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高压栅极驱动器的功率耗散和散热分析，一文get√
高频率开关的MOSFET和IGBT栅极驱动器，可能会产生大量的耗散功率。因此，需要确认驱动器功率耗散和由此产生的结温，确保器件在可接受的温度范围内工作。高压栅极驱动集成电路（HVIC）是专为半桥开关应用设计的高边和低边栅极驱动集成电路，驱动高压、高速MOSFET 而设计。
2024-10-08
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IGBT 还是 SiC ? 英飞凌新型混合功率器件助力新能源汽车实现高性价比电驱
近几年新能源车发展迅猛，技术创新突飞猛进。如何设计更高效的牵引逆变器使整车获得更长的续航里程一直是研发技术人员探讨的最重要话题之一。高效的牵引逆变器需要在功率、效率和材料利用率之间取得适当的平衡。
2024-09-25
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什么是IGBT的退饱和（desaturation）？ 什么情况下IGBT会进入退饱和状态？
这要从IGBT的平面结构说起。IGBT和MOSFET有类似的器件结构，MOS中的漏极D相当于IGBT的集电极C，而MOS的源极S相当于IGBT的发射极E，二者都会发生退饱和现象。下图所示是一个简化平面型IGBT剖面图，以此来阐述退饱和发生的原因。栅极施加一个大于阈值的正压VGE，则栅极氧化层下方会出现强反型层，形成导电沟道。
2024-08-30
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第1讲：三菱电机功率器件发展史
三菱电机从事功率半导体开发和生产已有六十多年的历史，从早期的二极管、晶闸管，到MOSFET、IGBT和SiC器件，三菱电机一直致力于功率半导体芯片技术和封装技术的研究探索，本篇章带你了解三菱电机功率器件发展史。
2024-08-01
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借助智能功率模块系列提高白色家电的能效
CIPOS™ Mini IM523系列是一个全新的智能功率模块（IPM）系列，这些产品采用完全隔离的双列直插式封装，通过集成第二代逆导型IGBT，可以实现更高的电流密度和系统能效。IM523智能功率模块具有一个带自举功能的集成式绝缘体上硅栅极驱动器和一个可向控制器提供模拟反馈信号的温度监测器，从而最大限度地减少了对外部元件的需求。得益于这些特性，这个新的IPM系列的产品堪称冰箱和洗衣机等家用电器所使用的变频系统的完美搭档。
2024-06-17
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MOSFET器件的高压CV测试详解
MOSFET、IGBT和BJT等半导体器件的开关速度受到元件本身的电容的影响。为了满足电路的效率，设计者需要知道这些参数。例如，设计一个高效的开关电源将要求设计者知道设备的电容，因为这将影响开关速度，从而影响效率。这些信息通常在MOSFET的指标说明书中提供。
2024-06-08
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SEMI-e 第六届深圳国际半导体展，华为 华天 长电 上海华力等头部企业6月齐聚
6月26-28日，由深圳中新材会展有限公司联合中国通信工业协会、江苏省半导体行业协会、浙江省半导体行业协会、深圳市半导体行业协会、成都集成电路行业协会、东莞巿集成电路行业协会举办的SEMI-e第六届深圳国际半导体技术暨应用展览会（简称：SEMI-e）将在深圳会展中心4.6.8号馆盛大召开，聚焦半导体行业的各个细分领域，展示以设计、芯片、晶圆制造与封装，半导体专用设备与零部件，先进材料，第三代半导体/IGBT，汽车半导体/车规级先进封装技术为主的半导体产业链，全面展示了半导体行业的新技术、新产品、新亮点、新趋势，构建起了半导体产业交流融合的新生态。展出面积60,000平方米，800家超高质量展商齐聚，打造华南半导体领域最具有影响力和代表性的行业盛会。
2024-04-30
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Qorvo SiC FET与SiC MOSFET优势对比
众多终端产品制造商纷纷选择采用SiC技术替代硅基工艺，来开发基于双极结型晶体管（BJT）、结栅场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）的电源产品。然而，Qorvo研发的SiC“共源共栅结构”FET器件（如图2所示）使这项技术更进一步。这些器件基于独特的“共源共栅结构”电路配置，将一个常开型SiC JFET器件与一个硅基MOSFET共同封装，形成一个集成的常关型SiC FET器件。在接下来的段落中，我们将详细阐述 Qorvo 研发的 SiC FET（共源共栅结构FET）相较于同类SiC MOSFET的显著优势。
2024-04-15
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如何通过SiC增强电池储能系统？
电池可以用来储存太阳能和风能等可再生能源在高峰时段产生的能量，这样当环境条件不太有利于发电时，就可以利用这些储存的能量。本文回顾了住宅和商用电池储能系统 (BESS) 的拓扑结构，然后介绍了安森美 (onsemi) 的EliteSiC方案，可作为硅MOSFET或IGBT开关的替代方案，改善BESS的性能。
2024-03-22
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双脉冲测试（DPT）的方法解析
双脉冲测试（DPT）是一种被广泛接受的评估功率器件动态特性的方法。以IGBT在两电平桥式电路中应用为例，如下图，通过调节直流母线电压和第一个脉冲持续时间，可以在第一个脉冲结束和第二个脉冲开始时捕捉到被测器件在任何所需的电压和电流条件下的开关瞬态行为。
2024-03-19
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【第三代半导体、汽车半导体等四场热门盛会6月齐聚深圳，论坛议程抢先看！】
深圳，这座中国科技创新的璀璨明珠，即将在2024年6月26日至28日迎来一场科技盛宴。SEMI-e第六届深圳国际半导体暨应用展览会（SEMI-e)即将于深圳国际会展中心（宝安新馆）4.6.8号馆开启，并分别举办2024中国汽车半导体大会、第五届第三代半导体产业发展高峰技术论坛以、第六届深圳半导体产业技术高峰会及第二届人工智能——算力/算法/存储大会暨展示会，四场热门盛会齐聚一堂，聚焦半导体细分领域: 汽车半导体、IGBT、Al算力、算法、存储、电源及储能、Mini/Micro-LED 等各种最新应用解决方案。
2024-03-18
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如何测量功率回路中的杂散电感
影响IGBT和SiC MOSFET在系统中的动态特性有两个非常重要的参数：寄生电感和寄生电容。而本文主要介绍功率回路中寄生电感的定义和测试方法，包括直流母线电容的寄生电感，直流母排寄生电感以及模块本身的寄生电感。
2024-03-12
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