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贸泽电子新品推荐：2024年第四季度推出超过10,000个新物料
致力于快速引入新产品与新技术的业界知名代理商贸泽电子 (Mouser Electronics)，首要任务是提供来自1,200多家知名厂商的新产品与技术，帮助客户设计出先进产品，并加快产品上市速度。贸泽旨在为客户提供全面认证的原厂产品，并提供全方位的制造商可追溯性。
2025-01-29
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使用MSO 5/6内置AWG进行功率半导体器件的双脉冲测试
SiC器件的快速开关特性包括高频率，要求测量信号的精度至少达到100MHz或更高带宽 (BW)，这需要使用额定500MHz或更高频率的示波器和探头。在本文中，宽禁带功率器件供应商Qorvo与Tektronix合作，基于实际的SiC被测器件 (DUT)，描述了实用的解决方案。
2025-01-26
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MOS管在开关电源中的核心作用及其关键性能参数对设计的影响
金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称MOSFET)是现代电子技术中不可或缺的元器件之一，在开关电源设计中扮演着至关重要的角色。开关电源作为现代电力转换和管理的核心组件，其性能与效率在很大程度上依赖于MOS管的选择与应用。本文将深入探讨MOS管在开关电源中的具体作用，并剖析其关键性能参数对电源整体性能的影响。
2025-01-25
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功率器件热设计基础（十三）——使用热系数Ψth(j－top)获取结温信息
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
2025-01-24
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意法半导体荣膺 2025 年全球杰出雇主认证
服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM) 首次被Top Employers Institute评选为2025年全球杰出雇主。
2025-01-24
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第14讲：工业用NX封装全SiC功率模块
三菱电机开发了工业应用的NX封装全SiC功率模块，采用低损耗SiC芯片和优化的内部结构，与现有的Si-IGBT模块相比，显著降低了功率损耗，同时器件内部杂散电感降低约47%。
2025-01-24
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基于 SiC 的三相电机驱动开发和验证套件
工业电机驱动器涵盖广泛的应用，从低压工业驱动器（例如风扇、泵和传送带、热泵和空调）以及伺服驱动器。据估计，这些通常由交流电源驱动的电动机占工业用电量的 70-80%。因此，人们有强烈的动机来提高这些驱动器的效率。即使该参数的微小改进也能在节省能源和成本方面产生深远的影响。国际电化学委员会 (IEC) 为电机和集成电机驱动器制定了各种效率标准。例如，现在主要国家都要求采用IE3标准。在欧盟，额定输出功率在 75 kW 至 200 kW 之间的电机需要符合 IE4 标准。
2025-01-21
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贸泽与TE Connectivity 和Microchip Technology联手推出聚焦汽车Zonal架构的电子书
贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布与全球连接器和传感器知名制造商TE Connectivity以及Microchip Technology合作推出全新电子书，深入探讨Zonal架构如何帮助设计师跟上汽车系统日益复杂化的步伐，以及它如何从根本上改变车辆构造。
2025-01-17
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用第三代 SiC MOSFET设计电源性能和能效表现惊人！
在各种电源应用领域，例如工业电机驱动器、AC/DC 和 DC/DC 逆变器/转换器、电池充电器、储能系统等，人们不遗余力地追求更高效率、更小尺寸和更优性能。性能要求越来越严苛，已经超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力，因而基于碳化硅 (SiC) 的新型晶体管架构应运而生。
2025-01-17
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如何通过配置控制器优化CAN总线系统性能
控制器局域网络(CAN)可在多个网络站点之间提供强大的通信能力，支持多种数据速率和距离。CAN具有数据链路层仲裁、同步和错误处理等特性，广泛用于工业、仪器仪表和汽车应用之中。在ISO 11898标准的框架下，借助分布式多主机差分信令和内置故障处理功能，DeviceNet、CANopen等多种协议针对物理层和数据链路层规定了相应的实现方式。本文旨在描述如何针对给定应用优化设置，同时考虑控制器架构、时钟、收发器、逻辑接口隔离等硬件限制。文章将集中介绍网络配置问题——包括数据速率和电缆长度——说明何时有必要对CAN节点进行重新配置，以及如何从一开始就实现对节点的优化配置。
2025-01-16
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功率器件热设计基础（十二）——功率半导体器件的PCB设计
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
2025-01-14
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解决模拟输入IEC系统保护问题
与系统模拟输入和输出节点交互作用的外置高压瞬变可能破坏系统中未采用充分保护措施的集成电路(IC)。现代IC的模拟输入和输出引脚通常采用了高压静电放电(ESD)瞬变保护措施。人体模型(HBM)、机器模型(MM)和充电器件模型(CDM)是用来测量器件承受ESD事件的能力的器件级标准。这些测试旨在确保器件能承受器件制造和PCB装配流程中的静电压力，通常在受控环境中实施。
2025-01-13
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