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打造工业顶级盛会：意法半导体工业峰会2024在深圳举办
服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM) 将于10月29日在中国深圳福田香格里拉酒店举办工业峰会2024 。
2024-10-28
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电源中的分压器
在电源设计中，可以手动设置所需的输出电压。大多数集成电源电路以及开关和线性稳压器 IC 都是通过分压器来实现这一点的。两个电阻值的比率必须合适才能设置所需的输出电压。图 1 显示了一个分压器。
2024-10-27
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低功耗蓝牙赋能的太阳镜为摩托车手提供免分心导航体验
技术公司Blucap推出了一副可用作摩托车导航平视显示器(HUD)的太阳镜。轻巧的 “Blucap Moto ”太阳镜集成了Nordic Semiconductor公司的nRF52840 SoC，为太阳镜和骑手的智能手机以及车把上的遥控配件提供低功耗蓝牙无线连接。遥控器采用 Nordic 的 nRF52810 SoC 实现无线连接。
2024-10-27
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三极管电路输入电压阻抗
利用三极管， 搭建单管共射反向放大器， 放大器的增益与多个因素有关系，也和输入阻抗成反比。如何来测量单管运放的输入阻抗呢？ 下面在 LTspice中通过仿真进行测量。
2024-10-27
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贸泽电子为电子设计工程师提供先进的医疗技术资源和产品
贸泽电子 (Mouser Electronics) 推出内容动态更新的医疗资源中心，探索改变医疗保健产业并且拯救生命的技术。随着数字化转型的蓬勃发展，医疗保健系统突飞猛进，实现了更快、更准确的诊断，大幅缩短了等待时间，并且还采用了各种先进的数字疗法。人工智能 (AI) 的分析能力正在重新定义患者护理工作，提供前所未有的深入健康数据，同时改变慢性病和无法治愈的疾病的治疗方法。
2024-10-26
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克服碳化硅制造挑战，助力未来电力电子应用
随着行业不断探索解决方案，宽禁带（WBG）材料，包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），被视为解决之道。禁带宽度描述了价带顶部和导带底部之间的能量差。硅的禁带宽度相对较窄，为1.1电子伏特（eV），而SiC和GaN的禁带宽度分别为3.3eV和3.4eV。
2024-10-26
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第7讲：SiC单晶衬底加工技术
SiC单晶是一种硬而脆的材料，切片加工难度大，磨削精度要求高，因此晶圆制造是一个长时间且难度较高的过程。本文介绍了几种SiC单晶的切割加工技术以及近年来新出现的晶圆制备方法。
2024-10-23
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用Python自动化双脉冲测试
电力电子设备中使用的半导体材料正从硅过渡到宽禁带（WBG）半导体，比如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等半导体在更高功率水平下具有卓越的性能，被广泛应用于汽车和工业领域中。由于工作电压高，SiC技术正被应用于电动汽车动力系统，而GaN则主要用作笔记本电脑、移动设备和其他消费设备的快速充电器。本文主要说明的是宽禁带FET的测试，但双脉冲测试也可应用于硅器件、MOSFET或IGBT中。
2024-10-23
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兆易创新GD32F30x STL软件测试库获得德国莱茵TÜV IEC 61508功能安全认证
业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice（股票代码 603986）宣布，其GD32F30x STL软件测试库获得了德国莱茵TÜV（以下简称“TÜV莱茵”）颁发的IEC 61508 SC3（SIL 2/SIL 3）功能安全认证证书，这也是继GD32H7 STL软件测试库之后再次获得的此类认证，这意味着兆易创新在功能安全领域的布局已全面覆盖了Arm® Cortex®-M7内核高性能MCU和Arm® Cortex®-M4内核主流型MCU的软件测试库，将为用户在工业领域的应用提供更丰富的产品选择。
2024-10-18
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芯科科技第三代无线开发平台引领物联网发展
致力于以安全、智能无线连接技术，建立更互联世界的全球领导厂商Silicon Labs（亦称“芯科科技”），日前在首届北美嵌入式世界展览会（Embedded World North America）上发表了开幕主题演讲，公司首席执行官Matt Johnson和首席技术官Daniel Cooley探讨了人工智能（AI）如何推动物联网（IoT）领域的变革，同时详细介绍了芯科科技不断发展的第二代无线开发平台所取得的持续成功以及即将推出的第三代无线开发平台。
2024-10-18
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MSO 4B 示波器为工程师带来更多台式功率分析工具
持续测量 AC-DC 和 DC-DC 转换器的性能可能是一项极具挑战性的任务。随着设计师努力从硅基电源转换器过渡到碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 等宽禁带半导体，这些挑战变得尤为棘手。电机驱动器等三相系统的设计师面临更多复杂问题。
2024-10-18
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第6讲：SiC单晶生长技术
高质量低缺陷的SiC晶体是制备SiC功率半导体器件的关键，目前比较主流的生长方法有PVT法、液相法以及高温CVD法等，本文带你了解以上三种SiC晶体生长方法及其优缺点。
2024-10-18
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