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针对家电电机驱动应用的600V超高速沟道IGBT
IR公司新推出600V超高速沟道IGBT，该器件可大幅降低开关与导通损耗，在更高频率下可提升功率密度和效率。并具有6A额定电流及不小于 5μs的最低短路额定值，适用于广泛的开关频率，最高达20kHz。
2012-10-19
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导通损耗降低20%的新一代1200V IGBT
Microsemi扩展其NPT IGBT产品系列，发布三款1200V IGBT新产品。相比竞争产品，栅极电荷(Qg)显著减少，具有更快的开关性能，总体开关和导通损耗显著降低20%或更多。些IGBT器件设计用于大功率的高性能开关模式产品，比如电焊机、太阳能逆变器和不间断开关电源。
2012-09-13
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发力电机驱动应用，飞兆半导体推最新IGBT
此次，飞兆半导体借助最新款带短路功能的IGBT，提高电机驱动效率和可靠性。600V IGBT提供5A至15A的电流额定值，通过低VCE(sat)额定值能够最大限度地减少功率损耗，满足严格的能效指标。
2012-09-10
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简单实现晶闸管直流稳压器的过流保护
尽管功率场效应VDMOS 和绝缘栅双极型晶体管IGBT等电力半导体元器件层出不穷，且在电力电子技术领域占据重要位置，晶闸管（可控硅） 却因耐高压耐大电流冲击的特性，仍有着稳固的阵地，受到用户的青睐。在摈弃电流采样、放大和执行等多个环节的情况下，将单结晶体管移相触发器中的晶体管误差放大器改为集成运算放大器，就可实现晶闸管直流稳压器的过流及短路保护，简化了电路结构，并提高了整机的稳定可靠性能和AC - DC变换效率。
2012-08-29
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英飞凌推出CoolSiC 1200V SiC JFET器件 开关损耗大幅降低
英飞凌推出新的CoolSiC 1200V SiC JFET 系列，与IGBT相比，新型 CoolSiC 1200V SiC JFET大幅度降低了开关损耗，在不牺牲系统总体效率的情况下，可以支持更高的开关频率。设计人员可在不增加太阳能逆变器体积的情况下，实现更高的输出功率。
2012-06-21
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罗姆实现SiC-SBD与SiC-MOSFET一体化封装 可替代Si-IGBT
罗姆面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器，开发出耐压高达1200V的第2代SiC MOSFET“SCH2080KE”。实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装，与Si-IGBT相比，工作损耗降低了70％，达到50kHz以上的开关频率
2012-06-18
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Fairchild推出低功耗点火IGBT器件，可将VSAT降低多达20%
为了满足现今和新兴点火系统对排放和高燃油效率的严苛要求，汽车设计人员需要更高性能的点火线圈驱动器技术。为帮助设计人员满足这些要求，飞兆半导体公司推出了在较小的占位面积下具有更低功耗的最新一代点火IGBT器件。EcoSPARK2、FGD3040G2和FDG3440G2点火线圈驱动器可将VSAT降低多达20%，而不会显著降低自箝位感性负载开关的能量。这项优化特性减低了功耗和工作结温，并降低了对散热器的要求。
2012-06-04
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IR 600V车用COOLiR IGBT开关速度比肩MOSFET
国际整流器公司 (IR)推出600V车用IGBT平台COOLiRIGBT，能够以MOSFET一样快的开关速度运行，适合电动车 (EV) 和混合动力车 (HEV) 中的各种高速开关应用，包括车载直流-直流转换器、电机驱动器、电池充电器等。
2012-05-30
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英飞凌推出光伏发电逆变器耐压1200V SiC型FET
德国英飞凌科技（Infineon Technologies AG）开发出了适用于光伏发电用逆变器等的耐压为1200V的SiC型FET（JFET）“CoolSiC产品群”，新产品的主要用途为光伏发电的逆变器装置。如果采用SiC型FET代替现有逆变器装置中使用的IGBT，便可实现装置的小型轻量化。这是因为新产品可实现高于IGBT的工作速度。也就是说，即便提高工作频率，也能降低开关损失。因此，电感器及电容器等被动元件可使用小型产品，所以能够实现整个装置的小型轻量化。
2012-05-24
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IR针对EV|HEV推出600V超高速开关、耐用高频IGBT
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR)推出高度创新的600V车用IGBT平台COOLiRIGBT，它能够以和MOSFET一样快的开关速度运行，同时在高电平下还提供更高的效率。COOLiRIGBT适合电动车 (EV) 和混合动力车 (HEV) 中的各种高速开关应用，包括车载直流-直流转换器、电机驱动器、电池充电器等。
2012-05-23
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BM6103FV-C:罗姆推出业内最小车载用内置绝缘元件的栅极驱动器
日本知名半导体制造商罗姆株式会社（总部位于日本京都市）开发出内置绝缘元件的栅极驱动器“BM6103FV-C”，最适合作为电动汽车（EV）和混合动力车（HEV）逆变回路中IGBT以及功率MOSFET的驱动元件。
2012-05-22
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业界最小！罗姆开发出车载用内置绝缘元件的栅极驱动器
罗姆株式会社开发出内置绝缘元件的栅极驱动器“BM6103FV-C”，最适合作为电动汽车（EV）和混合动力车（HEV）逆变回路中IGBT以及功率MOSFET的驱动元件。本产品融合了罗姆独创的BiCDMOS技术与新开发的片上变压器工艺技术，作为内置了绝缘元件的栅极驱动器，是业界最小(截至2012年5月22日,根据罗姆的调查)的小型封装，有助于逆变器电路的小型化。另外，与传统的光耦方式相比，可大幅降低耗电量，而且由于具备了所有必要的保护功能和品质要求，可减少设计时的工作量。
2012-05-22
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