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具有更高效率与优势的碳化硅技术
碳化硅（SiC）技术具有比传统的硅（Si）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）等技术具有更多优势，包括更高的开关频率，更低的工作温度，更高的电流和电压容量，以及更低的损耗，进而可以实现更高的功率密度、可靠性和效率。本文将为您介绍SiC的发展趋势与在储能系统（ESS）上的应用，以及由Wolfspeed推出的SiC电源解决方案。
2023-07-19
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了解这些 就可以搞懂 IGBT
绝缘栅双极晶体管（IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种三端功率半导体器件，主要用作电子开关，在较新的器件中以结合高效和快速开关而闻名。IGBT通过在单个器件中组合用于控制输入的隔离栅极FET和作为开关的双极功率晶体管，将MOSFET的简单栅极驱动特性与双极晶体管的高电流和低饱和电压能力相结合。IGBT用于中到大功率应用，如开关电源、牵引电机控制和感应加热。
2023-07-18
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实测案例：1200V GaN HEMT功率器件动态特性测试
氮化镓器件是第三代半导体中的典型代表，具有极快的开关速度，能够显著提升功率变换器的性能，受到电源工程师的青睐。同时，极快的开关速度又对其动态特性的测试提出了更高的要求，稍有不慎就会得到错误结果。
2023-07-18
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注意！设计半桥 LLC 谐振转换器，你得注意这些
在众多谐振转换器中，LLC 谐振转换器有着高功率密度应用中最常用的拓扑结构。与其他谐振拓扑相比，这种拓扑具有许多优点：它能以相对较小的开关频率变化来调节整个负载变化的输出；它可以实现初级侧开关的零电压开关 (ZVS) 和次级侧整流器的零电流开关 (ZCS)；而且，谐振电感可以集成到变压器中。NCP4390 系列是一种先进的脉冲频率调制 (PFM) 控制器系列，适用于具有同步整流 (SR) 的 LLC 谐振转换器，可为隔离式 DC/DC 转换器提供出众的效率。与市场上的传统 PFM 控制器相比，NCP4390 具有几项独特的功能，可以最大限度地提高效率、可靠性和性能。
2023-07-11
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用于车载充电器应用的1200 V SiC MOSFET模块使用指南
随着电动汽车的车载充电器 (OBC) 迅速向更高功率和更高开关频率发展，对 SiC MOSFET 的需求也在增长。许多高压分立 SiC MOSFET 已经上市，工程师也在利用它们的性能优势设计 OBC 系统。要注意的是，PFC 拓扑结构的变化非常显著。设计人员正在采用基于 SiC MOSFET 的无桥 PFC 拓扑，因为它有着卓越的开关性能和较小的反向恢复特性。众所周知，使用 SiC MOSFET 模块可提供电气和热性能以及功率密度方面的优势。
2023-07-10
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补偿 EMI 滤波器 X 电容对有源 PFC 功率因数的影响
现代开关模式电源使用 X 电容器和 Y 电容器与电感器的组合来过滤共模和差模 EMI。滤波器元件位于任何有源（或无源）功率因数校正 (PFC) 电路的前面（图 1），因此 EMI 滤波器的电抗对功率因数 (PF) 造成的任何失真都会改变甚至完美的功率因数校正 (PFC) 电路。修正了电压-电流关系。
2023-07-06
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如何使用一个电感就可设计出更紧凑的电源
如今，几乎每个电路都需要使用多个不同的电源电压。因此，我们必须设计合适的电源管理架构，以提供所需的不同电压轨，而通常做法是使用多个根据开关稳压器原理工作的电压转换器。在该设计方法中，每个开关稳压器都需要一个电感。对最终产品来说，它所使用的PCB尺寸越小越好，以尽可能降低相关成本。
2023-07-05
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耗尽型功率MOSFET：被忽略的MOS产品
功率MOSFET最常用于开关型应用中，发挥着开关的作用。然而，在诸如SMPS的启动电路、浪涌和高压保护、防反接保护或固态继电器等应用中，当栅极到源极的电压VGS为零时，功率MOSFET需要作为常“开”开关运行。在VGS=0V时作为常 "开 "开关的功率MOSFET，称为耗尽型(depletion-mode ) MOSFET。
2023-07-04
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DC/DC开关电源电感下方到底是否铺铜？
电感有交变电流，电感底部铺铜会在地平面上产生涡流，涡流效应会影响功率电感的电感量，涡流也会增加系统的损耗，同时交变电流产生的噪声会增加地平面的噪声，会影响其他信号的稳定性。
2023-07-04
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使用开尔文连接提高 SiC FET 的开关效率
碳化硅 (SiC) 等宽带隙器件可实现能够保持高功率密度的晶体管，但需要使用低热阻封装，比如 TO-247。然而，此类封装的连接往往会导致较高的电感。阅读本博文，了解如何谨慎使用开尔文连接技术以解决电感问题。
2023-07-03
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降压开关稳压器如何使用串联晶体管
降压开关稳压器是一种开关模式电源电路，旨在有效地将直流电压从较高电压降低到较低电压，即减去或“降压”电源电压，从而降低输出端可用的电压端子无需改变极性。换句话说，降压开关调节器是降压调节器电路，因此例如降压转换器可以将+12伏转换为+5伏。
2023-06-30
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尽可能地降低 SiC FET 的电磁干扰和开关损耗
您如何在提高开关速度和增加设计复杂度之间寻求平衡？本博客文章将讨论此类权衡考量，并提供了一种更高效的方法，有助于您克服设计挑战并充分发挥 SiC 器件潜力。
2023-06-29
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