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高压MOS在适配器产品上的应用
电源适配器，英文Adapter通常指AC-DC（由交流输入转换为直流输出）的开关电源；一般由控制 IC、MOS管、整流肖特基管、电阻电容、磁性材料、DC 线、外壳等元器件及部件组成，通过整流、变压和稳压等转换形式，为电子设备等提供所需要的电能形态。
2024-01-10
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LLC拓扑结构如何在更低负载下进入打嗝模式
在ACDC开关电源设计过程中，当需要实现高效率设计需求时，工程师往往会考虑LLC谐振半桥拓扑结构。LLC拓扑结构可以实现软开关，因此在开关电源设计尤其是在大功率的开关电源设计过程中往往具有优势。目前市面上经常可以看到的NCP1399以及NCP13992系列就是安森美(onsemi)LLC拓扑结构控制芯片家族的代表成员。
2023-12-22
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如何优化SiC栅级驱动电路？
对于高压开关电源应用，碳化硅或 SiC MOSFET 与传统硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有显著优势。SiC MOSFET 很好地兼顾了高压、高频和开关性能优势。它是电压控制的场效应器件，能够像 IGBT 一样进行高压开关，同时开关频率等于或高于低压硅 MOSFET 的开关频率。之前的文章中，我们介绍了SiC MOSFET 特有的器件特性。今天将带来本系列文章的第二部分SiC栅极驱动电路的关键要求和NCP51705 SiC 栅极驱动器的基本功能。
2023-11-29
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SiC MOSFET 器件特性知多少？
对于高压开关电源应用，碳化硅或 SiC MOSFET 与传统硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有显著优势。开关超过 1,000 V的高压电源轨以数百 kHz 运行并非易事，即使是最好的超结硅 MOSFET 也难以胜任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾电流”且关断缓慢，因此仅限用于较低的工作频率。因此，硅 MOSFET 更适合低压、高频操作，而 IGBT 更适合高压、大电流、低频应用。SiC MOSFET 很好地兼顾了高压、高频和开关性能优势。它是电压控制的场效应器件，能够像 IGBT 一样进行高压开关，同时开关频率等于或高于低压硅 MOSFET 的开关频率。
2023-11-12
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填谷电路谐波电流（问题）分析
在常规AC-DC开关电源中，其输入端AC电源经全波整流后，一般接一个大电容器，以得到波形较为平直的直流电压。整路是一种非线性元件和储能元件的组合，因此，虽输入交流电压是正弦的，但输入交流电流波形却严重畸变，呈脉冲状，输入电流产生严重畸变的结果是，电源满载工作时功率因素不足0.6，谐波电流值很大。故在一些照明类电源，填谷电路为此能够提供很好的解决方案。
2023-10-12
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MOS管系列在服务器电源上的应用
服务器电源是指使用在服务器上的电源（POWER），它和PC电源一样，都是一种开关电源，指能够将交流电转换为服务器所需直流电的电源。
2023-09-24
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反激隔离式开关电源的工作过程
反激隔离式变压器开关电源，首先其是反激式，符合“反激”的定义，即：反激是开关管截止时，传输能量；其次，其有一个隔离式变压器，这个变压器起到隔离作用，同时会有一个匝数比，匝数比与开关管的PWM的占空比共同影响输出电压。不管是AC/DC还是DC/DC，到达变压器的电压其实是一个稳定的直流电压。
2023-09-06
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输入冲击电流抑制电路设计
在开关电源的输入端存在容量较大的电容，由于电容两端电压不能突变的特性，设备接通瞬间电容相当于短路，这就导致开关电源输入回路在接通瞬间有很大的冲击电流，当输入冲击电流过大时，可能触发前端供电设备的过流保护或前端空气开关、断路器等跳闸保护。因此设计出合适的输入冲击电流抑制电路，可以有效的避免设备接通瞬间前端设备触发保护而停止工作，从而提高系统的可靠性。
2023-09-06
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纳芯微容隔技术，从容应对电源难题
电器产品都会用到电源，常见的电源包括调压电源、开关电源、逆变电源、变频电源、不间断电源等。大部分电源都需要有隔离器件，以保证设备和人身安全。因采用的隔离技术不同，隔离效果也不一样。因此，选择隔离产品应该扬长避短，尽可能将系统性能做到最佳。
2023-08-24
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电源应用常见问题之输出异常
本文简述了开关电源应用常见问题中的输出异常问题，并简要分析了问题产生的原因，同时给出了对应的验证方法和解决及预防的办法，以减少电源在不同应用中产生输出异常的可能，提升系统可靠性。
2023-08-17
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如何优化SiC MOSFET的栅极驱动？这款IC方案推荐给您
在高压开关电源应用中，相较传统的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下简称“SiC”）MOSFET有明显的优势。使用硅MOSFET可以实现高频（数百千赫兹）开关，但它们不能用于非常高的电压（>1000 V）。而IGBT虽然可以在高压下使用，但其 "拖尾电流 "和缓慢的关断使其仅限于低频开关应用。SiC MOSFET则两全其美，可实现在高压下的高频开关。然而，SiC MOSFET的独特器件特性意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。了解这些特性后，设计人员就可以选择能够提高器件可靠性和整体开关性能的栅极驱动器。在这篇文章中，我们讨论了SiC MOSFET器件的特点以及它们对栅极驱动电路的要求，然后介绍了一种能够解决这些问题和其它系统级考虑因素的IC方案。
2023-08-15
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为什么开关电源容易出故障？选型时一定要注意这些细节！
有客户朋友曾经分享过几张有意思的图，壁虎“可爱地”挂在了电源PCB板上烧坏的地方。哭笑不得之余，也让客户朋友疑惑，壁虎从哪里爬进去的？电源为什么会烧坏？
2023-08-11
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