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安森美半导体ESD保护二极管荣获《Electronic Products》2007“年度产品”奖
安森美半导体的ESD9L5.0S ESD保护二极管荣获美国《Electronic Products》杂志颁发2007“年度产品”奖。产品评选包括技术上的重大进展、应用、设计创新或性价比有出色表现。
2008-08-04
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P10L：Vishay Sfernice微型面板电位计
Vishay宣布推出具有长久使用寿命、温度系数低至 ±150 ppm/°C 且具有 9.6mm 小型尺寸的新型低成本面板电位计。
2008-07-11
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Si8445DB：Vishay新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay推出新型 20V p 通道TrenchFET功率MOSFET，该器件采用MICRO FOOT芯片级封装，具有很小占位面积以及 1.2 V 时超低的导通电阻。
2008-06-18
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SiA***DJ：Vishay新型小型封装Siliconix功率MOSFET
Vishay宣布推出15款采用 2 mm×2 mm 的 PowerPAK SC-70 封装、厚度为 0.8 mm 的新型功率 MOSFET。
2008-05-28
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TR8系列：Vishay新型模塑MicroTan钽芯片电容
Vishay宣布推出新型TR8系列模塑MicroTan钽芯片电容，采用0805封装的该类电容具有0.8Ω超低ESR（在100 kHz和47 µF条件下），而采用0603封装的具有业内最低的1.5Ω ESR值。
2008-05-14
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DG系列：Vishay八款高精度仪表应用模拟多路复用器与开关
日前，Vishay推出八款面向高精度仪表应用的新型高频、低电荷注入模拟多路复用器与开关。这些产品还是同类器件中首批除标准 TSSOP 与 SOIC 封装外还提供采用 1.8mm×2.6mm 无引线微型 QFN 封装的器件。
2008-05-12
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Vishay的电点火器芯片电阻器荣获 EDN无源元器件和互联栏目第18届年度创新奖
Vishay日前宣布，在4月14日加利福尼亚州圣荷西举办的宴会和颁奖典礼上，其电点火器芯片电阻器（EPIC）荣获无源元器件和互联栏目的EDN创新奖。
2008-04-24
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Si8441DB/Si8451DB：Vishay超薄20V P通道功率MOSFET
日前，为满足对便携式设备中更小元件的需求，Vishay推出 20V p 通道 TrenchFET功率 MOSFET，该器件采用 MICRO FOOT芯片级封装，具有超薄厚度及最低导通电阻。
2008-04-09
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Si7192DP：Vishay Siliconix TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay推出新型第三代 TrenchFET功率 MOSFET 系列中的首款器件，该器件具有破纪录的导通电阻规格及导通电阻与栅极电荷乘积。
2008-03-26
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NB3N3002/5573：安森美PureEdge高性能时钟产生器
安森美半导体 (ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)扩展其PureEdge高性能时钟产生产品系列，推出NB3N3002和NB3N5573这两款新器件。
2007-12-13
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PolySwitch BD280系列：Tyco Electronics汽车电路应用电路保护器件
泰科电子今天宣布针对汽车市场推出新系列的瑞侃PolySwitch电路保护器件。这种可插拔的PolySwitch保护器件可以用在载客汽车和重型卡车的线路中，实现自复过电流保护，它的端子宽度为2.8 mm，便于使用，可以用在12V的汽车系统中一一对应地取代小型熔断器和II型双金属电路保护器件。
2007-12-10
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南方芯源成为Philips全球MOSFET供应商
2007年5月1日，经过5轮审核及多次产品可靠性认证，Samwin正式成为Philips(Lighting Electronics)的全球MOSFET供应商。首批通过认证的产品有：SW P 2N60，SW P 4N60及SW P 7N60产品，用于Philips 原厂生产的萤光灯Ballast。
2007-05-07
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