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NCV4770X:安森美半导体推出可调输出低压降稳压器系列
应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出两款全新低压降(LDO)稳压器IC产品。新器件基于公司领先市场的汽车电源管理方案设计，非常适用于汽车的音频和信息娱乐系统、仪表组、导航和卫星收音机。
2012-02-28
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Fox Electronics在中国积极招募销售渠道合作伙伴
全球领先的频率控制解决方案供应商Fox Electronics公司继续扩展在亚洲和大中国区的机构，并宣布正在中国积极招募新的销售渠道合作伙伴。这项举措紧随Fox在 2011年实现强劲增长后提出，在这一年中，亚洲和全球市场对突破性XpressO 振荡器系列的需求大幅增长。尤其在中国电信和卫星通信领域，对专用 XpressO 器件的需求快速增长。
2012-02-27
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HMW90：Vaisala为HVAC应用推出高精度的温湿度传感器
Vaisala 为适应高端需求的 HVAC 应用，推出了新一代湿度和温度传感器。将装备与功能融为一体，全新的 Vaisala HMW90 系列 HUMICAP（R）湿度和温度传感器，专为要求值得信赖的测量精度和稳定性的室内环境而设计。
2012-02-27
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NXP GreenChip电源IC确立低负载下效率和空载待机功耗标准
恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. 近日宣布推出GreenChip™ SPR TEA1716开关模式电源 (SMPS) 控制器IC——这是业界首款PFC和LLC谐振组合控制器，可在低负载下实现超低待机功耗，并且符合将于2013年生效的欧盟生态设计指令的要求。公司同时宣布推出多款采用超小封装的高性价比SPF (反激式智能电源) IC，包括GreenChip SPF TEA1731以及TEA172x系列新品，这些器件均具有出色的空载性能。此外，恩智浦还推出了一款新型GreenChip同步整流 (SR) 控制IC——TEA1792。
2012-02-27
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NCV47700/NCV47701：安森美推出可调输出低压降稳压器
应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体推出两款全新低压降(LDO)稳压器IC产品——NCV47700和NCV47701。新器件基于公司领先市场的汽车电源管理方案设计，非常适用于汽车的音频和信息娱乐系统、仪表组、导航和卫星收音机。
2012-02-27
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A3G4250D：ST推出用于车载电子产品的3轴角速度传感器IC
意法半导体推出了用于车载电子产品的3轴角速度（陀螺仪）传感器IC“A3G4250D”。新产品符合车载部件质量标准“AEC-Q100”。据该公司介绍，“此次是业界首次实现车载产品用3轴角速度传感器IC的产品化”。具体用途方面，该公司列举了车载导航仪装置、车载信息服务设备及电子不停车收费系统等。
2012-02-24
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透视2012年十大ICT产业关键议题
工研院IEK归纳出十个将影响2012年产业的重大议题，包括零组件层的声控或体感人机技术、系统封装技术、行动内存、低耗电芯片与高画质面板等；终端产品层的智能电视平台、Ultrabook PC、平价智能手机、3D电视等；还有平台层的Windows反击、巨量数据应用等变革。
2012-02-24
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LCD事业持续亏损及OLED商机
近日，三星电子(Samsung Electronics)召开董事会，决定将LCD事业独立出去(所谓的「分社化」)，成立暂名为Samsung Display新公司。DIGITIMES Research资深分析师兼副主任黄铭章分析，该事业分社化计划预计在3月召开的三星电子股东会中予以确认。待4月初三星电子LCD事业正式「分社化」后，下一步即是将暂名为Samsung Display的新公司与SMD合并，完成显示面板事业的整合。
2012-02-22
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IMF：TE推出用于零瓦电路的灵敏双稳态小尺寸继电器
TE Connectivity 公司推出用于零瓦电路的IMF继电器。如果没有像移动手机连接器之类的终端设备，零瓦充电器就会停止从电网中取电， TE的IMF是专为这样的应用而设计的，其设计是对现有AXICOM IM继电器产品线的补充。
2012-02-22
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ADIsimRF 1.6版：ADI新版模拟器件设计工具简化RF设计
Analog Devices, Inc. (ADI)，全球领先的高性能信号处理解决方案供应商，近日推出其颇受欢迎的ADIsimRF™设计工具的全新版本ADIsimRF 1.6版。ADI公司的ADIsimRF设计工具是ADI公司所有RF至数字功能模块系列产品的配套软件，通过该设计工具，工程师可以使用ADI公司的RF IC和数据转换器产品系列进行RF信号链建模。
2012-02-22
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DIGITIMES Research：TSV 3D IC面临诸多挑战
TSV 3D IC技术虽早于2002年由IBM所提出，然而，在前后段IC制造技术水准皆尚未成熟情况下，TSV 3D IC技术发展速度可说是相当缓慢，DIGITIMES Research分析师柴焕欣分析，直至2007年东芝(Toshiba)将镜头与CMOS Image Sensor以TSV 3D IC技术加以堆栈推出体积更小的镜头模块后，才正式揭开TSV 3D IC实用化的序幕。
2012-02-22
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Si8497DB/Si8487DB：Vishay推出小尺寸低导通电阻MOSFET
Vishay宣布引入两款在尺寸和导通电阻上设立了新的行业基准的p沟道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，扩充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。新的Si8497DB是业内首款采用小巧的1mm x 1.5mm外形尺寸的30V芯片级MOSFET，是目前市场上尺寸最小的此类器件；而Si8487DB在1.6mm x 1.6mm外形尺寸的30V芯片级器件中具有最低的导通电阻。
2012-02-21
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