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让电动汽车延长5%里程的SiC主驱逆变器
本文阐述了如何在主驱逆变器中使用碳化硅 (SiC) 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 将电动汽车的续航里程延长多达 5%。另外，文中还讨论了为什么一些原始设备制造商 (OEM) 不愿意从硅基绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 过渡到 SiC 器件，以及安森美 (onsemi) 为缓解 OEM 的担忧同时提升 OEM 对这种成熟的宽禁带半导体技术的信心所做的努力。
2023-11-12
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通过碳化硅(SiC)增强电池储能系统
电池可以用来储存太阳能和风能等可再生能源在高峰时段产生的能量，这样当环境条件不太有利于发电时，就可以利用这些储存的能量。本文回顾了住宅和商用电池储能系统 (BESS) 的拓扑结构，然后介绍了安森美(onsemi) 的EliteSiC 方案，可作为硅MOSFET 或IGBT开关的替代方案，改善 BESS 的性能。
2023-11-10
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充分利用IGBT的关键在于要知道何时、何地以及如何使用它们
如今，碳化硅 (SiC)和氮化镓 (GaN) 等宽禁带半导体风头正盛。但在此之前，绝缘栅双极晶体管 (IGBT)才是电力电子行业的主角。本文将介绍IGBT在哪些应用中仍能发挥所长，然后快速探讨一下这些多用途器件的未来前景。
2023-11-07
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高集成度智能栅极驱动光耦通吃MOSFET和IGBT
光耦也叫光电耦合器，是以光为媒介传输电信号的一种电-光-电转换器件。光耦由发光源和受光器两部分组成，密闭于同一壳体内，彼此用透明绝缘体隔离。
2023-10-27
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IGBT／MOSFET 的基本栅极驱动光耦合器设计
本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动光耦合器用于驱动、开启和关闭功率半导体开关、MOSFET/IGBT。栅极驱动功率计算可分为三部分；驱动器内部电路中消耗或损失的功率、发送至功率半导体开关(IGBT/MOSFET)的功率以及驱动器IC和功率半导体开关之间的外部组件处（例如外部栅极电阻器上）损失的功率。在以下示例中，我们将讨论使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能栅极驱动器）的 IGBT 栅极驱动器设计。
2023-10-25
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低损耗、高结温！基本半导体混合碳化硅分立器件性能优势介绍
IGBT分立器件一般由IGBT和续流二极管（FWD）构成，续流二极管按材料可分为硅材料和碳化硅材料，按照器件结构可分为PIN二极管和肖特基势垒二极管（SBD）。材料与结构两两组合就形成了4种结果：硅PIN二极管、碳化硅 PIN二极管、硅肖特基二极管、碳化硅肖特基二极管。在本篇文章中我们将重点阐述碳化硅肖特基二极管作为续流二极管的混合碳化硅分立器件（后文简称为混管）的特性与优点。
2023-10-24
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电动汽车热和集成挑战
到目前为止，我们提到的每一种趋势都带来了独特的技术挑战。对于更高集成度的解决方案，主要挑战在于创建节能解决方案。具体来说，随着高性能组件之间的集成变得更加紧密，对热密度的担忧开始威胁到设备的可靠性。控制热量需要高能效半导体，将少的功率转化为热量。因此，业界正在采用SiC MOSFET代替IGBT。高能效半导体使 xBEV 电池无需充电即可使用更长时间，从而延长汽车的行驶里程。由于行程范围非常重要，这反过来又提高了电动汽车在市场上的价值。
2023-09-27
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搭载1200V P7芯片的PrimePACK刷新同封装功率密度
继英飞凌1200V IGBT7 T7芯片在中小功率模块产品相继量产并取得客户认可后，英飞凌最新推出了适用于大功率应用场景的1200V IGBT7 P7芯片，并将其应用在PrimePACK™模块中，再次刷新了该封装的功率密度上限。
2023-09-20
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IGBT驱动芯片进入可编程时代，英飞凌新品X3有何玄机？
俗话说，好马配好鞍，好IGBT自然也要配备好的驱动IC。一颗好的驱动不仅要提供足够的驱动功率，最好还要有完善的保护功能，例如退饱和保护、两电平关断、软关断、欠压保护等，为IGBT的安全运行保驾护航。
2023-09-19
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如何选择和开始使用功率器件驱动器
所有的分立式开关功率器件都需要驱动器，无论这些器件是分立式金属氧化物硅场效应晶体管 (MOSFET)、碳化硅 (SiC) MOSFET、绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 还是模块。驱动器是系统处理器的低电压、低电流输出端与开关器件之间的接口元件或“桥梁”，前者在受控的良好环境中运行，而后者则在恶劣条件下工作，对电流、电压和定时有着严格的要求。
2023-09-14
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具有反向阻断功能的新型 IGBT
新型 IGBT 已开发出来，具有反向阻断能力。各种应用都需要此功能，例如电流源逆变器、谐振电路、双向开关或矩阵转换器。本文介绍了单片芯片的技术及其运行行为，并通过典型电路中的个样本进行了测量。
2023-09-06
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不同壳温下SOA曲线的计算方法
安全工作区(SOA)定义为IGBT可以预期在没有自损坏或退化的情况下工作的电流和电压条件，分为正向偏置和反向偏置安全工作区（FBSOA和RBSOA）。正向偏置安全工作区(FBSOA)定义了IGBT开启期间的可用电流和电压条件。反向偏置安全工作区(RBSOA)定义了IGBT关断期间的可用电流和电压条件。在实践中，SOA曲线是工程师的重要参考之一。工程师必须考虑到所有的极限工况，同时保证器件的工作时的参数都在SOA之内。不仅需要在安全工作区域内使用IGBT，而且还需要控制器件的工作温度。
2023-08-23
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