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蓄电池分级恒流充电电源设计方案
根据蓄电池分级恒流充电的要求，本文给出一种基于DSP、变参数积分分离PI 控制的新型蓄电池恒流充电电源的设计方案。介绍了电源的系统结构、工作原理、控制策略及软件设计。目前该电源已投入工程使用，可对碱性或酸性蓄电池进行恒流循环和补充充电。
2011-12-22
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耦合电感SEPIC转换器的优势
端初级电感转换器 (SEPIC) 能够通过一个大于或者小于调节输出电压的输入电压工作。除能够起到一个降压及升压转换器的作用以外，SEPIC 还具有最少的有源组件、一个简易控制器和钳位开关波形，从而提供低噪声运行。看是否使用两个磁绕组，是我们识别 SEPIC 的一般方法。这些绕组可绕于共用铁芯上，其与耦合双绕组电感的情况一样，或者它们也可以是两个非耦合电感的单独绕组。设计人员通常不确定哪一种方法最佳，以及两种方法之间是否存在实际差异。本文对每种方法进行研究，并讨论每种方法对实际 SEPIC 设计产生的影响。
2011-12-21
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2012年全球半导体设备市场预计衰退10.8%
国际半导体设备材料产业协会（SEMI）公布最新全球半导体资本设备预估报告（SEMI Capital Equipment Forecast），今年全球半导体设备市场预估达418亿美元，较去年小幅成长4.7％，但因经济前景不确定性高，明年市场规模将较今年衰退10.8％，约来到372.8亿美元。
2011-12-12
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通用示波器自动测试系统的设计
本系统采用在微机的I／O通道中插入一块GPIB接口板(即IEEE-488接口板),来实现计算机和示波器校准仪之间的通信(包括程控命令,测量数据,仪器状态信息的传送)，可完成对示波器的多种参数的采集、测试和数据误差的分析处理,完成测量结果的显示、存储、复查和输出打印等操作。
2011-12-09
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2012年大尺寸液晶面板分辨率将达200ppi
NPD DisplaySearch最新季度大尺寸TFT-LCD面板出货调查指出两个趋势，一是平板电脑用面板持续往更高分辨率方向发展，二是低成本直下式LED背光面板将逐渐成为TFT-LCD电视面板另一主流。并预测2012年第二季平板电脑显示屏的平均分辨率将超过200ppi。
2011-12-05
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基于应用非隔离直流的直流转换器
在直流-直流转换器设计中，当输入等于输出时，如果仍然采用输入与输出不等时的转换方法，转换效率将得不到提高，此时可用几种非隔离直流-直流转换方法，包括SEPIC、降压-升压法以及降压升压电路组合法等。本文分析了其中四种方法，并对典型应用中的效率问题进行了特别关注。
2011-11-25
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CMOS电路IDDQ测试电路设计
针对CMOS集成电路的故障检测，提出了一种简单的IDDQ静态电流测试方法，并对测试电路进行了设计。所设计的IDDQ电流测试电路对CMOS被测电路进行检测，通过观察测试电路输出的高低电平可知被测电路是否存在物理缺陷。测试电路的核心是电流差分放大电路，其输出一个与被测电路IDDQ电流成正比的输出。测试电路串联在被测电路与地之间，以检测异常的IDDQ电流。测试电路仅用了7个管子和1个反相器，占用面积小，用PSpice进行了晶体管级模拟，实验结果表明了测试电路的有效性。
2011-11-23
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LinkSwitch-PH：PI推出超薄封装 LED驱动器IC用于荧光灯管替代
高效率、高可靠性LED驱动器IC领域的世界领导者Power Integrations公司近日宣布已可供应采用eSIP™-7F（L封装）的LinkSwitch-PH LED驱动器IC，封装高度仅为2 mm。这种新封装针对荧光灯管的LED替换灯（只有超薄封装才能装入LED电路板后面非常狭小的空间内）以及电路板高度受限的其他应用而设计。
2011-11-22
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几种气体检测传感器的检测原理
检测气体的浓度依赖于气体检测变送器，传感器是其核心部分，按照检测原理的不同，主要分为金属氧化物半导体式传感器、催化燃烧式传感器、定电位电解式气体传感器、迦伐尼电池式氧气传感器、红外式传感器、PID光离子化传感器等，以下简单阐述各种传感器的原理及特点。
2011-11-18
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智能大功率软启动恒流源的设计
为了获得稳定的大电流，本文设计了基于单片机控制的智能软启动大功率恒流源， 电流范围0~8 A，最大峰值可达10 A。采用大功率运放OPA549 构成大电流恒流源，利用PID 控制算法实现了大功率电源的软启动和控制。该方法设计的电源在软启动过程中超调量很小，具有很好的稳定性；在恒流源工作时，稳定性也很好。
2011-11-16
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2011年全球数码相机市场出货量年成长率约5.6%
据光电协进会(PIDA )估计，2011年全球数码相机市场出货量约1亿3,100万台，年成长率约5.6%，预估2012年全球出货量将小幅成长到1亿3,400万台，成长约2.3%。
2011-11-11
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采用电子束检测技术辅助晶体管开发
涉足尖端技术研究工作的芯片制造商正在把无数新材料和奇特的器件结构结合起来，用于65nm及更低节点的量产。同时他们发现，在这些研究上的努力生产的结果还包括目前必须着手解决各器件各个层上出现的越来越多的细微的电缺陷和微小物理缺陷。在存储器中，可能会出现多晶硅阻塞管道问题poly-plug piping problems，从而引起BPSG（硼磷硅酸盐玻璃）孔隙问题。在逻辑领域，使用应变硅引起的应变硅位错可能产生缺陷，有时这类缺陷直到后道工艺才显露出来。
2011-11-09
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