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意法半导体公布2024年第四季度及全年财报
服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM) 公布了按照美国通用会计准则 (U.S. GAAP) 编制的截至2024年12月31日的第四季度财报。此外，本新闻稿还包含非美国通用会计准则的财务数据 (详情参阅附录)。
2025-02-07
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MD&M West展会：Micro Crystal携创新定时元件，共绘医疗科技新蓝图
在医疗科技日新月异的今天，每一次创新都可能引领行业的未来。2025 年 2 月 4 日至 6 日，美国加州阿纳海姆将迎来第 40 届 MD&M West 医疗展会，这场汇聚全球医疗技术精英的盛会，正是 Micro Crystal 瑞士微晶展示其技术实力与行业承诺的舞台。
2025-02-06
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解锁AI设计潜能，ASO.ai如何革新模拟IC设计
在当今科技飞速发展的时代，半导体行业作为众多前沿技术的基石，正面临着前所未有的机遇与挑战。随着电子系统越来越复杂，芯片电路设计也变得更为复杂，这导致了更长的设计周期、更高的开发成本以及更大的错误风险。
2025-02-01
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贸泽电子新品推荐：2024年第四季度推出超过10,000个新物料
致力于快速引入新产品与新技术的业界知名代理商贸泽电子 (Mouser Electronics)，首要任务是提供来自1,200多家知名厂商的新产品与技术，帮助客户设计出先进产品，并加快产品上市速度。贸泽旨在为客户提供全面认证的原厂产品，并提供全方位的制造商可追溯性。
2025-01-29
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使用MSO 5/6内置AWG进行功率半导体器件的双脉冲测试
SiC器件的快速开关特性包括高频率，要求测量信号的精度至少达到100MHz或更高带宽 (BW)，这需要使用额定500MHz或更高频率的示波器和探头。在本文中，宽禁带功率器件供应商Qorvo与Tektronix合作，基于实际的SiC被测器件 (DUT)，描述了实用的解决方案。
2025-01-26
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MOS管在开关电源中的核心作用及其关键性能参数对设计的影响
金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称MOSFET)是现代电子技术中不可或缺的元器件之一，在开关电源设计中扮演着至关重要的角色。开关电源作为现代电力转换和管理的核心组件，其性能与效率在很大程度上依赖于MOS管的选择与应用。本文将深入探讨MOS管在开关电源中的具体作用，并剖析其关键性能参数对电源整体性能的影响。
2025-01-25
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功率器件热设计基础（十三）——使用热系数Ψth(j－top)获取结温信息
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
2025-01-24
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意法半导体荣膺 2025 年全球杰出雇主认证
服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM) 首次被Top Employers Institute评选为2025年全球杰出雇主。
2025-01-24
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第14讲：工业用NX封装全SiC功率模块
三菱电机开发了工业应用的NX封装全SiC功率模块，采用低损耗SiC芯片和优化的内部结构，与现有的Si-IGBT模块相比，显著降低了功率损耗，同时器件内部杂散电感降低约47%。
2025-01-24
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基于 SiC 的三相电机驱动开发和验证套件
工业电机驱动器涵盖广泛的应用，从低压工业驱动器（例如风扇、泵和传送带、热泵和空调）以及伺服驱动器。据估计，这些通常由交流电源驱动的电动机占工业用电量的 70-80%。因此，人们有强烈的动机来提高这些驱动器的效率。即使该参数的微小改进也能在节省能源和成本方面产生深远的影响。国际电化学委员会 (IEC) 为电机和集成电机驱动器制定了各种效率标准。例如，现在主要国家都要求采用IE3标准。在欧盟，额定输出功率在 75 kW 至 200 kW 之间的电机需要符合 IE4 标准。
2025-01-21
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贸泽与TE Connectivity 和Microchip Technology联手推出聚焦汽车Zonal架构的电子书
贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布与全球连接器和传感器知名制造商TE Connectivity以及Microchip Technology合作推出全新电子书，深入探讨Zonal架构如何帮助设计师跟上汽车系统日益复杂化的步伐，以及它如何从根本上改变车辆构造。
2025-01-17
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用第三代 SiC MOSFET设计电源性能和能效表现惊人！
在各种电源应用领域，例如工业电机驱动器、AC/DC 和 DC/DC 逆变器/转换器、电池充电器、储能系统等，人们不遗余力地追求更高效率、更小尺寸和更优性能。性能要求越来越严苛，已经超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力，因而基于碳化硅 (SiC) 的新型晶体管架构应运而生。
2025-01-17
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