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FSGM0565R：飞兆功率开关推进离线式电源设计
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)响应客户对能够降低离线电源的待机功耗并简化设计的解决方案的需求，开发出业界唯一一款在内置650V耐雪崩SenseFET中集成漏电流感测功能的功率开关，该器件能够通过将过流时间延迟缩短至200 ns以下来降低功耗和提高可靠性。
2010-02-17
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利用CFD建模方法进行PCB热设计
常见的热分析方法是根据铜层的数量、厚度和覆盖百分比及电路板总厚度计算整个电路板的有效并行和正常导热率的平均值，然后利用平均并行和正常热导率计算电路板的热传导。然而在必须考虑电路板热导率局部变化的场合，这种方法并不合适。Icepak是一种热建模的软件工具，可以用于研究电路板中热导率的局部变化。除了计算流体动力学(CFD)功能外，该软件工具还把电路板的走线和过孔情况考虑进去，进而计算整个电路板上的热导率分布。
2010-02-15
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Acriche：首尔半导上市交流驱动的照明用白色LED
韩国首尔半导体（Seoul Semiconductor）宣布，可直接使用交流电的照明用白色LED“Acriche”的发光效率达到了100lm/W，2010年3月1日开始样品供货。
2010-02-11
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BMA220：博世发布采用2mm×2mm封装的3轴加速度传感器
德国博世传感器（Bosch Sensortec GmbH）发布了采用2mm×2mm×0.98mm尺寸LGA（land grid array）封装的3轴MEMS加速度传感器“BMA220”。意法半导体（STMicroelectronics）此前刚刚发布了采用2mm×2mm尺寸LGA封装的3轴MEMS加速度传感器。各公司开发的手机用3轴MEMS加速度传感器的封装尺寸有望迅速缩小到2mm见方。
2010-02-11
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NTP641x和NTB641x：安森美发布12款100V N沟道MOSFET
安森美半导体(ON Semiconductor)扩充NTP641x和NTB641x系列N沟道功率MOSFET系列，新增12款100V器件。安森美半导体经过完备测试的N沟道功率MOSFET提供高达500mJ的领先雪崩额定值，非常适用于要顾虑因非钳位电感型负载引致过渡电压应力的设计。
2010-02-10
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金大鹏蔡辉鹏先生专访：元器件市场 低价才是王道
深圳市金大鹏科技有限公司成立于一九八八年，是全国知名的集成电路批发商，经过十几年的发展，公司除了专业销售代理世界名牌IC、二三极管产品外，现在已经拥有了自己的品牌“JPD”。2010年2月3日，CNTRONICS（电子元件技术网）记者采访了深圳市金大鹏科技有限公司总经理蔡辉鹏先生。
2010-02-09
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Hittite推极低噪声线性稳压器
Hittite Microwave公司推出一款低噪声，高电源抑制比，四路输出的线性稳压器HMC860LP3E。该产品具有低噪声的带隙参考……
2010-02-08
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电源中的负载管理与负载开关设计与实现
电源给各个电路供电，各个电路就是电源的"负载"。例如发射电路及接收电路是电源的负载，功率放大电路也是电源的负载。另外，电源的负载还包括一些器件（如LED）或一些其他产品（如硬盘、直流电动机等）。多功能的便携式电子产品有很多功能电路组成，随着工作电压的不同，对电源的要求也不相同，因此有多个电源。要实现负载管理并不容易，现代的负载管理是由微处理器、电源管理IC及负载开关组成。本文介绍电源中的负载管理与负载开关设计与实现。
2010-02-08
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友达光电用氧化物TFT开发出37英寸全高清液晶面板
台湾友达光电（AU OptronicsAUO）用基于透明非晶氧化物半导体（TAOS）的TFT（TAOS-TFT）试制出了全高清（1920×1080像素）37英寸液晶面板……
2010-02-04
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力科WaveMaster 8Zi示波器荣赝Electronics Design 09年度“Best in Test”
测试设备供应商每年都改进之前的示波器，2009也不例外。力科WaveMaster 8 Zi系列数字示波器，串行数据分析员，磁盘驱动器分析仪是力科最大带宽、最快的实时示波器，提供了80GS/s采样率，512Mpts的分析深度和15GHz以上的边沿触发带宽。
2010-02-04
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Vishay Siliconix 发布4款600V MOSFET SiHx22N60S
Vishay 推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，将其Super Junction FET®技术延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封装。
2010-02-04
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California Micro Devices推出超低电容的ESD器件CM1227
California Micro Devices推出超低电容的ESD器件CM1227，PicoGuard CM1227 ESD器件超低通道输入电容为0.35pF，适合用于高速数字消费电子应用中。该器件可提供4个通道的±15kV接触ESD保护，超过了IEC61000-4-2 4级标准。
2010-02-02
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