构榜单。全球百强创新机构是世界领先的信息服务公司科睿唯安 (Clarivate) 发布的年度世界组织机构创新能力排行榜，上榜机构的技术研究创新能力必须居世界领先水平，公司战略以创新为核心。
2025-03-20
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深度剖析栅极驱动器IC在半桥拓扑电源转换中的选型指南与隔离设计
半桥拓扑结构广泛用于各种商业和工业应用的电源转换器件中。这种开关模式配置的核心是栅极驱动器IC，其主要功能是使用脉宽调制信号向高端和低端MOSFET功率开关提供干净的电平转换信号。
2025-03-19
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IIC Shanghai 2025 峰会论坛议程曝光，这些关键议题值得重点关注
本次大会深度聚焦绿色能源生态、中国IC设计创新、EDA/IP、Chiplet、宽禁带半导体等热门赛道，直击产业核心议题：AI与机器学习时代，IC设计的革新；高可靠、低延迟存储方案如何重塑智能汽车、AR/VR等场景的极致体验；Chiplet技术在多芯片封装的实践探索；绿色芯动力：可持续技术在IC设计中的崛起等，汇聚全球顶尖的半导体企业与创新力量，覆盖设计-制造-封测-应用，激发合作新思路，助力精准对接目标企业，共同推动全球半导体产业的繁荣发展。
2025-03-19
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富昌电子荣获Diodes授予的“2024年度亚洲最佳分销商奖”
中国上海–2025年3月13日–近日，全球知名的电子元器件授权代理商富昌电子（Future Electronics）荣获Diodes 公司颁发的“2024年度亚洲最佳分销商奖（Asia Best Distributor Award 2024）”。该奖项旨在表彰富昌电子在2024年度亚洲市场出色的业绩表现，及双方紧密的战略合作伙伴关系。
2025-03-18
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铠侠参展CFMS 2025：布局下一代先进存储，持续助力高能AI
3月12日，全球领先的存储解决方案提供商铠侠参展中国闪存市场峰会CFMS 2025/MemoryS 2025，在现场针对人工智能 AI应用提出了全新的存储解决方案，并预告了全新一代的QLC企业级与数据中心级SSD，以及下一代BiCS FLASH™，为云端计算、大模型加速，提供了高效、可靠的先进存储解决方案。
2025-03-18
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第17讲：SiC MOSFET的静态特性
商用的Si MOSFET耐压普遍不超过900V，而SiC拥有更高的击穿场强，在结构上可以减少芯片的厚度，从而较大幅度地降低MOSFET的通态电阻，使其耐压可以提高到几千伏甚至更高。本文带你了解其静态特性。
2025-03-17
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