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功率器件热设计基础（六）——瞬态热测量
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
2024-12-09
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安森美荣获2024年亚洲金选车用电子解决方案供应商奖及年度最佳功率半导体奖
智能电源和智能感知技术的领导者安森美再次荣膺电子行业资深媒体集团ASPENCORE颁发的2024亚洲金选奖（EE Awards Asia)之车用电子解决方案供应商奖，彰显其在车用领域的卓越表现和领先地位。同期，安森美第 7 代 1200V QDual3 IGBT功率模块获得年度最佳功率半导体奖，基于新的场截止第 7 代 (FS7) IGBT 技术带来出色的效能表现获得业界肯定。
2024-12-06
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功率器件热设计基础（五）——功率半导体热容
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
2024-12-06
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在逆变器应用中提供更高能效，这款IGBT模块了解一下
制造商和消费者都在试图摆脱对化石燃料能源的依赖，电气化方案也因此广受青睐。这对于保护环境、限制污染以及减缓破坏性的全球变暖趋势具有重要意义。电动汽车(EV)在全球日益普及，众多企业纷纷入场，试图将商用和农业车辆(CAV)改造成由电力驱动。
2024-11-27
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功率器件热设计基础（三）——功率半导体壳温和散热器温度定义和测试方法
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
2024-11-25
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功率器件热设计基础（四）——功率半导体芯片温度和测试方法
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
2024-11-23
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功率器件的热设计基础（二）——热阻的串联和并联
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
2024-11-12
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功率器件热设计基础（一）——功率半导体的热阻
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
2024-11-11
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车载充电器材料选择比较：碳化硅与IGBT
车载充电器 (OBC) 解决了电动汽车 (EV) 的一个重要问题。它们将来自电网的交流电转换为适合电池充电的直流电，从而实现电动汽车充电。随着每年上市的电动汽车设计、架构和尺寸越来越丰富，车载充电器的实施也变得越来越复杂。
2024-11-11
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采用IGBT5.XT技术的PrimePACK™为风能变流器提供卓越的解决方案
鉴于迫切的环境需求，我们必须确保清洁能源基础设施的启用，以减少碳排放对环境的负面影响。在这一至关重要的举措中，风力发电技术扮演了关键角色，并已处于领先地位。在过去的20年中，风力涡轮机的尺寸已扩大三倍，其发电功率大幅提升，不久后将突破15MW的大关。因此，先进风能变流器的需求在不断增长。这些变流器在恶劣境条件下工作，需要高度的可靠性和坚固性，以确保较长的使用寿命。为了在限制机柜内元件数量的情况下最大化功率输出，我们需要采用高功率密度设计。鉴于需求的持续增长，我们的大规模生产能力显得尤为关键通过对现有逆变器设计的升级，不仅能够降低风险，还能缩短开发时间，最终达到优化设计和开发流程的目的。
2024-10-27
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用Python自动化双脉冲测试
电力电子设备中使用的半导体材料正从硅过渡到宽禁带（WBG）半导体，比如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等半导体在更高功率水平下具有卓越的性能，被广泛应用于汽车和工业领域中。由于工作电压高，SiC技术正被应用于电动汽车动力系统，而GaN则主要用作笔记本电脑、移动设备和其他消费设备的快速充电器。本文主要说明的是宽禁带FET的测试，但双脉冲测试也可应用于硅器件、MOSFET或IGBT中。
2024-10-23
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IGBT 脉冲测量方法的优点?正确选择脉冲测量
采用快速 IGBT 开关的脉冲测量方法应用范围非常广泛。它适用于几乎所有类型的电感功率元件，从小型 SMD 电感器到重达几吨的 MVA 范围的功率扼流圈。
2024-10-12
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