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Li电池充电器CC-CV充电测试
由于锂离子电池充电过程需要一小时或更长时间，利用实际负载测试锂电池充电器将非常耗时，而且往往不切实际。为了加快电池充电器测试，本文介绍了一个简单电路，用来模拟锂离子电池。该电路提供了一个不使用实际电池对锂电池充电器进行测试的有效手段。
2010-05-06
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集成智能电源选择器的双输入线性充电器
Maxim推出业内首款集成智能电源选择器(Smart Power Selector)电路的双输入线性充电器MAX8934，器件符合JEITA (日本电子信息技术产业协会)推荐标准，能够在各种温度条件下实现安全充电。
2010-04-08
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ICbq246xx：TI推出开关模式独立电池充电器
德州仪器宣布面向 5 V 至 28 V 电压输入的锂离子电池供电应用推出三款最新开关模式独立电池充电器 IC。这些器件采用小型封装，可为工业手持设备、移动因特网设备 (MID)、上网本、电源工具以及便携式医疗设备等大众市场应用实现具有高准确性与高效的充电功能。
2010-03-23
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FSEZ1307/FSEZ1317/FAN103：飞兆半导体提供种类最丰富的初级端调节PWM控制器系列
飞兆半导体公司业界领先的初级端调节(PSR)脉宽调制(PWM)控制器系列为移动充电器、适配器及LED照明应用的设计人员提供了多种解决方案，以满足能源之星(ENERGY STAR®) Level V等标准严格的功率和稳压规范要求。
2010-03-11
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飞兆半导体推出带USB/充电器检测功能的便携应用过电压保护器件
FAN3988具备内置自动检测功能，器件通过连续监控短路条件下的D+ / D-线，能够感测是否连接USB充电器。此外，器件还通过监控VBUS来感测过压或者欠压状况。当达到过压阈值时，FAN3988立即禁用外部P沟道MOSFET。这些功能减小了设计的复杂性，并省去外部电路，节省了线路板空间。这款新型OVP器件是满足新兴过压保护标准要求的理想选择，对于手机尤为适合。
2010-03-11
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FAN3988：飞兆推出带有检测功能的过压保护器件
飞兆半导体公司(Farichild Semiconductor) 为手机和手持移动产品设计人员提供一款带有高集成度过电压保护(OVP)和USB/充电器检测功能的器件FAN3988。
2010-03-10
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多种功能的完美结合造就了线性充电器稳健的系统设计
随着便携式设备所处的环境越来越严苛，便携式终端用户将继续面临稳健性及稳定性方面的挑战。某类产品与其他产品的主要区别体现在各种苛刻环境中，设备的稳定性、可靠性以及稳健性的不同。bq2406X 产品系列具有独特的输入过电压保护、散热调节以及 DTC 功能，实现了一款稳健的系统设计。
2010-02-24
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PI高效率充电适配器设计解决方案
充电器和外部电源所消耗的总电量在住宅总用电量中占有很大的比重，这个问题已经引起了世界上各监管的注意。许多国家的全国性标准都是参照美国的能源之星规范建立起来的。能源之星外部电源2.0版(Energy Star EPSV2.0)规范根据输出功率的不同为要求的效率设定了滑动标准。对于5W充电器而言，其效率必须高于68%。满足这一限值可并非易事，这将会使如今市场上的大部分充电器被迫重新设计，或者停止销售。
2010-02-22
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三款手机充电器解决方案比较
本文涉及TH102手机充电器解决方案设计技术细节，以及与两款手机充电器竞争方案（POWER INTEGRATIONS INC的TNY264，ST的PIVer12A）的比较。
2010-02-19
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iCharge DX：日本厂商推出便携式太阳能充电器
由日本周边厂商Linksinternational推出一款便携式太阳能充电器“iCharge DX”，这款多功能充电器适用于各种主机，用途包括DS Lite/DSi/DSi LL/PSP、iPhone/iPod touch、各种便携式电子设备。
2010-02-01
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手机充电器统一进展仍缓慢 跨品牌使用尚难
日前工信部发布125项推荐性通信行业标准，其中对2006年发布的手机充电器统一标准进行了修订，明确将手机与充电器的连接变成三段式结构，并要求同一充电器可对不同品牌型号的手机进行充电。此举无疑将对手机充电器市场的规范化起到了进一步推进作用。据工信部有关人士透露，当符合全新升级标准的手机充电器达到一定市场保有量时，有关手机入网许可的相关政策可能会做出调整，手机类产品获得入网许可时厂商将不再要求配备充电器，以达到进一步节约环保的目的。
2010-02-01
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SunlinqU.S.B.Mini/SunlinqU.S.B.Plus：美国公司推出其U.S.B功能的太阳能充电器
GlobalSolarEnergyInc.向市场推出一款新的便携式太阳能充电器，这款充电器可通过通用串行总线接口USB进行充电。
2010-01-25
- 机构预警：DRAM价格压力恐持续至2027年，存储原厂加速扩产供应HBM
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