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ST中国区总裁介绍半导体制造战略：加大第三代半导体垂直整合，与客户长期双赢
对于ST而言，芯片设计和制造同样重要。ST在制造上的战略规划正在逐步实施，将会帮助其实现200亿美元营收和2027碳中和两大目标。而因为芯片制造漫长而又复杂，所以芯片厂商需要客户及早分享设计方案及生产计划，这样才能实现长期的双赢。
2023-05-31
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现代电源开关在的电流检测中归零
STMicroelectronics 近推出了新一代汽车智能开关，使用内部 A/D 转换器提供有关负载电流的数字信息。在本文中，我们将探讨具有电流感应功能的电源开关的必要性，并了解现代开关如何实现此功能。
2023-05-25
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从SpaceX看商业航天卫星的新时代
昨晚，号称“有史以来最大运载火箭”的SpaceX最新一代运载火箭系统“星舰”(Starship)在执行首次轨道级测试飞行任务发射三分钟后，其“超重型推进器”部分未能成功分离，在高空发生了爆炸。虽然此次发射失败，但SpaceX仍未放弃探索宇宙和多行星化的梦想，其CEO马斯克也第一时间发推文回应祝贺SpaceX团队对星舰进行了激动人心的测试发射，为几个月后的下一次测试发射学到了很多东西。
2023-05-22
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盛思锐加入Connectivity Standards Alliance，塑造物联网智连未来
智能传感器解决方案的领先供应商盛思锐现已加入美国Connectivity Standards Alliance（CSA）——全球物联网（IoT）连接标准制定联盟，致力于为客户提供可靠实用的物联网解决方案。
2023-05-22
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2023第11届中国国际汽车动力系统峰会
新能源汽车“双积分”管理、碳达峰实施方案、油耗法规等最新解读 Interpretation of latest polices such as amendment for NEV “dual credit" policy, the implementation plan for carbon dioxide peaking and fuel consumption policy
2023-05-17
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单刀/单掷双极电源开关简化电源测试
本应用笔记介绍了如何实现一个非承诺、隔离式SPST（单刀/单掷）双极性电源开关，该开关可用于产生高达200A和75V的瞬变。该开关可用于测试电源和电源 IC。该开关专为测试快速电路而设计，可在数十纳秒内实现导通和关断时间。
2023-05-13
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“STM32不止于芯”： 2023年STM32中国峰会暨粉丝狂欢节重磅回归深圳
2023年5月12日，中国深圳 –服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM)将于5月12-13日在深圳蛇口希尔顿酒店举行2023年STM32中国峰会暨粉丝狂欢节。
2023-05-12
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监测血糖黑科技，纳芯微NST1002助力CGM精准测量
血糖监测是糖尿病管理的关键一环，目前糖尿病患者自我监测血糖的方法主要有两种，一种是传统指血检测（Blood Glucose Monitoring，BGM），另一种是动态血糖监测（Continuous Glucose Monitoring，CGM）。CGM可提供动态、全面、可靠的全天血糖信息，了解血糖波动趋势，发现隐匿性高血糖和低血糖，因而成为了血糖监测的新趋势。
2023-05-11
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如何解决超薄笔记本电脑的音频挑战？
在工作环境中，人们使用笔记本电脑的方式不断发生意想不到的变化。疫情使得远程办公已成为一种常态化。而在各种远程位置的混合办公环境这一趋势则推动了对便携性和更佳音频体验的更高偏好。根据 IDC PCD Tracker Historical 2022年第三季度报告（图1所示），行业正在加速采用超薄笔记本电脑。
2023-05-09
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BUCK-BOOST 拓扑电源原理及工作过程解析
在非隔离电源方案中，基础拓扑的Buck、Boost、Buck-Boost电路中，前两种已经在前面章节进行了详细描述。很多工程师对Buck和Boost电路都特别熟悉，只是对Buck-Boost不熟悉。
2023-05-06
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快速开关TRENCHSTOP 5 IGBT
紧凑的尺寸和不断降低的系统成本是电力电子设计的开发者一直追求的目标。现在，由于家用电器消耗的能量不断增加，从事此类应用的工程师还有一个目标：保持高功率因数(PF)。特别是空调，其额定功率为1.8kW或更大，是最耗电的设备之一。在这里，功率因数校正(PFC)是强制性的，对于PFC，设计者认为IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是具有最高性价比的开关器件。
2023-04-28
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SiC MOSFET的短沟道效应
Si IGBT和SiC沟槽MOSFET之间有许多电气及物理方面的差异，Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 这篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比较明显的短沟道效应、Vth滞回效应、短路特性以及体二极管的鲁棒性。直接翻译不免晦涩难懂，不如加入自己的理解，重新梳理一遍，希望能给大家带来更多有价值的信息。今天我们着重看下第一部分——短沟道效应。
2023-04-24
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