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安森美与舍弗勒强强联手，EliteSiC技术驱动新一代PHEV平台
安森美（onsemi）与驱动技术领军企业舍弗勒（Schaeffler）进一步深化技术合作，双方在最新中标项目中采用安森美新一代EliteSiC碳化硅MOSFET产品系列。该方案将应用于舍弗勒主驱逆变器，为全球知名汽车制造商的先进插电式混合动力电动汽车（PHEV）平台提供核心动力支持。此次合作标志着碳化硅技术在新能源车载系统中的关键落地，助力PHEV性能与能效双重升级。
2025-08-01
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从IGBT到GaN：10kW串式逆变器设计的关键要点与性能优势解析
随着全球对能源可持续性与安全性的关注升温，住宅太阳能储能系统需求持续攀升。当前市场上，2kW级微型逆变器已实现集成储能功能，而更高功率场景则需依赖串式逆变器或混合串式逆变器。本文聚焦基于TI GaN FET的10kW单相串式逆变器设计，探讨其技术优势与核心设计要点，为住宅太阳能应用提供高能效、高密度的解决方案参考。
2025-07-16
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安规电容技术全景图：从安全设计到国产替代突围
安规电容作为电子系统的安全防线，以金属化聚丙烯薄膜或陶瓷介质为核心，确保失效时绝不引发触电风险。随着新能源汽车800V平台普及，新一代安规电容正向1000V耐压与集成化滤波演进，为光伏逆变器、EV充电桩等高危场景筑牢电气安全基座。
2025-07-10
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200kHz开关频率破局！Wolfspeed联合恩智浦推出牵引逆变器解决续航焦虑
Wolfspeed与恩智浦（NXP）联合推出业界首款经过全面验证的800V牵引逆变器参考设计，为电动汽车行业注入关键技术动能。面对汽车行业加速向零排放转型的需求，该设计通过集成动态栅极强度调节技术与碳化硅（SiC）功率模块，直击效率提升、功能安全及长期可靠性三大核心痛点，助力车企快速开发出性能媲美甚至超越燃油车的差异化电动车型。
2025-07-09
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破局电动车续航！罗姆第4代SiC MOSFET驱动助力丰田bZ5性能跃迁
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，搭载了罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块，已应用于丰田汽车公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下简称“丰田”）面向中国市场的全新跨界纯电动汽车（BEV)“bZ5”的牵引逆变器中。
2025-06-24
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不同拓扑结构中使用氮化镓技术时面临的挑战有何差异？
氮化镓（GaN）器件因其高开关频率、低导通损耗的特性，正在快速渗透消费电子、汽车电驱和数据中心等领域。然而，不同拓扑结构对GaN器件的需求呈现显著差异：例如快充领域的LLC谐振拓扑需要高频率下的电磁干扰控制，而车载双向逆变器更关注动态电阻与耐压性能。本文将深入分析半桥拓扑、双向逆变拓扑、多电平拓扑及汽车主驱模块中的氮化镓技术痛点，揭示材料特性与系统设计间的矛盾性关系。
2025-06-10
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从光伏到充电桩，线绕电阻破解新能源设备浪涌防护难题
线绕电阻凭借高可靠性、耐脉冲电流及宽温域性能，成为新能源与交通领域关键电子元件。在光伏逆变器中限制直流侧电容充电电流，于风电变流器Crowbar电路吸收电网故障能量，为电动汽车BMS提供±0.1%精度的四线制电流检测，并在快充桩中实现紧急泄放储能。其抗震设计（10G加速度）、10万小时寿命及-55℃~175℃耐温特性，保障极端工况下的系统安全，成为新能源设备抵御浪涌冲击、延长服役周期的核心防护器件，助力绿色能源转型。
2025-05-22
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800V牵引逆变器：解锁电动汽车续航与性能跃升的工程密钥
在全球电动汽车年销量突破3000万辆的产业拐点（据BloombergNEF 2025年数据），续航焦虑与性能衰减仍是制约市场渗透率的核心痛点。作为电驱系统的"心脏"，牵引逆变器正通过材料革命与架构创新，推动电动汽车实现NEDC工况下750km续航与百万公里级耐久性的双重突破。这场由800V高压平台引领的技术变革，正在重构电动汽车的价值链竞争力。
2025-05-12
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一文读懂运动控制驱动器的技术逻辑
电动驱动器是一种通过控制设备来调节电动机操作的系统。驱动器的主要任务是管理电能（以及气动和气动）转换为机械能（线性，旋转，振荡或其他类型的运动），并针对特定应用进行了优化。它们由几个组件组成，包括电动机，伺服电动机，步进电动机，逆变器，传感器和控制系统。
2025-05-09
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金海迪电子携0.5mm超薄贴片器件亮相深圳电子展 定义新能源磁性元件新标杆
2025年4月10日，深圳会展中心9号馆内，潍坊金海迪电子有限公司（展位9C515）以全球首发姿态引爆第105届中国电子展。作为高频贴片磁性器件领域的隐形冠军，这家国家级高新技术企业重磅推出厚度仅0.5mm的SMD-8015型超薄贴片电流互感器，其突破性的±0.3%检测精度和125℃高温耐受性能，直击微型逆变器与储能设备微型化痛点。展台上，由全自动化产线打造的PT-3200系列贴片变压器同步亮相，以30%的体积压缩比和医疗级可靠性标准，向全球客商演绎中国精密电子元件的"硬核科技"进阶之路。
2025-04-10
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为什么碳化硅Cascode JFET 可以轻松实现硅到碳化硅的过渡？
电力电子器件高度依赖于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）等半导体材料。虽然硅一直是传统的选择，但碳化硅器件凭借其优异的性能与可靠性而越来越受欢迎。相较于硅，碳化硅具备多项技术优势（图1），这使其在电动汽车、数据中心，以及直流快充、储能系统和光伏逆变器等能源基础设施领域崭露头角，成为众多应用中的新兴首选技术。
2025-03-11
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传输晶体管逻辑简介
流经通道的电流问题会导致典型 CMOS 功能的一个更微妙但至关重要的方面。 CMOS 反相器确保输出节点与电源轨或地具有低电阻连接；反相器总是NMOS导通、PMOS截止或PMOS导通、NMOS截止。这就是为什么我们可以说 CMOS 电路驱动逻辑低或逻辑高。这也是为什么围绕逆变器拓扑构建的逻辑电路如此可靠的“数字”——所有节点都具有明确定义的二进制状态，因为它们始终具有通向电源电压或接地的低电阻路径。
2025-02-11
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