英飞凌推出最低硬开关通态电阻的CoolMOS C7技术

英飞凌科技股份公司推出采用全新650V超结MOSFET技术的CoolMOSTM C7，为硬开关应用带来全球最低的通态电阻.C7快速开关性能可使客户服务器PFC级首次实现100 kHz以上开关频率，同时达到钛级能效。这可降低对无源组件空间要求，从而提高功率密度。

2013-05-21

什么是开关电源？

开关的词语解释为开启和关闭。它还是指一个可以使电路开路、使电流中断或使其流到其他电路的电子元件。目前，开关电源在当代的应用可谓是越来越广泛，开关电源是值得我们好好学习的，现在我们就深入了解开关电源。

2013-05-21

单联双控开关

目前，单联双控开关在当代的应用可谓是越来越广泛，单联双控开关是值得我们好好学习的。现在我们就深入了解VG 无功补偿装置希望本文能对各位读者有比较大的参考价值。

2013-05-19

安森美推出降低30%开关损耗的截止型IGBT器件

近日，安森美半导体推出新的第二代场截止型(FSII)IGBT器件，降低开关损耗达30%，因而提供更高能效，并转化为更低的外壳温度，为设计人员增强系统总体性能及可靠性的选择。这些新器件针对目标应用进行了优化，相比现有器件能降低外壳温度达20%。

2013-05-16

SICK推出电容式接近开关CM12

CM12电容式接近开关针对各种非金属测量应用进行了优化，其外壳尺寸为直径12mm，但检测距离却能达8mm，节省了安装空间之余还拓宽了其应用范围。

2013-05-16

SICK推出新一代方型电感式接近开关IQ08/10/12

新一代IQ 系列方型电感式接近开关，提供IQ08，IQ10 以及IQ12 三种规格，在产品性能上继续延续上一代产品的优点，还引入了多项技术以提高产品稳定性和可靠性应对恶劣环境应用。

2013-05-16

孰优孰劣:氮化镓场效应晶体管VS硅功率器件?

工程师常常认为当应用需要更高电压时，使用氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)在性能方面才更具优势。但是，如果只是考虑开关品质因数，相比先进的MOSFET器件，200V的eGaN FET器件的优势好像减弱了。GaN场效应晶体管与硅功率器件中低压降压转换器应用中的性能到底怎样？且听本文细细分解。

2013-05-16

仅有120ns最大传播延迟的门驱动光电耦合器

近日，Avago Technologies推出二组新高速门驱动光电耦合器产品ACPL-P/W345和ACPL-P/W346，这些器件在设计上为用来保护和驱动功率MOSFET或碳化硅MOSFET的1A和2.5A门驱动光电耦合器，适合如变频器、电机控制和开关电源(SPS)等高频率应用。相较于Avago前一代产品，ACPL-P/W345和ACPL-P/W346在传播延迟上减低了一半。

2013-05-15

硅功率MOSFET前景堪忧？

30年前硅功率MOSFET的出现使市场快速接受开关电源，硅功率MOSFET成为很多应用的必选功率器件。近些年来，MOSFET不可避免地进入到性能瓶颈期；然而与此同时，增强型GaN HEMT器件在开关性能和整个器件带宽有突破性改善，迅速占领市场。硅功率MOSFET在电源转换领域的发展已经走到尽头了吗？

2013-05-15

第三讲：基于MOSFET的高能效电源设计

通过结合改进的电源电路拓扑和概念与改进的低损耗功率器件，开关电源行业在提高功率密度、效率和可靠性方面，正在经历革新性发展。MOSFET是中低电压电源应用的首选功率器件，可以提高沟槽密度，并无需JFET阻抗元件，因此能够使特征导通阻抗降低30%左右，降低同步整流的能量损耗，极大的提高了电源能效。

2013-05-14

负荷开关的作用

2013-05-13

ST、英飞凌齐推超结MOSFET 皆青睐TO247-4封装技术

近日，意法半导体（ST）推出首款MDmesh V超结MOSFET晶体管，扩大其高能效功率产品阵容。该产品采用了创新的4针封装，增加专用控制输入。新封装技术可提高白色家电、电视、个人电脑、电信设备和服务器开关电源等设备的功率电路能效。

2013-05-11