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74系列芯片标准数字电路资料（功能大全）
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2009-12-10
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FAN6754：飞兆半导体推出提升轻负载效率的PWM控制器
关注全球节能的领导厂商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出一系列脉宽调制(PWM)控制器，新产品可让笔记本电脑电源的设计人员满足严苛的国际节能规范要求，包括强制要求工作模式下最低平均效率达到87%的能源之星(ENERGY STAR)外部电源(External Power Supply, EPS) 2.0版规范。
2009-12-09
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AMIS-30532/AMIS-30542：安森美推出两款微型集成驱动IC
全球首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出两款新的高集成度集成电路(IC)，令步进电机应用中以更少的元器件和更小的电路板空间驱动大电流电机。新的AMIS-30532及AMIS-30542微步步进电机驱动器拥有大电流能力，带集成H桥，非常适用于汽车、工业、办公设备、医疗及船舶应用中的运动控制。
2009-12-09
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NJM2841：新日本无线上市输出电压仅为0.8V的低饱和型稳压器
新日本无线针对微处理器、DSP及ASIC等数字IC用电源，上市了输出电压仅为0.8V的低饱和型稳压器“NJM2841”。输出电流最大为500mA。
2009-12-04
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productronica：领导世界电子生产制造展会
productronica：领导世界电子生产制造展会
2009-12-04
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三星否认欲购并英飞凌
全球最大存储器制造商三星电子(Samsung Electronics)发言人James Chung表示，三星无意购并英飞凌(Infineon)，市场上流传的购并传闻并不属实；此外，英飞凌表示不愿针对市场臆测发表评论。
2009-12-01
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安森美半导体推出高能效LED照明应用GreenPoint®参考设计
2009年11月25日 –应用于绿色电子产品的全球领先高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出两款新的GreenPoint®参考设计，加速及简化高能效发光二极管(LED)照明应用的开发。
2009-12-01
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Stack与NICT共同开发出新型电场探测器 可准确测量出微小电场
日本Stack电子开发出了可准确测量微小电场分布状态的光外差法光电效应电场探测器“LEO-Probe”。该产品采用日本信息通信研究机构（NICT）转让的技术开发，适用于电子设备的EMC测量、天线附近的电场测量、开发高频电路时的验证作业、高速/高密度电路的放射电场测量以及超高速半导体的运行状态分析等。
2009-11-27
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ACS710：Allegro推出120kHz带宽的电流传感器
ACS710 120-kHz带宽高压隔离电流传感器IC主要针对工业、商业以及通信系统。器件由精确线性霍尔传感器和位于硅芯片表面附件的铜导体组成。性能包括用于低功耗和用户可调的过流故障电平的3~5.5V单电源运行1mΩ初级导体电阻。
2009-11-26
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显示器有望成为MEMS飞速增长的引擎
MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems)是微机电系统的缩写。MEMS是美国的叫法，在日本被称为微机械，在欧洲被称为微系统。MEMS主要包括微型机构、微型传感器、微型执行器和相应的处理电路等几部分，它是在融合多种微细加工技术，并应用现代信息技术的最新成果的基础上发展起来的高科技前沿学科。
2009-11-26
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柯尼卡美能达将投建有机EL照明产品试产线
柯尼卡美能达控股（Konica Minolta Holdings）近日宣布，将投入35亿日元建设用于确立有机EL照明产品生产技术的试产线（Pilot Line）。预定在2010年秋季完成建设，目标是在2010年度内开始限量销售。“
2009-11-25
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FDFMA2P859T:飞兆半导体推出行业领先的薄型封装MOSFET
飞兆半导体公司(Farichild Semiconductor)宣布其MicroFET现推出行业领先的薄型封装版本，帮助设计人员提升其设计性能。飞兆半导体与设计工程师和采购经理合作，开发了集成式P沟道PowerTrench® MOSFET与肖特基二极管器件FDFMA2P859T，利用单一封装解决方案，满足对电池充电和功率多工(power-multiplexing)应用至关重要的效率和热性能需求。
2009-11-25
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