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PI推出业针对高功率LED灯泡替换的LED驱动器
世界上效率最高、使用寿命最长的离线式LED驱动器IC的制造商Power Integrations公司今日宣布推出一款针对高功率LED灯泡替换应用的LED驱动器参考设计。该驱动器可为100 W A19白炽灯泡的LED替换灯提供所需的功率，这是业界首个此类设计。
2012-05-29
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第80届中国电子展(80th China Electronics Fair )
权威的综合性专业电子展。中国电子展始于1964年，是中国历史最悠久、最权威的电子行业展会。中国电子展以领先的基础电子技术，促进中国电子产业自主创新，与中国电子产业共同成长。
2012-05-29
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FCI CompactPCI串行标准连接器
极大提高医用电子和工业电子性能由于需要处理的实时数据越来越多，许多嵌入式设计师从并行结构转向串行点对点结构。 CompactPCI®串行标准于2011年由PICMG推出后，目前正成为串行嵌入式计算的主要标准。
2012-05-25
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X-fest 研讨会将于 7 月登陆亚洲
安富利公司旗下安富利电子元件亚洲 (Avnet Electronics Marketing Asia)与赛灵思公司今天宣布启动亚洲区X-fest 研讨会注册。X-fest 是深受 FPGA、DSP 和嵌入式系统开发人员欢迎的、为期一天的培训活动。X-fest将在亚洲 16 个城市举行。
2012-05-24
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英飞凌推出光伏发电逆变器耐压1200V SiC型FET
德国英飞凌科技（Infineon Technologies AG）开发出了适用于光伏发电用逆变器等的耐压为1200V的SiC型FET（JFET）“CoolSiC产品群”，新产品的主要用途为光伏发电的逆变器装置。如果采用SiC型FET代替现有逆变器装置中使用的IGBT，便可实现装置的小型轻量化。这是因为新产品可实现高于IGBT的工作速度。也就是说，即便提高工作频率，也能降低开关损失。因此，电感器及电容器等被动元件可使用小型产品，所以能够实现整个装置的小型轻量化。
2012-05-24
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Infineon功率芯片在智能车灯控制系统中的应用
现今MCU和电力电子技术在智能车灯控制系统中发展的趋势是用智能功率IC替代传统的继电器和保险丝，有效实现对车灯的过热、过压、短路等故障的保护和诊断；MCU用PWM调制来实现对车灯两端的电压进行控制，以达到限制车灯电流，延长使用寿命的目的。本文介绍了Infineon高端开关应用于智能车灯控制系统中的应用经验，与传统技术进行了对比，结合实例具体分析了其实现的智能诊断技术在实际产品应用中的技术优势和发展前景。
2012-05-24
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英飞凌针对汽车开发的AURIX单片机含有3颗32位TriCore内核
英飞凌近日宣布推出满足汽车行业的动力总成和安全应用的各种要求的全新32位多核单片机系列。全新的AURIX系列的多核架构包含多达三颗独立32位TriCore 处理内核，可满足业界的最高安全标准。此外，采用90纳米工艺制造的TC1798，相比于现有的一流器件，其性能提升一倍。
2012-05-22
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罗姆开发出业内最小的车载绝缘元件内置型半导体
随着电动汽车、混合动力车的普及，为了提高性能，亟需使作为动力部分的逆变器电路进一步实现小型化，由于车载逆变器每台配备6个栅 极驱动IC，因此要实现逆变器电路的小型化，需要先缩小栅极驱动IC的体积。为了防止触电，此前必须使用外置绝缘元件。 日本罗姆公司日前开发出了业内最小的车载绝缘元件内置型半导体装置栅极驱动IC可满足这一需求。
2012-05-22
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业界最小！罗姆开发出车载用内置绝缘元件的栅极驱动器
罗姆株式会社开发出内置绝缘元件的栅极驱动器“BM6103FV-C”，最适合作为电动汽车（EV）和混合动力车（HEV）逆变回路中IGBT以及功率MOSFET的驱动元件。本产品融合了罗姆独创的BiCDMOS技术与新开发的片上变压器工艺技术，作为内置了绝缘元件的栅极驱动器，是业界最小(截至2012年5月22日,根据罗姆的调查)的小型封装，有助于逆变器电路的小型化。另外，与传统的光耦方式相比，可大幅降低耗电量，而且由于具备了所有必要的保护功能和品质要求，可减少设计时的工作量。
2012-05-22
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ADN469xE：ADI多点LVDS收发器提供最高ESD保护
Analog Devices, Inc. (NASDAQ：ADI)，全球领先的高性能信号处理解决方案供应商，最近推出一系列多点、低电压、差分信号(M-LVDS)收发器ADN469xE，具有所有多点LVDS收发器中最高的ESD（静电放电）保护。 ADN469xE M-LVDS系列包含八款收发器，每款器件都能够利用一条差分电缆对连接32个数据/时钟节点并以100 Mbps或200 Mbps的数据速率工作。与之相比，传统的LVDS通信链路必须使用32个单独的点对点节点，这会显著增加功耗、连接器尺寸、线缆成本和总电路板空间。ADI公司的ADN469xE M-LVDS系列可提供8 kV IEC ESD保护，是M-LVDS收发器竞争产品的11倍。这种更高层次的保护能够提高可插拔板和卡的可靠性，适合无线基站和网络基础设施、数据采集、自动测试设备以及其他高速、高度网络化背板和电缆应用。
2012-05-21
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飞兆半导体P沟道WL-CSP MOSFET实现出色的散热特性
便携设备的设计人员面临着在终端应用中节省空间、提高效率和应对散热问题的挑战。为了顺应这一趋势，飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发了FDZ661PZ和FDZ663P P沟道、1.5V规格的PowerTrench®薄型0.8mm x 0.8mm WL-CSP MOSFET器件。
2012-05-21
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Microsemi新款1200V非穿通型IGBT开关和导通损耗降低20%
美高森美 (Microsemi) 推出新一代1200V非穿通型IGBT系列中的首款产品。新的IGBT系列采用尖端Power MOS 8技术，与竞争解决方案相比，总体开关和导通损耗显著降低20%或更多。这些IGBT器件瞄准电焊机、太阳能逆变器和不间断与开关电源等应用。
2012-05-21
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