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IP4284CZ10：恩智浦为USB 3.0和eSATA推出ESD保护设备
恩智浦半导体（NXP Semiconductors）近日宣布，为USB 3.0和eSATA之类的高速差分接口推出一种新的ESD保护设备IP4284CZ10。IP4284CZ10提供了业内最低的差分串扰及完美的线路到线路电容匹配和直通布线能力，优化了信号完整性。
2010-03-11
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恩智浦推出新一代高效率低VCEsat 晶体管
恩智浦半导体（NXP Semiconductors）近日宣布推出新第四代低VCEsat (BISS)晶体管的前8种产品。该产品家族分成两种优化的分支：超低VCEsat晶体管以及高速开关晶体管。其电压范围为20 V - 60 V，采用小型SMD封装SOT23 (2.9 x 1.3 x 1 mm)和SOT457 (2.9 x 1.5 x 1 mm)。
2010-03-10
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NRS5020/NR5040：Taiyo Yuden推出5－mm功率电感器
Taiyo Yuden推出高额定电流的5-mm功率电感器NRS5020/ NR5040，5.0x5.0x2.0mm NRS5020和5.0x5.0x4.0mm NR5040 方形、绕线功率电感设计用于数字设备的dc/dc转换器中。
2010-03-04
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ISL8200M：Intersil推出紧凑、可扩展的电源模块
ISL8200M是10A、高度集成的POL稳压器，采用表面安装的QFN封装，内部包含一个PWM控制器、功率MOSFET、功率电感器和相关的分立器件，是计算、通信和网络基础设施，以及工业市场中各种应用的理想之选。
2010-01-29
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2010年美国小型半导体公司恐掀被并潮
据路透(Reuters)报导，由于整体经济疲弱，半导体厂商要靠自家的力量达到营收成长，相对难度较高，因此购并在利基型市场上有独到技术的小型厂商，将是2010年的趋势，而这些小型的半导体厂商恐怕也会掀起被购并潮。
2010-01-28
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泰克SuperSpeed测试解决方案帮助NEC电子获得世界首项USB 3.0认证
全球示波器市场的领导厂商—泰克公司日前宣布，其SuperSpeed USB解决方案为NEC电子符合USB 3.0标准的主机提供信号质量监测，该主机是世界首款获得USB设计者论坛USB 3.0认证的产品。
2010-01-27
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HRS-I：用于收集、管理健康信息的可佩带传感器和传感器网络
应用传感器网络提供人体健康管理所需信息的服务面世。该服务以人体佩戴的小型传感器收集和分析健康相关数据，用手机或个人电脑浏览和管理健康信息。
2010-01-22
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面向高电流DC/DC应用、降低上表面热阻的功率MOSFET
TI 高级副总裁兼电源管理全球经理 Steve Anderson 指出：“我们的客户需要具有更小体积和更高电流的 DC/DC 电源，以满足各种基础设施市场对处理器功能提出的更高要求。DualCool NexFET 功率 MOSFET 能够以不变的几何尺寸传输更多的电流，可充分满足这一需求。”
2010-01-18
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DislaySearch:2010年用于TFT LCD光学膜面积较去年长11% 出货金额基本持平
2009年全球TFT LCD用光学膜出货面积估计达到5亿4千3百万平方米，同时预估2010年光学膜出货将持续增长到6亿零6百万平方米，年成长率将达11%。不过由于平均销售价格不断下滑，我们估计2010年出货金额将与今年持平在91亿美元水平。另一方面随着绿色显示器需求与LED背光市场增长驱动新一波背光设计发展，使得如棱镜片（prism films）、反射式偏光片（reflective polarizers）或者micro-lens films等产品的需求也跟着提高；对于能持续提高技术能力的厂商提供较佳市场机会。
2010-01-18
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Astsensors推出提供连接选项的压力传感器/变换器AST4000
AST4000压力传感器，变换器以及传输器系列提供4引脚DT04 Deutsch和M12x1 Eurofast连接选项。DT04 Deutsch连接器类似于Packard Metripack 150系列，同时M12x1 Eurofast应用于工厂自动化中。两种连接类型提供4引脚连接，为压力传感器、变换器以及传输器提供mV-，V-或4-20mA输出。
2010-01-14
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日美韩台--探讨透明非结晶氧化物半导体及其显示器应用
透明非结晶氧化物半导体及其显示器应用国际会议“International Workshop on Transparent Amorphous Oxide Semiconductors（TAOS 2010）”将于1月25～26日在日本东京工业大学的SUZUKAKEDAI校区举行。
2010-01-08
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Toshiba-components推出低导通电阻 快速转换的30V MOSFET
新产品包括5个N沟道MOSFET和1个MOSBD，MOSBD的单芯片组合了MOSFET和肖特基阻挡二极管，提供了低电感结构，因此提高了能源效率。该产品提供了一系列的特性，使设计人员能够满足不同的系统要求。额定电流范围为13A~26A，RDS(ON) (典型值)为4.3~12.2毫欧(mΩ)，输入电容从999~2200微微法（pF）（典型值），反向传输电容(Crss)为54~140pF(典型值)。
2009-12-24
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