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如何优化SiC栅级驱动电路？
对于高压开关电源应用，碳化硅或 SiC MOSFET 与传统硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有显著优势。SiC MOSFET 很好地兼顾了高压、高频和开关性能优势。它是电压控制的场效应器件，能够像 IGBT 一样进行高压开关，同时开关频率等于或高于低压硅 MOSFET 的开关频率。之前的文章中，我们介绍了SiC MOSFET 特有的器件特性。今天将带来本系列文章的第二部分SiC栅极驱动电路的关键要求和NCP51705 SiC 栅极驱动器的基本功能。
2023-11-29
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商业、建筑和农业车辆应用中TO-247PLUS分立封装的回流焊接
今天，功率半导体为很多应用提供高功率密度的解决方案。如何将功率器件的发热充分散出去是解决高功率密度设计的关键。通过使用IGBT焊接在双面覆铜陶瓷板(DCB)上可以帮助减少散热系统的热阻，前提是需要IGBT单管封装支持SMD工艺。本文将展示一种可回流焊接的TO-247PLUS单管封装，该封装可将器件芯片到DCB基板的热阻降至最低。
2023-11-21
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SiC MOSFET 器件特性知多少？
对于高压开关电源应用，碳化硅或 SiC MOSFET 与传统硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有显著优势。开关超过 1,000 V的高压电源轨以数百 kHz 运行并非易事，即使是最好的超结硅 MOSFET 也难以胜任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾电流”且关断缓慢，因此仅限用于较低的工作频率。因此，硅 MOSFET 更适合低压、高频操作，而 IGBT 更适合高压、大电流、低频应用。SiC MOSFET 很好地兼顾了高压、高频和开关性能优势。它是电压控制的场效应器件，能够像 IGBT 一样进行高压开关，同时开关频率等于或高于低压硅 MOSFET 的开关频率。
2023-11-12
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能实现更高的电流密度和系统可靠性的IGBT模块
随着全球对可再生能源的日益关注以及对效率的需求，高效率，高可靠性成为功率电子产业不断前行的关键。Nexperia（安世半导体）的 IGBT 产品系列优化了开关损耗和导通损耗, 兼顾马达驱动需求的高温短路耐受能力，实现更高的电流密度和系统可靠性。
2023-11-12
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让电动汽车延长5%里程的SiC主驱逆变器
本文阐述了如何在主驱逆变器中使用碳化硅 (SiC) 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 将电动汽车的续航里程延长多达 5%。另外，文中还讨论了为什么一些原始设备制造商 (OEM) 不愿意从硅基绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 过渡到 SiC 器件，以及安森美 (onsemi) 为缓解 OEM 的担忧同时提升 OEM 对这种成熟的宽禁带半导体技术的信心所做的努力。
2023-11-12
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通过碳化硅(SiC)增强电池储能系统
电池可以用来储存太阳能和风能等可再生能源在高峰时段产生的能量，这样当环境条件不太有利于发电时，就可以利用这些储存的能量。本文回顾了住宅和商用电池储能系统 (BESS) 的拓扑结构，然后介绍了安森美(onsemi) 的EliteSiC 方案，可作为硅MOSFET 或IGBT开关的替代方案，改善 BESS 的性能。
2023-11-10
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充分利用IGBT的关键在于要知道何时、何地以及如何使用它们
如今，碳化硅 (SiC)和氮化镓 (GaN) 等宽禁带半导体风头正盛。但在此之前，绝缘栅双极晶体管 (IGBT)才是电力电子行业的主角。本文将介绍IGBT在哪些应用中仍能发挥所长，然后快速探讨一下这些多用途器件的未来前景。
2023-11-07
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高集成度智能栅极驱动光耦通吃MOSFET和IGBT
光耦也叫光电耦合器，是以光为媒介传输电信号的一种电-光-电转换器件。光耦由发光源和受光器两部分组成，密闭于同一壳体内，彼此用透明绝缘体隔离。
2023-10-27
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IGBT／MOSFET 的基本栅极驱动光耦合器设计
本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动光耦合器用于驱动、开启和关闭功率半导体开关、MOSFET/IGBT。栅极驱动功率计算可分为三部分；驱动器内部电路中消耗或损失的功率、发送至功率半导体开关(IGBT/MOSFET)的功率以及驱动器IC和功率半导体开关之间的外部组件处（例如外部栅极电阻器上）损失的功率。在以下示例中，我们将讨论使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能栅极驱动器）的 IGBT 栅极驱动器设计。
2023-10-25
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低损耗、高结温！基本半导体混合碳化硅分立器件性能优势介绍
IGBT分立器件一般由IGBT和续流二极管（FWD）构成，续流二极管按材料可分为硅材料和碳化硅材料，按照器件结构可分为PIN二极管和肖特基势垒二极管（SBD）。材料与结构两两组合就形成了4种结果：硅PIN二极管、碳化硅 PIN二极管、硅肖特基二极管、碳化硅肖特基二极管。在本篇文章中我们将重点阐述碳化硅肖特基二极管作为续流二极管的混合碳化硅分立器件（后文简称为混管）的特性与优点。
2023-10-24
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电动汽车热和集成挑战
到目前为止，我们提到的每一种趋势都带来了独特的技术挑战。对于更高集成度的解决方案，主要挑战在于创建节能解决方案。具体来说，随着高性能组件之间的集成变得更加紧密，对热密度的担忧开始威胁到设备的可靠性。控制热量需要高能效半导体，将少的功率转化为热量。因此，业界正在采用SiC MOSFET代替IGBT。高能效半导体使 xBEV 电池无需充电即可使用更长时间，从而延长汽车的行驶里程。由于行程范围非常重要，这反过来又提高了电动汽车在市场上的价值。
2023-09-27
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搭载1200V P7芯片的PrimePACK刷新同封装功率密度
继英飞凌1200V IGBT7 T7芯片在中小功率模块产品相继量产并取得客户认可后，英飞凌最新推出了适用于大功率应用场景的1200V IGBT7 P7芯片，并将其应用在PrimePACK™模块中，再次刷新了该封装的功率密度上限。
2023-09-20
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