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车载充电器材料选择比较：碳化硅与IGBT
车载充电器 (OBC) 解决了电动汽车 (EV) 的一个重要问题。它们将来自电网的交流电转换为适合电池充电的直流电，从而实现电动汽车充电。随着每年上市的电动汽车设计、架构和尺寸越来越丰富，车载充电器的实施也变得越来越复杂。
2024-11-11
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采用IGBT5.XT技术的PrimePACK™为风能变流器提供卓越的解决方案
鉴于迫切的环境需求，我们必须确保清洁能源基础设施的启用，以减少碳排放对环境的负面影响。在这一至关重要的举措中，风力发电技术扮演了关键角色，并已处于领先地位。在过去的20年中，风力涡轮机的尺寸已扩大三倍，其发电功率大幅提升，不久后将突破15MW的大关。因此，先进风能变流器的需求在不断增长。这些变流器在恶劣境条件下工作，需要高度的可靠性和坚固性，以确保较长的使用寿命。为了在限制机柜内元件数量的情况下最大化功率输出，我们需要采用高功率密度设计。鉴于需求的持续增长，我们的大规模生产能力显得尤为关键通过对现有逆变器设计的升级，不仅能够降低风险，还能缩短开发时间，最终达到优化设计和开发流程的目的。
2024-10-27
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用Python自动化双脉冲测试
电力电子设备中使用的半导体材料正从硅过渡到宽禁带（WBG）半导体，比如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等半导体在更高功率水平下具有卓越的性能，被广泛应用于汽车和工业领域中。由于工作电压高，SiC技术正被应用于电动汽车动力系统，而GaN则主要用作笔记本电脑、移动设备和其他消费设备的快速充电器。本文主要说明的是宽禁带FET的测试，但双脉冲测试也可应用于硅器件、MOSFET或IGBT中。
2024-10-23
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高压栅极驱动器的功率耗散和散热分析，一文get√
高频率开关的MOSFET和IGBT栅极驱动器，可能会产生大量的耗散功率。因此，需要确认驱动器功率耗散和由此产生的结温，确保器件在可接受的温度范围内工作。高压栅极驱动集成电路（HVIC）是专为半桥开关应用设计的高边和低边栅极驱动集成电路，驱动高压、高速MOSFET 而设计。
2024-10-08
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IGBT 还是 SiC ? 英飞凌新型混合功率器件助力新能源汽车实现高性价比电驱
近几年新能源车发展迅猛，技术创新突飞猛进。如何设计更高效的牵引逆变器使整车获得更长的续航里程一直是研发技术人员探讨的最重要话题之一。高效的牵引逆变器需要在功率、效率和材料利用率之间取得适当的平衡。
2024-09-25
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什么是IGBT的退饱和（desaturation）？ 什么情况下IGBT会进入退饱和状态？
这要从IGBT的平面结构说起。IGBT和MOSFET有类似的器件结构，MOS中的漏极D相当于IGBT的集电极C，而MOS的源极S相当于IGBT的发射极E，二者都会发生退饱和现象。下图所示是一个简化平面型IGBT剖面图，以此来阐述退饱和发生的原因。栅极施加一个大于阈值的正压VGE，则栅极氧化层下方会出现强反型层，形成导电沟道。
2024-08-30
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第1讲：三菱电机功率器件发展史
三菱电机从事功率半导体开发和生产已有六十多年的历史，从早期的二极管、晶闸管，到MOSFET、IGBT和SiC器件，三菱电机一直致力于功率半导体芯片技术和封装技术的研究探索，本篇章带你了解三菱电机功率器件发展史。
2024-08-01
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借助智能功率模块系列提高白色家电的能效
CIPOS™ Mini IM523系列是一个全新的智能功率模块（IPM）系列，这些产品采用完全隔离的双列直插式封装，通过集成第二代逆导型IGBT，可以实现更高的电流密度和系统能效。IM523智能功率模块具有一个带自举功能的集成式绝缘体上硅栅极驱动器和一个可向控制器提供模拟反馈信号的温度监测器，从而最大限度地减少了对外部元件的需求。得益于这些特性，这个新的IPM系列的产品堪称冰箱和洗衣机等家用电器所使用的变频系统的完美搭档。
2024-06-17
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MOSFET器件的高压CV测试详解
MOSFET、IGBT和BJT等半导体器件的开关速度受到元件本身的电容的影响。为了满足电路的效率，设计者需要知道这些参数。例如，设计一个高效的开关电源将要求设计者知道设备的电容，因为这将影响开关速度，从而影响效率。这些信息通常在MOSFET的指标说明书中提供。
2024-06-08
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SEMI-e 第六届深圳国际半导体展，华为 华天 长电 上海华力等头部企业6月齐聚
6月26-28日，由深圳中新材会展有限公司联合中国通信工业协会、江苏省半导体行业协会、浙江省半导体行业协会、深圳市半导体行业协会、成都集成电路行业协会、东莞巿集成电路行业协会举办的SEMI-e第六届深圳国际半导体技术暨应用展览会（简称：SEMI-e）将在深圳会展中心4.6.8号馆盛大召开，聚焦半导体行业的各个细分领域，展示以设计、芯片、晶圆制造与封装，半导体专用设备与零部件，先进材料，第三代半导体/IGBT，汽车半导体/车规级先进封装技术为主的半导体产业链，全面展示了半导体行业的新技术、新产品、新亮点、新趋势，构建起了半导体产业交流融合的新生态。展出面积60,000平方米，800家超高质量展商齐聚，打造华南半导体领域最具有影响力和代表性的行业盛会。
2024-04-30
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Qorvo SiC FET与SiC MOSFET优势对比
众多终端产品制造商纷纷选择采用SiC技术替代硅基工艺，来开发基于双极结型晶体管（BJT）、结栅场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）的电源产品。然而，Qorvo研发的SiC“共源共栅结构”FET器件（如图2所示）使这项技术更进一步。这些器件基于独特的“共源共栅结构”电路配置，将一个常开型SiC JFET器件与一个硅基MOSFET共同封装，形成一个集成的常关型SiC FET器件。在接下来的段落中，我们将详细阐述 Qorvo 研发的 SiC FET（共源共栅结构FET）相较于同类SiC MOSFET的显著优势。
2024-04-15
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如何通过SiC增强电池储能系统？
电池可以用来储存太阳能和风能等可再生能源在高峰时段产生的能量，这样当环境条件不太有利于发电时，就可以利用这些储存的能量。本文回顾了住宅和商用电池储能系统 (BESS) 的拓扑结构，然后介绍了安森美 (onsemi) 的EliteSiC方案，可作为硅MOSFET或IGBT开关的替代方案，改善BESS的性能。
2024-03-22
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