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TLP358/58HF：Toshiba推出低功率栅极驱动光耦合器
Toshiba推出了一系列的超低功耗光耦合隔离器，设计用来驱动需要输出电流高达±6.0A的IGBT和功率MOSFET。新的驱动器IC光耦合器TLP358系列适合用于工业逆变器，AC/DC伺服系统，感应加热系统，工厂自动化设备和其它需要高输出电流驱动级的应用中。
2010-01-19
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AUIRG7CH80K6B-M：IR推出焊前金属的绝缘栅双极晶体管
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出采用焊前金属 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) AUIRG7CH80K6B-M，适用于电动汽车 (EV) 、混合电动汽车 (HEV) 和中功率驱动器中的高电流、高电压汽车逆变器模块。
2009-11-24
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如何正确地为太阳能逆变器应用选择IGBT
介绍如何利用全桥逆变器拓扑及选用合适的IGBT，使太阳能应用的功耗降至最低.
2009-11-13
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STGW30N120KD/STGW40N120KD：低开关损耗1200V IGBT系列产品
日前，意法半导体（ST）推出新系列功率晶体管，可最大限度降低电机控制电路的两大能耗源，降低家电、供暖通风空调（HVAC）系统、工业机床等日用设备对环境的影响。STGW30N120KD和STGW40N120KD是两款导通损耗很低的绝缘栅双极晶体管（IGBT），可降低开关损耗。
2009-10-21
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IGBT在客车系统逆变器中的应用与保护
IGBT是大功率、集成化的“绝缘栅双极晶体管”(InsulatedGateBipolarTransistor)。它是80年代初集合大功率双极型晶体管GTR与MOSFET场效应管的优点而发展的一种新型复合电子器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降的优点
2009-08-24
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新IGBT技术提高应用性能
在实际的开关中，存在大量的正向和开关损耗。因而设计中的热阻对模块性能来说是至关重要的。本文讨论IGBT²、IGBT³以及SEMITRANS®模块采用的新IGBT4半导体技术之间的区别，并展示在某些情况下新IGBT4技术所带来的性能提升。
2009-07-28
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逆变电源的IGBT保护技术
本文通过分析IGBT的结构及其安全工作区，解释了在实际应用中可能造成其损坏的原因，并利用硬件电路结合单片机的控制程序对弧焊逆变电源的IGBT 采取相应措施进行保护，从而确保了IGBT安全可靠的工作。
2009-07-15
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IGBT驱动器输出计算
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是应用广泛的功率半导体器件，驱动器的合理设计对于IGBT的有效使用极为重要。本文就利用栅极电荷特性的考虑，介绍 了一些计算用于开关IGBT的驱动器输出性能的方法。
2009-07-15
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节能技术研讨会闭幕 低碳经济催热新型节能技术
2010年4月15日，深圳—电子元件技术网携手第75届中国电子展和China Outlook Consulting在深圳会展中心牡丹厅举办的“第三届新型节能设计技术研讨会”已圆满结束。低碳经济及其技术实现，成为了研讨会探讨的焦点话题，LED照明电源设计、新型IGBT、储能电容、MCU的节能应用，作为满足当前新型节能减碳设计的最热门技术，收到与会者的关注。有300名左右的专业听众参加了研讨会的活动。
2009-07-14
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混合动力汽车前景看好 IGBT成驱动核心
混合动力汽车是大规模应用新能源汽车的切入点。功率半导体器件与模块在混合动力汽车中起着不可替代的作用。除降低成本之外，混合动力汽车还需要在电池、电动、传动及电气系统等方面得到改善。
2009-07-01
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ACPL-312U：安华高可在延伸温度范围下工作的2.5A 门极驱动光电耦合器
安华高科技推出业内第一款可以在延伸温度范围下工作的 2.5A 门极驱动光电耦合器ACPL-312U。它具有高速响应，低功耗，-40°C 到 125°C 的延伸工业温度范围，采用标准 DIP-8 封装。可直接推动达 1200V/100A 的 IGBT 晶体管。
2009-05-27
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STY112N65M5：ST太阳能电池功率调节器用MOSFET
意法半导体（ST）开发出了用于配备太阳能电池功率调节器的MOSFET。耐压650V，有最大导通电阻为0.022Ω（漏极电流为93A）的“STY112N65M5”和最大导通电阻0.038Ω（漏极电流为66A）的“STW77N65M5”。 此前，太阳能电池功率调节器一直使用IGBT，但由于MOSFET的导通电阻不断降低，因此MOSFET正逐渐取代IGBT。
2009-02-25
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