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使用 IGBT模块简化电机驱动装置和逆变器的设计
电机和逆变器的使用在工业自动化、机器人、电动汽车、太阳能、白色家电和电动工具等应用中日渐增长。随着这种增长是对提高效率、降低成本、缩小封装和简化整体设计的需求。虽然使用分立式绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 设计定制电机和逆变器功率电子器件以满足特定要求很有诱惑力，但从长远来看，这样做的成本很高，而且会延误设计进度。
2020-12-28
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具有集成式驱动器和自我保护功能的GaN FET如何实现下一代工业电源设计
氮化镓(GaN)半导体的物理特性与硅器件不相上下。传统的电源供应器金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅极双极晶体管(IGBT)只有在牺牲效率、外形尺寸和散热的前提下才能提高功率密度。
2020-12-16
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更高能效、稳定可靠的工业驱动模块和开箱即用的电机开发套件
功率集成模块(PIM)被广泛用于驱动、泵、暖通空调 (HVAC)、能源转换等各个领域，实现对能源的调制及高效利用。安森美半导体的创新的压铸模PIM (TMPIM)，集成最佳的IGBT / FRD技术，采用可靠的基板和环氧树脂压铸模技术，比普通的凝胶填充功率模块提高热循环使用寿命10倍，提高功率回环使用寿命3倍，有利于逆变器系统实现更高能效、更长的使用寿命及更高可靠性，适用于工业电机驱动、泵、风扇、热泵、HVAC、伺服控制等多种应用。
2020-12-09
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隔离式栅极驱动器的峰值电流
当考虑使用何种栅极驱动器时，一个常见问题是：驱动器可以提供的峰值电流是多少？峰值电流是栅极驱动器数据手册中最重要的参数之一。此指标一般被视为决定栅极驱动器驱动强度的终极因素。MOSFET/IGBT的导通、关断时间与栅极驱动器可以提供的电流有关，但并不能说明全部问题。峰值电流一词在业界使用非常普遍，许多栅极驱动器数据手册的标题中包含这一术语。尽管如此，其定义还是会因器件而异。本文讨论为特定应用选择栅极驱动器时使用峰值电流作为决定性因素的问题，并比较数据手册中一些较常见的峰值电流表示形式。本文对标题中峰值电流数值相似的栅极驱动器进行了比较，并对栅极驱动强度做了讨论。
2020-12-02
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双电压整流电路设计，IGBT模块适用于整流电路吗？
不用两个整流桥。用一个即可，把2个18伏交流接到整流桥的交流输入端，把变压器抽头0伏接地线（线路板的地线），整流桥直流输出+ -端接电容器滤波，电容器2个串联之后正极接整流桥正极+，电容器负极接整流桥负极-，2个串联的电容器中间引出一根线接地线，也就是双18伏交流的抽头，这样就可以在直流输出端得到正负20伏的双电源了。
2020-11-26
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GaN基电源性能的简易测试技术
今天，大多数电源路线图都将GaN晶体管作为一个关键平台集成到其中。与Si-mosfet、igbt和SiC-mosfet相比，GaN晶体管的优点意味着工程师们正在将它们广泛地设计到他们的系统中。然而，GaN晶体管在开关电源中的这些进步也使得表征这些电源的性能变得越来越具有挑战性。在半桥上测量高边VGS是诊断晶体管交叉导通的一种传统方法，对于基于GaN的设计来说是一项艰巨的任务。典型的解决方案是使用高成本的测量设备，这并不总是产生有用的结果。本文介绍了一种利用GaN晶体管的独特特性测量交叉导通的简单而经济的方法。
2020-11-03
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如何使用Fly-buck为低电压、低功耗工业应用供电
有些工业应用中包含分支电路，需要小型电源为跨隔离边界的噪声敏感型电路供电。在 PLC、数据采集以及测量设备等应用中，该隔离边界可提供抗噪功能。需要这种隔离式电源的典型分支电路包括隔离式 RS-232 和 RS-485 通信通道、线路驱动器、隔离式放大器、传感器以及 CAN 收发器。此外，我们在其它应用中也发现了类似的电源需求，它们需要隔离式电源为 IGBT 提供栅极驱动器电源，而且在一些医疗应用中也需要隔离技术来确保安全性。
2020-09-18
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电动汽车空调的一项关键技术——IGBT
ROHM的RGS系列是符合AEC-Q101标准、且具有1200V 和650V宽耐压范围的IGBT产品。该系列具有更低的传导损耗，有助于提高应用产品的效率并实现小型化，是电动压缩机的逆变器和高压加热器的更佳选择。
2020-08-10
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门极驱动器方案–––即插即用快速评估和测试
电力电子在当今世界无处不在：半导体的隐藏功能，可实现广泛应用，从家电和消费品到数据处理和无线网络，再到日趋电子化的汽车。电力电子系统以极高能效在交流和直流形式之间以及直流电压之间转换电力，从而使更多的电能流向最终应用。电源转换的主要动力是开关：功率MOSFET、IGBT、宽禁带(WBG)半导体器件、SiC MOSFET和氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。在大多数拓扑中，这些晶体管以kHz至MHz的频率开和关。
2020-08-10
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一文掌握 GaN 器件的直接驱动配置！
在设计开关模式电源时，主要品质因数（FOM）包括成本、尺寸和效率。[1]这三个FOM是耦合型，需要考虑诸多因素。例如，增加开关频率可减小磁性元件的尺寸和成本，但会增加磁性元件的损耗和功率器件中的开关损耗。由于GaN的寄生电容低且没有二极管反向恢复，因此与MOSFET和IGBT相比，GaN HEMT具有显著降低损耗的潜力。
2020-08-07
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新型功率开关技术和隔离式栅极驱动器不断变化的格局
基于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等材料的新型功率开关技术的出 现促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技术的传统系 统。更高的开关频率将减小元件尺寸，从而减小成本、系统尺 寸和重量；这些是汽车和能源等市场中的主要优势。新型功率 开关还将促使其控制元件发生变化，其中包括栅极驱动器。本 文将探讨GaN和SiC开关与IGBT/MOSFET的一些主要差异，以及栅 极驱动器将如何为这些差异提供支持。
2020-08-04
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如何利用IGBT技术实现反并联二极管的正确设计？
反并联二极管的正确设计需要考虑各种因素。其中一些与自身技术相关，其它的与应用相关。但是，正向压降Vf 、反向恢复电荷Qrr 以及Rth与Zth散热能力 终将构成一种三角关系。
2020-07-27
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