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安森美半导体推出新晶闸管浪涌保护器件系列

2009年9月25日 – 全球领先的高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出新的超低电容晶闸管浪涌保护器件(TSPD)——NP-MC系列，保护敏感的电子设备免受瞬态过压情况下的影响。NP-MC系列器件的电容值比市场上现有产品低40%至50%，以极低的信号失真保护高速xDSL、T1/E1及其它宽带数据传输设备。

2009-09-29
过压、过流保护器件的选型和应用

电子元件技术网特邀保护器件专家讲述：小型熔断器的十大要素、好的熔断器应满足的条件、影响熔断器性能的六要素；TVS静电保护及滤波器件的选择，极间电容的选择，大功率TVS的应用等等问题来解读保护器件发展、选型、应用。同时还对社区内工程师实际遇到的电路保护热点问题进行总结，对实际的应用也是很有帮助的。

2009-09-25
泰科电子推出0201封装双向超低电容的SESD保护器件

泰科电子今日宣布其防静电（ESD）保护器件产品线上再添三款新品。其中0201尺寸的硅基ESD（SESD）器件比上一代0402型的器件大约缩小了70%，能够为手机、MP3播放器、PDA和数码相机等便携式电子产品提供保护和提高其可靠性。

2009-09-22
过流保护器件的浪涌测试

固态过流保护IC，比如USB和卡槽的电源开关，提供了一种简单、可靠的引脚保护方法，在生产测试或用户使用不当发生过载或短路时提供有效的系统保护。这些器件的保护能力并非没有限制，本文主要讨论了这些限制因素。

2009-08-28
正确选择合适的熔丝

一般而言，电路保护器件通常在电路设计中扮演着最不起眼的角色：人们通常都是在完成设计之后才想起它们，而且对其琐碎的电气特征不胜其烦。然而，我们目前在电路设计的早期阶段就必须开始考虑电路设计与选择合适的保护器件之间的关系，并且在整个设计过程中都要仔细处理这一问题。

2009-08-25
新一代过流保护器件制造工艺——薄膜技术

薄膜技术制造的芯片保险丝在熔断特性的稳定性和缩窄扩散方面具有类似的可预见属性。将这一成熟技术用在下一代过流保护安全器件的制造，则功率电子设计人员在设计新产品时可得到更高水平的安全和性能。

2009-08-13
STBP120:意法半导体一体式保护器件

意法半导体（纽约证券交易所代码：STM）推出一款新的手机和移动设备充电器保护IC，新产品可降低消费者购买新设备后丢弃的大量的废弃充电器对环境的影响。

2009-07-29
MAX11080：Maxim电池保护器件为混合动力车和电动车节省80%的BMS成本

Maxim推出用于多节锂离子(Li+)电池组的高压、12通道电池保护IC MAX11080。该器件是市面上首个可级联的故障监测器，提供额外的电池监测功能，防止Li+电池发生爆炸(过热)。可将最多31个MAX11080菊链连接，以监测多达372节电池。该功能可以防止发生电气级联故障，并省去了分立方案所需的昂贵的隔离器件。在典型的混合动力车应用中，Maxim的方案能够降低80%的电池管理系统(BMS)成本。

2009-07-29
高频率应用下的电路保护

本文介绍高速数据线路的对保护器件的要求，以及PESD器件的特点与应用

2009-07-16
PEP01-5841：ST以太网供电设备用集成保护电路器件

意法半导体推出全新的符合以太网供电标准的单片电涌保护器件，可以抑制包括静电放电（ESD）在内的高压电涌，有助于简化以太网供电设备的设计。意法半导体的PEP01-5841保护芯片用于保护电源设备（PSE），例如通过以太网电缆提供48V电压的PoE以太网交换机或集线器。

2009-07-08
ESD11N/B：安森美超小型无引脚封装的ESD保护器件

安森美半导体采用这新型封装的首批产品是ESD11N5.0ST5G和ESD11B5.0ST5G\。这最新ESD产品系列非常适用于保护如手机、MP3播放器、个人数字助理(PDA)和数码相机等极之讲究电路板空间的便携应用中的数据线路。

2009-06-23
电路保护元件设计和结构发展趋势

电力电子产品对可靠性和安全性的要求日益提高，更小，更好，更快是电路保护器件发展方向的趋势。阵列技术，集成技术，引线式元件向表面安装设计技术是技术的突破点。

2009-06-12

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