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使用栅极电阻控制IGBT的开关
栅极电阻会影响IGBT的开关时间、开关损耗及各种其他参数，必须根据具体应用的参数非常仔细地选择和优化。一般情况下，减小栅极电阻阻值可降低IGBT的开关损耗，但同时也必须注意快速的导通关断所带来的电压尖峰和电磁干扰。
2008-11-02
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一种新型实用的IGBT 驱动电路
在分析了IGBT 驱动条件的基础上介绍了几种常见的 IGBT 驱动电路，并给出各自的优缺点。介绍自行设计的一种简单、实用的新型IGBT 驱动电路。经实践表明，该电路经济、实用、安全、可靠，同时具有IGBT 过电流保护功能，具有很好的应用前景。
2008-11-02
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一种新型的IGBT短路保护电路的设计
本文提出了一种直接检测IGBT发生短路故障的方法，在详细分析IGBT短路检测原理的基础上给出了相应的IGBT短路保护电路。仿真及实验结果均证明该电路工作稳定可靠,能很好地对IGBT实施有效的保护。
2008-11-02
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面向汽车应用的IGBT功率模块浅谈
由于汽车环境的复杂多变，应用于EV和HEV的IGBT要经受得住更多的考验。在功率循环、热循环、机械振动或机械冲击等多种试验中，IGBT模块会出现一些典型的故障模式。厂家针对这种问题研发出了具有优化性能和成本的功率半导体模块。
2008-11-02
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中频电阻焊机电源的IGBT保护方法
中频直流逆变电阻焊接电源作为一种新型的控制电源，以其显著的高质低耗的特点成为电阻焊电源的发展方向。IGBT是一种用MOS管来控制晶体管的电力电子器件，具有电压高、电流大、频率高、导通电阻小等特点。本文从实际应用出发，总结了过压、过流与过热保护的相关问题和各种保护方法，适用性强、应用效果好。
2008-10-25
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IGBT技术——半导体技术与封装的完美匹配
本文讨论了IGBT2、IGBT3 以及SEMITRANS模块采用的新IGBT4 半导体技术之间的区别，并展示了在某些情况下新IGBT4技术所带来的性能提升。
2008-10-23
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IGBT集成驱动模块的研究
本文主要研究IGBT集成驱动模块，首先阐述了IGBT驱动保护电路的原则，接着着重分析了EXB841、M57962AL、GH一039、HL402四类模块的结构和典型应用，最后结合IR、UC37系列驱动器进行比较得出结论。
2008-10-17
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IGBT 在不间断电源中的应用
在UPS 中使用的功率器件有双极型功率晶体管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT 既有功率MOSFET 易于驱动，控制简单、开关频率高的优点，又有功率晶体管的导通电压低，通态电流大的优点、使用IGBT 成为UPS 功率设计的首选，只有对IGBT的特性充分了解和对电路进行可靠性设计，才能发挥IGBT 的优点。本文介绍UPS 中的IGBT 的应用情况和使用中的注意事项。
2008-10-16
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IGCT门极驱动电路的原理分析
在目前的中电压大功率应用领域，占主导地位的功率半导体器件有晶闸管、GTO和IGBT等，这些传统的功率器件在实用方面都存在一些缺陷。ABB半导体公司率先提出了一种新型功率半导体器件—IGCT。它的关键思想是将改进结构的GTO与反并联二极管和门极驱动电路集成在一起，再与其门极驱动器在外围以低电感方式连接。在性能上明显优于目前广泛使用的GTO和IGBT器件。着重对IGCT门极驱动电路的结构和原理进行了介绍和分析。
2008-10-14
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IGBT驱动电路M57962L的剖析
IGBT是一种新型功率器件，即绝缘栅极双极集体管(Isolated GateBipolar Transistor)，是上世纪末出现的一种复合全控型电压驱动式电力电子器件。它将GTR和MOSFET的优点集于一身：输入阻抗高，开关频率高，工作电流大等，在变频器、开关电源，弧焊电源等领域得到广泛地应用。M57962L采用+15V、- 10V双电源供电，由于采用- 10V关断电压，能更可靠关断，同时具有封闭性软关断功能，从而使IGBT更加安全的工作。
2008-10-11
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SPWM全桥逆变器输出变压器直流偏磁的抑制
分析了SPWM开关型变换器中输出变压器产生直流偏磁的机理。提出了一种基于电压电流反馈控制技术抑制正弦波逆变器偏磁的方法，并提供了较为实用的拓扑电路，同时分析了它的工作机理。该电路的有效性在介质阻挡强电离放电用IGBT全桥逆变电源中得到了验证。
2008-10-07
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用于有源电力滤波器的IGBT驱动及保护研究
绝缘栅场效应晶体管(IGBT)作为一种复合型器件，集成了MOSFET的电压驱动和高开关频率及功率管低损耗、大功率的特点，在电机控制、开关电源、变流装置及许多要求快速、低损耗的领域中有着广泛的应用。本文对应用于有源电力滤波器的IGBT的特性及其专有EXB84l型驱动器的设计进行讨论，并提出一种具有完善保护功能的驱动电路。
2008-10-02
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