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MAX44251：Maxim推出超高精度、低噪声双路运算放大器用于高压应用
Maxim Integrated Products推出20V、超高精度、低噪声双路运算放大器MAX44251，可有效延长系统运行时间，获得最佳的传感器性能。专有的自归零技术能够实现连续自校准，进而在时间、温度和电源电压发生变化时确保系统精度。
2011-11-18
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APEI HT2000：罗姆与APEI联合开发出高速、大电流的SiC沟槽MOS模块
日本知名半导体制造商罗姆株式会社日前面向EV、HEV车（电动汽车、混合动力车）及工业设备，与拥有电力系统和电源封装技术的Arkansas Power Electronics International（APEI）公司联合开发出搭载了SiC沟槽MOS的高速、大电流模块“APEI HT2000”。
2011-11-18
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AK15系列:Littelfuse新推瞬态电压抑制器
14日消息，Littelfuse 公司于近日宣布推出瞬态电压抑制器(TVS)AK15系列。
2011-11-17
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IRGPS406xDPbF：IR扩充坚固耐用、可靠的超高速600V IGBT用于焊接应用
全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日扩充坚固耐用、可靠的超高速 600 V 沟道绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列，为不间断电源 (UPS) 、太阳能、工业用电机及焊接应用推出IRGPS4067DPbF 和IRGP4066DPbF器件。
2011-11-17
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一种车载智能电源的设计
智能交通系统(IntelligentTransportSystem,简称ITS) 研究领域，是未来交通系统的发展方向，其是将先进的信息技术、数据通讯传输技术、电子传感技术、控制技术及计算机技术等有效地集成运用于整个地面交通管理系统而建立的一种在大范围内、全方位发挥作用的，实时、准确、高效的综合交通运输管理系统。
2011-11-16
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连网电视出货比例2015年可超过五成
DisplaySearch 最新公布的报告(Quarterly TV Design and Features Report)指出，2011年全球将有超过27%的电视具备连网功能，该比例到2015年将上升为54%，出货量达到15500万台。其中拉丁美洲地区 2011年有16%的电视机具备连网功能。
2011-11-16
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SynQor取得补充赔偿金 部分被告受到制裁
SynQor宣布，在其对行业供应商提起的关于中间总线架构中使用的开环和半调整总线转换器的专利诉讼案中（SynQor公司诉Artesyn科技公司等），美国德克萨斯州东区地方法院裁定SynQor有权取得11,875,548美元补充赔偿金。
2011-11-15
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LTC4415:Linear新推双通道、单片4A低损耗PowerPath理想二极管
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出单片双通道4A电源通路 (PowerPath) 理想二极管LTC4415，该器件为减少热量、压降和占用的电路板空间而设计，同时可在电源切换电路中延长电池运行时间。
2011-11-15
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OSRAM扩大版图进一步加强于照明方案市场实力
OSRAM AG(欧司朗)自2011年11月9日起已经从合资企业伙伴收购Traxon Technologies, Ltd.(简称Traxon)的剩余股份。透过是次收购，OSRAM进一步加强其在增长迅速的专业LED照明解决方案市场的实力。
2011-11-14
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ISL78228：Intersil推出面向汽车应用的双通道同步降压稳压器
全球高性能模拟混合信号半导体设计和制造领导厂商Intersil公司宣布，今天推出一款节省空间和通过了AEC-Q100认证的双通道同步降压直流/直流稳压器---ISL78228，其2.25MHz的开关频率有助于将产品尺寸降到最小化。
2011-11-11
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Vishay发布采用SurfLight表面发射器技术的850nm红外发射器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出两款采用该公司的SurfLight表面发射器技术制造的850nm红外(IR)发射器--- VSMY7852X01和VSMY7850X01，扩大其光电子产品组合。VSMY7852X01和VSMY7850X01采用高功率Little Star®封装，占位为6.0mm x 7.0mm x1.5mm，具有超群的高驱动电流、发光强度和光功率，同时具有低热阻系数。
2011-11-11
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LED驱动设计5大关键点
这主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA,300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W,当然会引起芯片的发热。驱动芯片的最大电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为I=cvf（考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf,其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，必须想办法降低c、v和f.如果c、v和f不能改变，那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入额外的功耗。再简单一点，就是考虑更好的散热吧。
2011-11-11
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