-
聚焦电池管理与元器件替换 突破新能源/新能源汽车效率瓶颈
在科技部发布的《十二五科技发展规划》中，新能源系统和新能源汽车是十二五规划的产业重点之一。同时，积极利用新能源，发展新能源汽车也符合国际社会对节能减排的环保诉求。高能效设计研讨会聚焦新能源和新能源汽车的关键技术问题，通过动力电池管理、IGBT应用、薄膜电容和超级电容应用、系统测试四大技术热点的分享帮助工程师解决设计难题。
2012-04-09
-
650V:飞兆半导体IGBT提高功率转换应用的效率和系统可靠性
太阳能功率逆变器、不间断电源(UPS)以及焊接应用的设计人员面临提高能效，满足散热法规，同时减少元件数目的挑战。有鉴于此，飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发了一系列针对光伏逆变器应用的650V IGBT产品，帮助设计人员应对这一行业挑战。
2012-03-29
-
IGBT模块的作用
对IGBT的特性及使用时的注意事项进行了探讨，提出了选择和安装过程中应该注意的方面。
2012-03-15
-
IGBT整流器功率因数控制方法及CT损坏对整流器的影响
IGBT整流器是一种电压型PWM整流器，具有能量双向流动、恒定直流电压控制，以及高功率因数控制（cosφ≈1.0）等特点。使用该类型整流器除了实现高功率因数节省电能外，还能够减少电网谐波，省去电网侧无功补偿svc装置。本文介绍IGBT整流器功率因数控制的方法及CT损坏对整流器的影响。
2012-02-29
-
基于EXB841的IGBT驱动与保护电路设计
多绝缘栅双极型晶体管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种由双极型晶体管与MOSFET组合的器件，它既具有MOSFET的栅极电压控制快速开关特性，又具有双极型晶体管大电流处理能力和低饱和压降的特点，近年来在各种电能变换装置中得到了广泛应用。但是，IGBT的门极驱动电路影响IGBT的通态压降、开关时间、快开关损耗、承受短路电流能力及du/dt等参数，并决定了IGBT静态与动态特性。因此设计高性能的驱动与保护电路是安全使用IGBT的关键技术。
2012-02-21
-
逆变H桥IGBT单管驱动+保护详解
本文给逆变器的后级H桥电路换上IGBT管，从IGBT的驱动电路、电流采集电流和保护机制三个角度，深入了解IGBT的相关特性，发现采用峰值电流保护的措施能让逆变H桥电路中的IGBT不会炸。
2012-02-07
-
大功率变流器系统H桥低感叠层母线排设计
本文从实际出发，针对80kva/400a变流系统h桥母线排提出一种新的优化设计方案，从igbt布局，母排结构设计，缓冲吸收电路选择等方面全方位保证母排电感参数达到最优，在实际应用中有很好的可行性和可靠性。
2012-02-07
-
AUIR0815S：IR推出超低输出阻抗车用栅极驱动IC
全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出车用IC ── AUIR0815S，具备超过10 A 的高输出电流，能够驱动逆变器级的大型 IGBT 和 MOSFET，适用于混合动力汽车和电动汽车中的动力系统。
2012-02-02
-
UCC27524/UCC27210(1)：TI推出高效率可靠MOSFET驱动器
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出3款可提高高密度隔离式电源效率与可靠性的新一代双通道输出栅极驱动器，进一步壮大其MOSFET驱动器产品阵营。UCC27210与UCC27211是业界首批120 V启动高低侧双通道输出MOSFET驱动器，可在解决驱动器输入-10 V直流电(VDC)抗扰度问题的同时，提供高达4 A的输出电流。此外，TI还面向二次侧同步整流器MOSFET及IGBT电源开关推出了业界速度最快的5 A双通道低侧驱动器UCC27524。
2012-01-17
-
IGBT强驱动电路的设计及电流尖峰抑制方案
根据脉冲渗碳电源要求，本文设计了一种具有高可靠性、信号传输无延迟、驱动能力强等特点的IGBT强驱动电路，详细分析了工作原理，并对电路测试中出现的电流尖峰进行了抑制。在此基础上得出几个主要影响驱动电路的因素。
2012-01-13
-
PWM放大器的中频电源研究
随着电力电子技术及器件的发展；特别是功率MOSFET、IGBT、MCT、IPM以及单片集成脉宽调制功率放大器等新型器件的出现；使电压型SPWM逆变器得到广泛的关注、开发和应用。
2012-01-04
-
DC/DC电源技术研究
随着电力电子技术的发展，很多场合需要大功率大电流的直流电源。EAST的磁约束核聚变装置使用的直流快控电源即是一种大功率直流电源，其技术要求为：电压响应时间1ms峰值电压50V；最大电流20kA，能实现4个象限的运行。针对此要求，不可避免地需采用电源并联技术，即功率管并联或电源装置的并联。对于20kA直流电源，若采用功率管IGBT并联，每个桥臂则至少需15只功率管并联，这不但给驱动带来很大困难，而且，在一般情况下，电流容量较大的功率管的电压容量也较大，在实际电压只有50V 的情况下，对功率管的电压容量而言，这是极大的浪费。因此，提出采用多米诺结构的DC/DC电源装置并联技术思路。
2011-12-27
- 噪声中提取真值！瑞盟科技推出MSA2240电流检测芯片赋能多元高端测量场景
- 10MHz高频运行！氮矽科技发布集成驱动GaN芯片，助力电源能效再攀新高
- 失真度仅0.002%！力芯微推出超低内阻、超低失真4PST模拟开关
- 一“芯”双电！圣邦微电子发布双输出电源芯片，简化AFE与音频设计
- 一机适配万端：金升阳推出1200W可编程电源，赋能高端装备制造
- TI 推出全栈嵌入式边缘 AI 方案，依托 MCU+NPU 架构破解终端 AI 落地难题
- 东芝推出高浪涌耐受 3300V SiC MOSFET 模块 助力工业电力设备提升可靠性
- 瑞萨推出超小尺寸可配置GreenPAK IC 赋能小型化智能终端硬件设计升级
- Silicon Line推出MSDL 20G超低功耗互连芯片组 突破传统MIPI传输布线瓶颈
- 极海推出 G32R502 高性价比实时控制 MCU/DSP 面向电源与运动控制场景实现性能成本平衡
- 车规与基于V2X的车辆协同主动避撞技术展望
- 数字隔离助力新能源汽车安全隔离的新挑战
- 汽车模块抛负载的解决方案
- 车用连接器的安全创新应用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
