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功率器件热设计基础（五）——功率半导体热容
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
2024-12-06
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在逆变器应用中提供更高能效，这款IGBT模块了解一下
制造商和消费者都在试图摆脱对化石燃料能源的依赖，电气化方案也因此广受青睐。这对于保护环境、限制污染以及减缓破坏性的全球变暖趋势具有重要意义。电动汽车(EV)在全球日益普及，众多企业纷纷入场，试图将商用和农业车辆(CAV)改造成由电力驱动。
2024-11-27
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功率器件热设计基础（三）——功率半导体壳温和散热器温度定义和测试方法
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
2024-11-25
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功率器件热设计基础（四）——功率半导体芯片温度和测试方法
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
2024-11-23
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功率器件的热设计基础（二）——热阻的串联和并联
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
2024-11-12
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功率器件热设计基础（一）——功率半导体的热阻
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
2024-11-11
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车载充电器材料选择比较：碳化硅与IGBT
车载充电器 (OBC) 解决了电动汽车 (EV) 的一个重要问题。它们将来自电网的交流电转换为适合电池充电的直流电，从而实现电动汽车充电。随着每年上市的电动汽车设计、架构和尺寸越来越丰富，车载充电器的实施也变得越来越复杂。
2024-11-11
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采用IGBT5.XT技术的PrimePACK™为风能变流器提供卓越的解决方案
鉴于迫切的环境需求，我们必须确保清洁能源基础设施的启用，以减少碳排放对环境的负面影响。在这一至关重要的举措中，风力发电技术扮演了关键角色，并已处于领先地位。在过去的20年中，风力涡轮机的尺寸已扩大三倍，其发电功率大幅提升，不久后将突破15MW的大关。因此，先进风能变流器的需求在不断增长。这些变流器在恶劣境条件下工作，需要高度的可靠性和坚固性，以确保较长的使用寿命。为了在限制机柜内元件数量的情况下最大化功率输出，我们需要采用高功率密度设计。鉴于需求的持续增长，我们的大规模生产能力显得尤为关键通过对现有逆变器设计的升级，不仅能够降低风险，还能缩短开发时间，最终达到优化设计和开发流程的目的。
2024-10-27
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用Python自动化双脉冲测试
电力电子设备中使用的半导体材料正从硅过渡到宽禁带（WBG）半导体，比如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等半导体在更高功率水平下具有卓越的性能，被广泛应用于汽车和工业领域中。由于工作电压高，SiC技术正被应用于电动汽车动力系统，而GaN则主要用作笔记本电脑、移动设备和其他消费设备的快速充电器。本文主要说明的是宽禁带FET的测试，但双脉冲测试也可应用于硅器件、MOSFET或IGBT中。
2024-10-23
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IGBT 脉冲测量方法的优点?正确选择脉冲测量
采用快速 IGBT 开关的脉冲测量方法应用范围非常广泛。它适用于几乎所有类型的电感功率元件，从小型 SMD 电感器到重达几吨的 MVA 范围的功率扼流圈。
2024-10-12
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高压栅极驱动器的功率耗散和散热分析，一文get√
高频率开关的MOSFET和IGBT栅极驱动器，可能会产生大量的耗散功率。因此，需要确认驱动器功率耗散和由此产生的结温，确保器件在可接受的温度范围内工作。高压栅极驱动集成电路（HVIC）是专为半桥开关应用设计的高边和低边栅极驱动集成电路，驱动高压、高速MOSFET 而设计。
2024-10-08
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更高额定电流的第8代LV100 IGBT模块
本文介绍了为工业应用设计的第8代1800A/1200V IGBT功率模块，该功率模块采用了先进的第8代IGBT和二极管。与传统功率模块相比，该模块采用了分段式栅极沟槽（SDA）结构，并通过可以控制载流子的等离子体层（CPL）结构减少芯片厚度，从而显著的降低了功率损耗。特别是，在开通dv/dt与传统模块相同的情况下，SDA结构可将Eon降低约60%，通过大幅降低功率损耗，模块可以提高功率密度。通过采用这些技术并扩大芯片面积，第8代1200V IGBT功率模块在相同的三菱电机LV100封装中实现了1800A的额定电流，是传统1200V IGBT功率模块的1.5倍。
2024-09-25
- 强强联手！贸泽电子携手ATI，为自动化产线注入核心部件
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