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使用隔离式栅极驱动器的设计指南（二）：电源、滤波设计与死区时间
本设计指南分为三部分，将讲解如何为电力电子应用中的功率开关器件选用合适的隔离栅极驱动器，并介绍实战经验。上次为大家梳理了隔离式栅极驱动器的介绍和选型指南，本文为第二部分，将带大家全面了解使用安森美(onsemi)隔离式栅极驱动器的电源、滤波设计以及死区时间控制。
2023-03-01
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DIP开关如何选型？搞懂这些基础知识，就不难！
DIP开关是由一组开关组成的单一装置，通常安装在 PCB 或试验板上。这种开关执行最基本的操作，开关位置必须手动设置，因此在系统启动时很容易确定其状态，而薄膜键盘等器件则不同，薄膜键盘必须由微控制器轮询。这种简单性使 DIP 开关非常适合于向基本系统固件提供输入，因为不需要多少计算能力就能确定开关是否闭合。
2023-02-27
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使用隔离式栅极驱动器的设计指南（一）
本设计指南分为三部分，将讲解如何为电力电子应用中的功率开关器件选用合适的隔离栅极驱动器，并介绍实战经验。本文为第一部分，主要包括隔离式栅极驱动器的介绍和选型指南。
2023-02-24
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了解RET的开关特性
可通过基极电流开启或关闭双极结型晶体管(BJT)。但是，由于基极-发射极二极管两端的压降在很大程度上取决于温度，因而在许多应用中，需要一个串联电阻将基极电流保持在所需水平，从而确保BJT稳定安全地工作。阅读本文，了解如何使用RET来应对标准BJT的温度依赖性。
2023-02-23
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单相全桥逆变器的操作
如前所述，单相全桥逆变器用于将直流电转换为交流电。在该电路中，电子开关成对工作，在一个半波中，只有S1和S2闭合，而在另一个半波中，S3和S4闭合。逆变器的输出是可变频率的交流电压，取决于驱动设备的波形频率。图 1 显示了该逆变器的一般操作图。实际上，电路的“a”部分中的电子开关与“b”部分中的电子开关互补控制。在这种情况下，开关是理想的设备。
2023-02-21
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5大重要技巧让您利用 SiC 实现高能效电力电子产品！
当您设计新电力电子产品时，您的目标任务一年比一年更艰巨。高效率是首要要求，但以更小的尺寸和更低的成本提供更高的功率是另一个必须实现的特性。SiC MOSFET 是一种能够满足这些目标的解决方案。以下重要技巧旨在帮助您创建基于 SiC 半导体的开关电源，其应用领域包括光伏系统、储能系统、电动汽车 (EV) 充电站等。
2023-02-17
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通过消除噪音改进 RFID
RFID 是一项伟大的技术，但嘈杂的电源和其他干扰因素会破坏性能。使用低频信号（约 130 kHz）的 RFID 阅读器，如行业主力 TIRIS RFM-007B，当然对该频率范围内的噪声非常敏感。鉴于开关模式电源通常会在此范围内产生杂音， 通常需要笨重且昂贵的线性电源才能获得灵敏度。
2023-02-16
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借助200V超快速恢复整流器充分提高SMPS效率
工程师可以通过正确选择恢复整流二极管类型来优化其功率设计的效率。对于 200V 区域，Nexperia（安世半导体）的高端超快速 PNE 系列可以在开关模式电源方面发挥作用。本文将使用 DC-DC 转换器来演示二极管的优势。
2023-02-14
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MOS管开通过程的米勒效应及应对措施
在现在使用的MOS和IGBT等开关电源应用中，所需要面对一个常见的问题 — 米勒效应，本文将主要介绍MOS管在开通过程中米勒效应的成因、表现、危害及应对方法。
2023-02-10
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如何使用隔离运算放大器构建电源环路补偿
误差放大器作为开关电源中的重要器件，对开关电源环路进行补偿，开关电源的输出的精度和响应速度有着重要作用。本文首先将光耦+TL431 和 CA-IS3102W 进行了对比，阐述了川土微电子CA-IS3102W在开关电源应用中的优势，给出了典型应用中的一些方法和建议。
2023-02-08
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功率MOSFET零电压软开关ZVS的基础认识
高频高效是开关电源及电力电子系统发展的趋势，高频工作导致功率元件开关损耗增加，因此要使用软开关技术，保证在高频工作状态下，减小功率元件开关损耗，提高系统效率。
2023-02-07
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碳化硅MOSFET尖峰的抑制
SiC MOSFET 作为第三代宽禁带半导体具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，在各种各样的电源应用范围在迅速地扩大。其中一个主要原因是与以前的功率半导体相比，SiC MOSFET 使得高速开关动作成为可能。但是，由于开关的时候电压和电流的急剧变化，器件的封装电感和周边电路的布线电感影响变得无法忽视，导致漏极源极之间会有很大的电压尖峰。这个尖峰不可以超过使用的MOSFET 的最大规格，那就必须抑制尖峰。
2023-02-06
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