SICK推出电容式接近开关CM12

CM12电容式接近开关针对各种非金属测量应用进行了优化，其外壳尺寸为直径12mm，但检测距离却能达8mm，节省了安装空间之余还拓宽了其应用范围。

2013-05-16

SICK推出新一代方型电感式接近开关IQ08/10/12

新一代IQ 系列方型电感式接近开关，提供IQ08，IQ10 以及IQ12 三种规格，在产品性能上继续延续上一代产品的优点，还引入了多项技术以提高产品稳定性和可靠性应对恶劣环境应用。

2013-05-16

孰优孰劣:氮化镓场效应晶体管VS硅功率器件?

工程师常常认为当应用需要更高电压时，使用氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)在性能方面才更具优势。但是，如果只是考虑开关品质因数，相比先进的MOSFET器件，200V的eGaN FET器件的优势好像减弱了。GaN场效应晶体管与硅功率器件中低压降压转换器应用中的性能到底怎样？且听本文细细分解。

2013-05-16

仅有120ns最大传播延迟的门驱动光电耦合器

近日，Avago Technologies推出二组新高速门驱动光电耦合器产品ACPL-P/W345和ACPL-P/W346，这些器件在设计上为用来保护和驱动功率MOSFET或碳化硅MOSFET的1A和2.5A门驱动光电耦合器，适合如变频器、电机控制和开关电源(SPS)等高频率应用。相较于Avago前一代产品，ACPL-P/W345和ACPL-P/W346在传播延迟上减低了一半。

2013-05-15

硅功率MOSFET前景堪忧？

30年前硅功率MOSFET的出现使市场快速接受开关电源，硅功率MOSFET成为很多应用的必选功率器件。近些年来，MOSFET不可避免地进入到性能瓶颈期；然而与此同时，增强型GaN HEMT器件在开关性能和整个器件带宽有突破性改善，迅速占领市场。硅功率MOSFET在电源转换领域的发展已经走到尽头了吗？

2013-05-15

第三讲：基于MOSFET的高能效电源设计

通过结合改进的电源电路拓扑和概念与改进的低损耗功率器件，开关电源行业在提高功率密度、效率和可靠性方面，正在经历革新性发展。MOSFET是中低电压电源应用的首选功率器件，可以提高沟槽密度，并无需JFET阻抗元件，因此能够使特征导通阻抗降低30%左右，降低同步整流的能量损耗，极大的提高了电源能效。

2013-05-14

负荷开关的作用

2013-05-13

ST、英飞凌齐推超结MOSFET 皆青睐TO247-4封装技术

近日，意法半导体（ST）推出首款MDmesh V超结MOSFET晶体管，扩大其高能效功率产品阵容。该产品采用了创新的4针封装，增加专用控制输入。新封装技术可提高白色家电、电视、个人电脑、电信设备和服务器开关电源等设备的功率电路能效。

2013-05-11

电吹风电路图

日常生活中，电吹风是必备品，电吹风的规格大小，主要按电功率划分，常用的规格有250瓦、350瓦、450瓦、550 瓦、850瓦、1000瓦，1200瓦等。电吹风虽然在型式、款式和大小上有很大差别，但它们的内在结构大体相同，主要由电动机和它的驱动风叶、发热元件及电器控制开关件三大部分组成。电动机、风叶和外壳结构件结合起来，便形成一部微型的吹风机。

2013-05-11

电路规律和电路功率

电流流过的回路叫做电路，又称导电回路。最简单的电路，是由电源，负载，导线，开关等元器件组成。电路有其一定的电路定律。下面我们就一起来看看电路的内容吧。 电路

2013-05-11

基于UCC27531的电源开关驱动设计

德州仪器UCC27531单通道栅极驱动器可以非常靠近电源开关栅极放置。相比在一块单IC中组合高侧/低侧栅极驱动器，它的灵活度更高，可帮助最小化驱动器和电源开关之间的电感，并让设计人员能够更好地控制开关栅极。

2013-05-09

SiC BJT：比同类产品实现高达40%的输出功率提升

飞兆半导体最近推出的碳化硅(SiC)双极结型晶体管(BJT)将成为IGBT的下一个替代技术，它可以在更高的温度下转换更高的电压和电流。SiC BJT允许更高的开关频率，传导和开关损耗降低(30-50%)，从而能够在相同的尺寸的系统中实现高达40%的输出功率提升。

2013-05-08