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注重解决系统效率、体积和可靠性的新型元器件方案
科技部发布的《十二五科技发展规划》将太阳能发电、风力发电、新能源汽车列为十二五规划的产业重点，为帮助工程师解决在设计上述系统时遇到的效率、体积和可靠性等问题，第七/八届新型节能设计技术研讨会邀请来自威世、凌力尔特、基美电子、英飞凌、罗姆、品佳电子的技术专家，重点探讨了包括超快恢复二极管、薄膜电容、铝电容、钽电容、聚合物电容、MOSFET、IGBT、SiC器件在内的电子元器件在太阳能发电、风力发电、新能源汽车、工业与通讯等领域中的应用。本期半月谈通过三大主题分别介绍第七/八届新型节能设计技术研讨会的技术精华。
2011-09-14
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详谈IGBT电力电子装置的应用
IGBT集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优点于一体，具有电压控制、输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、通断速度快和工作频率高等优点。而IGBT的驱动和保护电路是电路设计的难点和重点，是整个装置运行的关键环节。
2011-09-09
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IR 推出可靠的超高 1200 V IGBT 以降低开关及传导损耗
全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出针对感应加热、不间断电源（UPS）太阳能和焊接应用而设计的可靠、高效 1200V 绝缘栅双极晶体管 （IGBT） 系列。
2011-09-07
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关于IGBT导通延迟时间的精确测量方法
在某些对器件时间特性要求较高的工程应用中，需要更精确地确定IGBT的导通延迟时间。因而高精度的测量时间间隔是测量领域一直关注的问题。本文从精简结构，同时兼顾精度的角度出发，提出一种基于时间测量芯片TDC-GP2来精确测量IGBT导通延迟时间系统，用于测量IGBT的导通延迟时间，实现简单且成本低的一种较为理想的测量方案。
2011-09-06
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单正向栅驱动IGBT简化驱动电路
为了防止高dV/dt应用于桥式电路中的IGBT时产生瞬时集电极电流，设计人员一般会设计栅特性是需要负偏置栅驱动的IGBT。然而提供负偏置增加了电路的复杂性，也很难使用高压集成电路（HVIC）栅驱动器，因为这些IC是专为接地操作而设计──与控制电路相同。因此，研发有高dV/dt能力的IGBT以用于“单正向”栅驱动器便最为理想了。这样的器件已经开发出来了。器件与负偏置栅驱动IGBT进行性能表现的比较测试，在高dV/dt条件下得出优越的测试结果。
2011-08-29
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升压电路
目前，dc-dc升压电路在当代的应用可谓是越来越广泛，dc-dc升压电路是值得我们好好学习的，现在我们就深入了解dc-dc升压电路。 dc-dc升压电路 DC-DC 5V升压到30V的电路图 dc-dc升压电路图 dc-dc升压电路问题实战 电子元件技术网网友问： 怎样可以把0.2V电压升到2.0V电压的IC和电路图？ 电子元件技术网答： 如果是功率升压，也就是没有外界电源的情况下，你这是不可能做到的。因为0.2V太低了，升压的电路不外乎BOOST拓扑，需要用到开 关管，三极管至少要有0.6V的控制电压，用MOS管的话至少要有5V的控制电压，这是不可能做到的。专门的升压IC内部也不过是这些东 西，不可能实现的。 如果是信号电压放大的话用运算放大器就可以了，不过需要有至少3V的外界电压供电。 dc dc升压电路原理 升压变换电路结构与工作原理 dc-dc升压电路 工作原理:稳态情况下,T断开时, 电感电流减少,uL=US - uC <0 uC =US - uL > US 升压变换电路 升压变换电路IGBT实现 两种情形:.电感电流连续 .电感电流断续 假设条件：
2011-08-29
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新型节能设计技术研讨会圆满举办 打造西部电子高能效设计技术盛会
由CNT Networks、中国电子展组委会和China Outlook Consulting联合在成都和西安两地成功举办了第七/八届新型节能设计技术研讨会成功举办。本届研讨会成都站活动于8月23日将在成都明悦大酒店举办；8月25日移师西安曲江国际会展中心，与中国（西安）电子展同期举行。来自威世、凌力尔特、基美电子、英飞凌、罗姆、品佳电子的技术专家全面介绍了包括超快恢复二极管、薄膜电容、铝电容、、钽电容、聚合物电容、MOSFET、IGBT、SiC器件在内的电子元器件在太阳能发电、风力发电、新能源汽车、工业与通讯等领域中的应用
2011-08-27
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绿色能源计划推动中国IGBT市场增长
据IHS iSuppli公司中国研究服务即将发表的一份报告，由于绿色能源与能源效率得到更多的重视，以及政府投资支持和严格的能源政策，2011-2015年中国绝缘栅双极型晶体管(IGBT)市场销售额的复合年度增长率将达13%...
2011-08-15
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IGBT构成的交流传动逆变器的设计
随着半导体器件的发展，IGBT越来越多的被应用到交流传动技术中。本文主要分析了IGBT构成的交流传动逆变器的主电路原理、逆变电路结构及缓冲保护电路结构，并对主电路的安装布局以及电压电流参数的选取做出了说明，同时提出了一种由M57959构成的IGBT驱动电路的设计。
2011-08-04
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高能效功率电子技术领域的新进展
从1957年第一只晶闸管的诞生开始，功率电子技术以相当迅猛的速度发展。近年来又取得了长足的进展，产生极佳的经济及社会效益。从美国高能效经济委员会(ACEE)出版的一份报告可以看到，到2030年，受益于采用半导体技术而获得的更高能效，可以使美国的经济规模扩大70%以上，与此同时，使用的电能却将减少11%。作为高能效功率电子技术领域的领先厂商，安森美半导体一直专注于超低损耗MOSFET/IGBT、智能电源IC及集成功率模块等方面的研发和创新，而且取得了长足的进展。
2011-07-27
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大功率弧焊逆变电源的IGBT保护技术
本文通过分析IGBT的结构及其安全工作区，解释了在实际应用中可能造成其损坏的原因，并利用硬件电路结合单片机的控制程序对弧焊逆变电源的IGBT采取相应措施进行保护，从而确保了IGBT安全可靠的工作。
2011-07-15
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新应用带动IGBT革新
前些年消费电子和工业控制是推动IGBT市场快速发展的两架马车，中小功率IGBT大放异彩。如今在新能源汽车、高铁、新能源等新兴应用的“提携”下，大功率IGBT迎来了新的春天，而这些应用带来新的课题，与之相应的是革新的永不止步。
2011-07-11
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