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功率器件热设计基础（十二）——功率半导体器件的PCB设计
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
2025-01-14
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IGBT 模块在颇具挑战性的逆变器应用中提供更高能效
制造商和消费者都在试图摆脱对化石燃料能源的依赖，电气化方案也因此广受青睐。这对于保护环境、限制污染以及减缓破坏性的全球变暖趋势具有重要意义。电动汽车 (EV) 在全球日益普及，众多企业纷纷入场，试图将商用和农业车辆 (CAV) 改造成由电力驱动。
2025-01-08
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栅极驱动器选得好，SiC MOSFET高效又安全
硅基MOSFET和IGBT过去一直在电力电子应用行业占据主导地位，这些应用包括不间断电源、工业电机驱动、泵以及电动汽车（EV）等。然而，市场对更小型化产品的需求，以及设计人员面临的提高电源能效的压力，使得碳化硅（SiC）MOSFET成为这些应用中受欢迎的替代品。
2025-01-06
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功率器件热设计基础（八）——利用瞬态热阻计算二极管浪涌电流
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
2024-12-25
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功率器件热设计基础（六）——瞬态热测量
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
2024-12-09
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安森美荣获2024年亚洲金选车用电子解决方案供应商奖及年度最佳功率半导体奖
智能电源和智能感知技术的领导者安森美再次荣膺电子行业资深媒体集团ASPENCORE颁发的2024亚洲金选奖（EE Awards Asia)之车用电子解决方案供应商奖，彰显其在车用领域的卓越表现和领先地位。同期，安森美第 7 代 1200V QDual3 IGBT功率模块获得年度最佳功率半导体奖，基于新的场截止第 7 代 (FS7) IGBT 技术带来出色的效能表现获得业界肯定。
2024-12-06
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功率器件热设计基础（五）——功率半导体热容
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
2024-12-06
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在逆变器应用中提供更高能效，这款IGBT模块了解一下
制造商和消费者都在试图摆脱对化石燃料能源的依赖，电气化方案也因此广受青睐。这对于保护环境、限制污染以及减缓破坏性的全球变暖趋势具有重要意义。电动汽车(EV)在全球日益普及，众多企业纷纷入场，试图将商用和农业车辆(CAV)改造成由电力驱动。
2024-11-27
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功率器件热设计基础（三）——功率半导体壳温和散热器温度定义和测试方法
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
2024-11-25
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功率器件热设计基础（四）——功率半导体芯片温度和测试方法
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
2024-11-23
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功率器件的热设计基础（二）——热阻的串联和并联
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
2024-11-12
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功率器件热设计基础（一）——功率半导体的热阻
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
2024-11-11
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