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SiP4613A/B ：Vishay新型高端负载开关器件
日前，Vishay推出一款新型有保护的高端负载开关-- SiP4613A/B。随着该型器件的面世，Vishay进一步扩充了其电流限制保护负载开关系列。该器件可在 2.4V～5.5V 的电源电压范围内运行，并可处理 1A 的持续输出电流。
2008-12-11
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IC S-5711A系列：日本精工最新磁性开关
日本精工电子有限公司(SII)日前推出磁性开关ICS-5711A系列。S-5711A系列是彩用CMOS技术开发的高灵敏度、低消耗电流的霍尔IC(磁性开关IC)。可检测出磁束密度的强度，使输出电压发生变化。通过与磁石的组合，可进行各种设备的开/关检测。
2008-11-25
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DS4560：Maxim具有自我保护及重启功能的热插拔开关
Maxim推出具有自我保护及重启功能的完全集成热插拔开关DS4560。器件极大地减少了12V供电背板系统中保证安全插入和拔出操作所需的元件数量。为减小方案尺寸、简化设计，DS4560集成了25mΩ n沟道功率MOSFET，从而省去了外部MOSFET。DS4560专为12V系统而设计，是企业级硬盘驱动器、服务器/路由器、PCI Express (PCIe)和InfiniBand以及基站等热插拔应用的理想选择。
2008-11-25
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高性能IGBT提高太阳能逆变器效率
飞兆半导体的截止沟道式IGBT适用于不间断电源、太阳能逆变器以及微波炉和感应加热类的应用，可以帮助设计师减少传导损耗和开关损耗，实现极高的效率。
2008-11-25
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NTB54XXN/ntp54XXN：安森美中等电压功率MOSFET系列
安森美半导体推出8款新的MOSFET器件，专门为中等电压开关应用而设计。这些MOSFET非常适用于直流马达驱动、LED驱动器、电源、转换器、脉宽调制(PWM)控制和桥电路中，这些应用讲究二极管速度和换向安全工作区域(SOA)，安森美半导体的新MOSFET器件提供额外的安全裕量，免应用受未预料的电压瞬态影响。
2008-11-14
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PA-Cap聚合物片式叠层铝电解电容器在模拟CPU电源的应用实验
在计算机CPU的电源线路中，当负载高速变化时会产生大的电压波动，去耦电容器作为缓冲器能提供一个瞬时电流以稳定电压。本文通过实验验证了在模拟CPU电源中PA-Cap电容器的优越性，同时证明了PA-Cap电容器用在开关电源和数字电路中是最好的选择。
2008-11-05
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用RC低通滤波器防止振荡
本文分析了微型开关的振荡，提出了RC滤波器构成的振荡防止电路。
2008-11-03
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如何应对多频手机中的天线问题？
本文主要针对多频手机中的天线设计问题讨论手机天线开关，分析了多频手机对开关性能和技术的需要，阐明射频开关必须能够切换最多9条大功率射频信号通道，并且要具有低插损、高隔离和线性度。
2008-11-02
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IGBT驱动与保护技术在直流调速系统中的应用
本文将大功率开关器件IGBT应用在功率变换电路及直流调速系统中。阐述了IGBT 驱动器的基本要求，同时介绍了EXB841 芯片内部结构，并分析了系统的工作原理。
2008-11-02
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IPM驱动和保护电路的研究
智能功率模块(IPM)是集GTR及MOSFET两者优点于一身的功率开关器件，，内置的驱动和保护电路缩短了系统开发时间，也提高了故障下的自保护能力。本文简单介绍了IPM的基本工作特性和常用IPM驱动和保护电路的设计方法，并给出了设计实例。
2008-11-02
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MOSFET及MOSFET驱动电路总结
常用MOSFET管主要有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，两者在导通的时候都会有导通损耗和开关损失出现，要想办法降低这两种损失。在MOS管的驱动问题方面，除了要考虑导通电压的问题，速度也是一个考察的方面。
2008-11-02
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步进电机H桥驱动电路设计
本文设计的步进电机H桥驱动电路，使加到电机绕组上的电流信号前后沿较陡，降低了开关损耗，改善了电机的高频特性，同时具有多种保护功能．实验证明，该驱动电路简单、可靠并具有优良的驱动性能。
2008-11-02
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