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如何测量功率回路中的杂散电感
影响IGBT和SiC MOSFET在系统中的动态特性有两个非常重要的参数：寄生电感和寄生电容。而本文主要介绍功率回路中寄生电感的定义和测试方法，包括直流母线电容的寄生电感，直流母排寄生电感以及模块本身的寄生电感。
2024-03-12
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下一代隔离式Σ-Δ调制器如何改进系统级电流测量
隔离调制器广泛用于需要高精度电流测量和电流隔离的电机/逆变器。随着电机/逆变器系统向高集成度和高效率转变，SiC和GaN FET由于具有更小尺寸、更高开关频率和更低发热量的优势，而开始取代MOSFET和IGBT。然而，隔离器件需要具有高CMTI能力，另外还需要更高精度的电流测量。下一代隔离调制器大大提高了CMTI能力，并改善了其本身的精度。
2024-03-11
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谈谈SiC MOSFET的短路能力
在电力电子的很多应用，如电机驱动，有时会出现短路的工况。这就要求功率器件有一定的扛短路能力，即在一定的时间内承受住短路电流而不损坏。目前市面上大部分IGBT都会在数据手册中标出短路能力，大部分在5~10us之间，例如英飞凌IGBT3/4的短路时间是10us，IGBT7短路时间是8us。而 大 部 分 的 SiC MOSFET 都 没 有 标 出 短 路 能 力 ， 即 使 有 ， 也 比 较 短 ， 例 如 英 飞 凌 的CoolSiCTM MOSFET单管封装器件标称短路时间是3us，EASY封装器件标称短路时间是2us。
2024-02-01
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门极驱动正压对功率半导体性能的影响
无论是MOSFET还是IGBT，都是受门极控制的器件。在相同电流的条件下，一般门极电压用得越高，导通损耗越小。因为门极电压越高意味着沟道反型层强度越强，由门极电压而产生的沟道阻抗越小，流过相同电流的压降就越低。不过器件导通损耗除了受这个门极沟道影响外，还和芯片的厚度有很大的关系，一般越薄的导通损耗越小，所以同等芯片面积下宽禁带的器件导通损耗要小得多。而相同材料下耐压越高的器件就会越厚，导通损耗就会变大。这种由芯片厚度引起的导通损耗不受门极电压影响，所以器件耐压越高，门极电压即使进一步增大对导通损耗贡献是有限的。
2024-01-29
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I-NPC三电平电路的双脉冲及短路测试方法
双脉冲测试(DPT)是一种被广泛接受的评估功率器件动态特性的方法。以IGBT在两电平桥式电路中应用为例，如下图，通过调节直流母线电压和第一个脉冲持续时间，可以在第一个脉冲结束和第二个脉冲开始时捕捉到被测器件在任何所需的电压和电流条件下的开关瞬态行为。DPT结果量化了功率器件的开关性能，并为功率变换器的设计（如开关频率和死区时间的确定、热管理和效率评估）提供了参考依据，那么对于三电平电路，双脉冲测试需要怎么做呢？
2024-01-24
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高隔离DC/DC转换器提升电机运作的稳定性与安全性
在电机应用中，必须采用逆变器或转换器进行电源转换，采用高隔离DC/DC转换器，将有助于提升电机运作的稳定性与安全性，这对高功率、高速电机系统尤为重要。本文将为您介绍IGBT/MOSFET/SiC/GaN栅极驱动DC-DC转换器的相关技术，以及由Murata（村田制作所）所推出的一系列高隔离DC/DC转换器的功能特性。
2024-01-19
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超结MOS/IGBT在储能变流器(PCS)上的应用
储能变流器，又称双向储能逆变器，英文名PCS(Power Conversion System)，是储能系统与电网中间实现电能双向流动的核心部件，用作控制电池的充电和放电过程，进行交直流的变换。
2024-01-09
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超高压MOS在变频器上的应用
典型的AC380V变频器应用框图，主要包括输入AC380V三相整流、三相逆变IGBT功率驱动、辅助电源等部分；其中辅助电源主要经过DC高压降压后为IGBT驱动IC、主控mcu、通讯模块芯片等供电。
2024-01-02
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SiC MOSFET用于电机驱动的优势
低电感电机有许多不同应用，包括大气隙电机、无槽电机和低泄露感应电机。它们也可被用在使用PCB定子而非绕组定子的新电机类型中。这些电机需要高开关频率（50-100kHz）来维持所需的纹波电流。然而，对于50kHz以上的调制频率使用绝缘栅双极晶体管（IGBT）无法满足这些需求，如果是380V系统，硅MOSFET耐压又不够，这就为宽禁带器件开创了新的机会。
2023-12-20
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泰克助力汽车测试及质量监控实现效率和创新最大化
对于功率器件工程师而言，最大限度降低开关损耗是一项严峻挑战，尤其对于那些使用碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 器件的工程师更是如此。这种先进材料有望提高效率，但也有其自身的复杂性。测量硅 (Si)、碳化硅 (SiC) 和氮化镓金属氧化物半导体场效应晶体管 (GaN MOSFET) 和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 的开关参数，并评估其动态行为的标准方法是双脉冲测试 (DPT)。
2023-12-05
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如何优化SiC栅级驱动电路？
对于高压开关电源应用，碳化硅或 SiC MOSFET 与传统硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有显著优势。SiC MOSFET 很好地兼顾了高压、高频和开关性能优势。它是电压控制的场效应器件，能够像 IGBT 一样进行高压开关，同时开关频率等于或高于低压硅 MOSFET 的开关频率。之前的文章中，我们介绍了SiC MOSFET 特有的器件特性。今天将带来本系列文章的第二部分SiC栅极驱动电路的关键要求和NCP51705 SiC 栅极驱动器的基本功能。
2023-11-29
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商业、建筑和农业车辆应用中TO-247PLUS分立封装的回流焊接
今天，功率半导体为很多应用提供高功率密度的解决方案。如何将功率器件的发热充分散出去是解决高功率密度设计的关键。通过使用IGBT焊接在双面覆铜陶瓷板(DCB)上可以帮助减少散热系统的热阻，前提是需要IGBT单管封装支持SMD工艺。本文将展示一种可回流焊接的TO-247PLUS单管封装，该封装可将器件芯片到DCB基板的热阻降至最低。
2023-11-21
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