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Diodes推出减少 IGBT 开关损耗的40V 闸极驱动器
Diodes 公司推出专为开关高功率 IGBT 设计的 ZXGD3006E6 闸极驱动器（gate driver） ，有助于提高太阳能逆变器、电机驱动和电源应用的功率转换效率。
2011-07-08
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IGBT及其子器件的四种失效模式
本文通过案例和实验，概述了四种IGBT及其子器件的失效模式：MOS栅击穿、IGBT-MOS阈值电压漂移、IGBT有限次连续短路脉冲冲击的积累损伤和静电保护用高压npn管的硅熔融。
2011-07-07
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IGBT的四大保护措施
在中大功率的开关电源装置中，IGBT由于其控制驱动电路简单、工作频率较高、容量较大的特点。本文通过对IGBT损坏机理的分析，根据其损坏的原因，提供栅极保护、过压、过流、过热四大有效的保护措施，以保证IGBT安全可靠工作。
2011-07-07
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影响IGBT驱动电路性能参数的因素分析
在硬开关桥式电路中，功率器件IGBT能否正确可靠地使用起着至关重要的作用。驱动电路就是将控制电路输出的PWM信号进行功率放大，以满足驱动IGBT的要求，所以，驱动电路设计的是否合理直接关系到IGBT的安全、可靠使用。为了确保驱动电路设计的合理性，使用时必须分析驱动电路中的参数。
2011-06-29
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IGBT市场需求加大 供货紧张持续到年底
随着中国高铁、地铁、动车、风力发电、光伏发电、电动/混合动力汽车等领域的快速发展，市场对IGBT及其模块的需求越来越大。据IHS iSuppli公司的研究，由于工业与消费领域的需求增长，中国绝缘栅双极型晶体管(IGBT)市场未来几年将快速增长，2014年销售额将从2009年的4.297亿美元上升到9.75亿美元，增长一倍以上。
2011-06-28
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英飞凌600V功率开关器件家族又添新丁
在德国纽伦堡举办的PCIM Europe 2011展会（5月17日至19日）上，英飞凌科技600V逆导型（RC）IGBT家族的两名新成员闪亮登场。
2011-06-01
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2014年IGBT销售额将增一倍
据IHS iSuppli公司的研究，由于工业与消费领域的需求增长，中国绝缘栅双极型晶体管(IGBT)市场未来几年将快速增长，2014年销售额将从2009年的4.297亿美元上升到9.75亿美元，增长一倍以上。
2011-04-18
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场效应管在音响电路中的合理应用
本文通过两个容易被发烧友特别是初学者所忽略的要点来说明场效应管的合理应用。目前，应用于音响领域的场效应管包括结型管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOsFET)，而后者又分为LDMOS、VMOS及近年出现的UHC、IGBT等，并且至今仍在不断发展与完善之中。
2011-04-08
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PCIM-Asia优质厂商引领IGBT市场格局
PCIM-Asia优质厂商引领IGBT市场格局
2011-03-24
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IGBT 在不间断电源（UPS）中的应用
在UPS 中使用的功率器件中IGBT 成为UPS 功率设计的首选，只有对IGBT的特性充分了解和对电路进行可靠性设计，才能发挥IGBT 的优点。本文介绍UPS 中的IGBT 的应用情况和使用中的注意事项。
2011-03-01
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优化高电压IGBT在高效率太阳能逆变器中的应用
多年来的调查和分析显示，IGBT比其他功率晶体管有更多优点，当中包括更高电流能力，利用电压而非电流来进行栅极控制，以及能够与一个超快速恢复二极管协同封装来加快关断速度。此外，工艺技术及器件结构的精细改进也使IGBT的开关性能得到相当的改善。其他优点还包括更好的通态性能，以及拥有高度耐用性和宽安全工作区。在考虑这些质量之后，这种功率逆变器设计就会选用高电压IGBT，作为功率开关的必然之选。
2011-02-06
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IGBT驱动与保护电路
多绝缘栅双极型晶体管IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是一种由双极型晶体管与MOSFET组合的器件，它既具有MOSFET的栅极电压控制快速开关特性，又具有双极型晶体管大电流处理能力和低饱和压降的特点，近年来在各种电能变换装置中得到了广泛应用。本文基于EXB841设计IGBT的驱动电路如图2所示，包括外部负栅压成型电路、过流检测电路、虚假过流故障识别与驱动信号锁存电路，故障信息报警电路。
2011-01-24
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