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仿真看世界之SiC MOSFET单管的并联均流特性
关于SiC MOSFET的并联问题，英飞凌已陆续推出了很多技术资料，帮助大家更好的理解与应用。此文章将借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境，分析SiC MOSFET单管在并联条件下的均流特性。
2021-10-17
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让我们看看升压型稳压器是如何造就兼具升压和降压能力的扁平状SEPIC的？
汽车、分布式电源和电池供电型应用的工作电压常常取自一个宽的可变总线电压。工作电压经常位于总线电压范围中间的某个数值上，例如汽车工作电压为12V，总线电压为4V至18V。这些应用需要采用一个能够根据总线电压进行升压或降压操作的DC/DC转换器。
2021-10-13
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如何实现伽马光子辐射检测器的设计
这篇文章主要讨论了实现伽马光子辐射检测器的设计注意事项，原理图和组件选择。该设计由一个PIN光电二极管，四个低噪声运算放大器和一个比较器组成，该比较器能够检测伽马辐射的各个光子。
2021-09-12
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仿真看世界之650V混合SiC单管的开关特性
英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管，取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
2021-09-08
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Digi-Key开售Red Pitaya的@HOME套件，将实验室练习带到远程或居家环境中
Digi-Key Electronics 拥有全球品类极为丰富并且能够立即发货的现货库存电子元件，日前宣布已与 Red Pitaya 公司建立全球分销合作伙伴关系，将分销其 @HOME 套件。该套件提供了多功能性和便携性，可以将实验室练习带到远程或居家环境中，是远距离或者居家工作的教授和学生们的理想选择。
2021-09-02
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英特尔面向 CPU、GPU 和 IPU发布了重大技术架构的改变和创新
在 2021 年英特尔架构日上，英特尔公司高级副总裁兼加速计算系统和图形事业部总经理 Raja Koduri 携手多位英特尔架构师，全面介绍了两种全新 x86 内核架构的详情；英特尔首个性能混合架构，代号“Alder Lake”，以及智能的英特尔® 硬件线程调度器；专为数据中心设计的下一代英特尔® 至强® 可扩展处理器 Sapphire Rapids；基础设施处理器（IPU）；即将推出的显卡架构，包括 Xe HPG 微架构和 Xe HPC 微架构，以及 Alchemist SoC, Ponte Vecchio SoC。
2021-08-22
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固定增益双端口G类差分放大器设计
ISL1561是固定增益双端口G类差分放大器设计，与AB类放大器相比，可在降低功耗的情况下驱动ADSL2 +和VDSL2。线路驱动器采用+ 12V至+ 14V单电源供电，并且在检测到升压时会产生较高的电源电压。静态电流可以通过3引脚串行端口接口（SPI）用12位命令进行编程。
2021-08-17
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齐纳、PIN、肖特基和变容二极管的基础知识及其应用
虽然传统的硅二极管或锗二极管在大多数电子应用中可以很好地作为整流器和开关元件使用，但它们不具备电子微调、电子衰减、低损耗整流、基准电压生成等功能。最初，我们使用更原始、成本更高且体积更大的“蛮力”方法来完成这些任务。这些方法现在已经让位于更精巧的特殊用途二极管，包括变容二极管、PIN 二极管、肖特基二极管和齐纳二极管。
2021-08-16
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智能车单片机的分段PID控制
自动寻迹智能车涉及到当前高技术领域内的许多先进技术，其中 主要的是传感技术、路径规划和运动控制。本课题是以飞思卡尔智能车竞赛为背景，以单片机作为 控制单元，以摄像头作为路径识别传感器，以直流电机作为小车的驱动装置，以舵机控制小车转向。
2021-08-09
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兼容SPICE的运算放大器宏模型
目前，电路仿真领域呈现采用全方位电路仿真方法的趋势。我们认为，在所有安装的电路仿真器中，有75%用于系统设计，而不是IC设计。几乎所有这些仿真器都是SPICE的变体。随着电子行业不断发展，系统工程师面对日益增多的集成电路，尤其是无处不在的运算放大器，也需要愈加精准的模型。但是，这些IC器件的速度和复杂性不断提高，给初期的SPICE开发人员带来了始料未及的问题。
2021-08-02
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如何选择升压调节器/控制器IC并使用LTspice选择外围组件
为升压调节器选择IC的过程与降压调节器不同，主要区别在于所需输出电流与调节器IC数据手册规格之间的关系。在降压拓扑中，平均电感电流基本上与负载电流相同。而升压拓扑的情形则不一样，它需要基于开关电流进行计算。本文介绍了升压调节器IC（带内部MOSFET）或控制器IC（带外部MOSFET）的选择标准，以及如何使用LTspice®选择合适的外围组件以构建完整的升压功率级。
2021-08-01
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PIN二极管参数和结构原理
一般的二极管是由N型杂质掺杂的半导体材料和P型杂质掺杂的半导体材料直接构成形成PN结。而PIN二极管是在P型半导体材料和N型半导体材料之间加一薄层低掺杂的本征（Intrinsic）半导体层。
2021-06-14
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