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800V架构，能治好电动汽车用户的“里程焦虑”吗？
对于电动汽车而言，为了缩短充电时间、解决车主的里程焦虑问题，除了使用石墨烯电池和固态电池，我们还可以通过增加电压或电流以增加流向电池的功率来达到缩短充电时间的目标。当使用增流方案时，车内必须使用更粗的电缆，这样一来，不仅车体变重，整体成本也会增加。而如果采用增加电压的方案，随着电流的降低，车内的电缆就可以换成更轻更细的。这就是800V架构为电动汽车带来的好处。800V架构也因此被看作是最具前景的能有效缩短电动汽车充电时间的解决方案。
2023-02-16
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贸泽电子联手Qorvo推出全新电子书探索汽车设计的未来
提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布与Qorvo联手推出全新电子书《The Future of Automotive》（汽车的未来），探索正在重塑汽车设计的技术创新。书中，来自贸泽和Qorvo的主题专家对车联网 (V2X) 架构、超宽带 (UWB) 通信和电动汽车车载充电器 (OBC) 等技术进行了丰富而实用的分析。
2023-02-13
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电机节能技术让电动汽车更环保
自《巴黎协定》推行签署以来，全球经济脱碳已成共识。而在全球石油消耗的总量中，交通运输占据了10%以上，其中公路交通为主要占比。因此推动传统燃油汽车向新能源汽车转型，是实现节能减排的重要途径之一。据IHS预测，要达到2050年净零排放的目标，2030年汽车电气化的占比就应达到60%以上。
2023-02-13
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面向下一代商用电动汽车的高级充电解决方案
随着重型或商用车辆的电气化越来越被认可，给比电动汽车更大的电池充电变得越来越重要。因为时间就是金钱，尤其是在物流方面，首选方案是增加充电功率或分配充电的空闲时间。这些偏好导致了三种不同的充电场景。
2023-02-09
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如何设计适用于高级电动汽车电池管理系统的智能电池接线盒
随着电动汽车 (EV) 日益流行，如何在反映真实续航里程的同时让汽车更加经济实惠，成为汽车制造商面临的挑战之一。首先，这意味着需要降低电池包成本并提高其能量密度。电芯中存储和消耗的每瓦时能量都对延长续航里程至关重要。
2023-02-03
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稳定性更强的新型无钴锂离子电池正极
目前我们的手机、笔记本电脑和电动汽车的电池都有一个主要缺点：它们都依赖于钴。钴是一种很难找到的金属，主要来自非洲的矿山，钴的采集对于当地环境和矿工来说都存在着不少问题。
2023-02-03
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安森美与大众汽车就下一代电动汽车的SiC技术达成战略协议
领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)宣布与德国大众汽车集团 (VW)签署战略协议，为大众汽车集团的下一代平台系列提供模块和半导体器件，以实现完整的电动汽车 (EV) 主驱逆变器解决方案。安森美所提供的半导体将作为整体系统优化的一部分，形成能够支持大众车型前轴和后轴主驱逆变器的解决方案。
2023-02-01
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优化汽车应用的驾驶循环仿真
碳化硅（SiC）已经改变了许多行业的电力传输，尤其是电动汽车（EV）充电和车载功率转换部分。由于 SiC 具备卓越的热特性、低损耗和高功率密度，因此相对 Si 与 IGBT 等更传统的技术，具有更高的效率和可靠性。要想获得最大的系统效率并且准确的预测性能，必须仿真这些由 SiC 组成的拓扑、系统和应用。
2023-01-28
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面向高功率密度应用的I类陶瓷技术
无论是对通信、为大量数据提供安全可靠的存储，还是对电动和混合动力电动汽车运输来说，我们的社会都越来越依赖于电力。因此，供电保障对于享受现代生活至关重要。其中一个最紧迫的议题就是能源效率——部分原因在于电力成本不断上升，以及我们希望保护发电用的自然资源。当转用太阳能、风能等新能源，或考虑电子电路的冷却要求时，效率是最重要的一个考虑因素。
2023-01-28
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MCU解决800V电动汽车牵引逆变器的常见设计挑战的3种方式
电动汽车 (EV) 牵引逆变器是电动汽车的核心。它将高压电池的直流电转换为多相（通常为三相）交流电以驱动牵引电机，并控制制动产生的能量再生。电动汽车电子产品正在从 400V 转向 800V 架构，这有望实现：
2023-01-20
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用于 SiC 解决方案设计的模块化评估平台
以碳化硅(SiC) 技术为动力的下一代功率半导体将满足快速增长的纯电动汽车 (BEV) 市场和充电基础设施的需求，以及对新能效标准、更高工业和可再生能源领域的功率密度和更小的系统尺寸。
2023-01-16
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25kW电动汽车SiC直流快充设计指南：经验总结
在我们的系列参考设计文档中，我们详细描述了25 kW直流快充模块的开发过程。本白皮书则主要探讨25 kW直流快充模块的开发和测试中硬件和固件设计以及调试阶段的技巧与诀窍。我们将介绍如何测试和微调去饱和保护功能，分析SiC MOSFET漏极电压振铃的原因，以及添加缓冲电容的好处。此外还考虑如何在环回测试中使用比待测器件(DUT)功率更低的设备来测试DUT。最后，我们将讨论相移双有源桥控制算法设计。
2023-01-11
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