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拥有40A的较高浪涌额定值，2.0pF的较低负载电容的TVS发布
Littelfuse公司今天宣布推出新系列的瞬态抑制二极管阵列（SPA器件）。经过优化设计的该系列产品可用于保护VDSL和VDSL2等电信接口免受破坏。 每个SR70系列的瞬态抑制二极管阵列都由四个低电容轨到轨式二极管组成，能够有效保护设备免受静电放电（ESD）和雷击导致的浪涌现象的破坏。 功能强大的SR70系列能够在±30kV条件下安全地吸收高达40A（tP=8/20μs）的浪涌电流和反复性ESD震击，且性能不会下降。
2013-01-08
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可免受任何外部ESD破坏的新型低电容保护组件
Littelfuse发表新型低电容ESD保护SPA组件，可保护高速数据线的敏感芯片组免受任何外部ESD (静电放电)的破坏。
2013-01-06
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降低手机USB充电接口的ESD浪涌的设计，减少环境污染
提到环境污染，很少有人想到手机，但是现在，我们确实看到手机充电器对环境造成了很大的影响。手机行业已经开始使用通用充电解决方案(UCS)来解决这个问题，UCS将改变手机制造商设计手机的方式。本文将对实现安全充电接口需要考虑的因素加以分析。
2013-01-06
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低钳位电压的TVS，非常实用USB3.0 接口保护
由于USB3.0的速率非常快，端口的ESD保护越来越重要，这就要求保护器件不能影响这个信号质量。Semtech新的TVS最大的优势在于非常低的ESD钳位电压，这对敏感的USB3.0芯片起到很好的保护作用。
2013-01-05
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针对USB3.0设计的ESD防护方案
用户在使用USB时经常随插即用、随拔即关，然而这个热插拔动作却也经常是造成USB控制芯片毁坏的元凶。因为在热插拔中，由于接口端的讯号线已经带电，本身就像是个带电的大电容会在接触系统时作放电动作。这种现象等同于静电放电效应，会对系统产生严重破坏。
2013-01-05
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比较不同的电路保护技术及滤波技术
消费者要求智能手机等便携/无线设备具有更多功能特性及采用纤薄型工业设计，这就要求设计人员要求更加注重小外形封装之中的ESD及EMI性能。静电放电(ESD)保护及电磁干扰(EMI)正在成为所有电气设备越来越重要的考虑因素。本文将分析电路保护要求，比较不同的电路保护技术及滤波技术，介绍安森美半导体应用于典型电路保护及滤波应用的产品，帮助设计工程师设计出更可靠的便携及消费类产品。
2013-01-05
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为什么USB 3.0需要更强大的电路保护？
USB 3.0的开发方向，就是更高的传输率、提高最大总线功率和设备电流、提供全新的电源管理功能以及向下兼容 USB2.0。除了过流保护，USB 3.0对过压和ESD保护的要求也更高。
2012-12-30
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新型时钟开关保护器件，让PCIe免受ESD损伤
保护敏感高速数据线路免受静电放电(ESD)损伤是PCIe应用的重要考虑因素。安森美半导体推出新的时钟及数据、开关及保护器件,支持PCI Express应用,新的扇出缓冲器、差分开关及穿越型封装ESD保护器件彰显安森美半导体用于服务器、网络及ATE应用的PCIe 3.0技术。
2012-12-28
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完全符合汽车级ESD与EMI要求的双向器件如何设计？
汽车级IC中采用新型三维箝位器件来整合鲁棒性。通过确定互补“T”形与孤岛有效区域，以控制高电平注入再生反馈期间的电子驱动或空穴驱动电流增益，可以最佳状态实现高保持电压双向闭锁箝位。箝位器件已集成至信号调理应用，完全符合汽车级ESD与EMI要求。
2012-12-28
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如果通过电路设计优化TVS二极管性能
保护敏感电子器件免受ESD和EMI浪涌脉冲，瞬态电压抑制器(TVS)二极管是一种的有效低成本选择。本文将提供TVS二极管浪涌最大抑制的PCB布局指南。同时将举例说明在不同电路配置中如何取舍TVS二极管。
2012-12-28
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为USB 3.0提供ESD保护二极管
东芝推出紧凑型静电放电保护二极管，为USB 3.0和其他接口提供ESD保护。新产品可实现多个二极管，同时还可保持低电感流通式布局的信号品质，计划于12月底开始量产。
2012-12-26
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Littelfus新款ESD保护TVS二极管，提供最小尺寸
Littelfuse开发出新的低电容ESD保护TVS二极管阵列，典型的应用包括USB 3.0和HDMI端口。它提供的任何六通道解决方案在市场上尺寸最小的今天，节省印刷电路板空间并简化布局过程中是至关重要的。
2012-12-26
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