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数字控制器补偿模拟控制器
用于电源控制的新兴数字 IC 缺乏模拟 IC 中常见的基本功能，例如内置栅极驱动和电流限制。数字电源控制器通常仅具有 PWM（脉宽调制）逻辑输出，并且分立栅极驱动器很少包含电流限制。此外，大多数受保护的 FET 仅在低频、低侧应用中工作。
2023-08-02
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毫米波雷达半精度浮点存储格式分析
雷达信号处理需要使用大量内存进行中间结果和最终结果的保存，而内存大小直接影响处理芯片的成本。选择合适的数据存储格式，既保留较高的信号分辨率和动态范围，又不占用太大的存储空间是相当重要的。本文介绍了TC3xx单片机雷达信号处理单元SPU支持的半精度浮点格式，将其和32bit整型数格式进行比较，分析了两者的动态范围及实际处理误差，发现半精度浮点格式是“性价比”较高的存储方式。另外，Tricore™ CPU还有专用硬件指令支持半精度和单精度浮点格式的相互转换，便于信号的后期处理，并缩短数据格式转换时间。
2023-08-01
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贸泽电子新品推荐：2023年第二季度推出近30,000个新物料
2023年7月20日 – 业界知名的全球授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics)，专注于快速引进新产品与技术，帮助客户设计出先进产品，并加快产品上市速度，实现从设计链到供应链™的全程优势。贸泽受到1,200多家半导体和电子元件制造商的信任，帮助他们将产品分销到全球市场。贸泽旨在为客户提供全面认证的原厂产品，并提供全方位的制造商可追溯性。
2023-08-01
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安森美 M3S EliteSiC MOSFET 让车载充电器升级到 800V 电池架构
自电动汽车 (EV) 在汽车市场站稳脚跟以来，电动汽车制造商一直在追求更高功率的传动系统、更大的电池容量和更短的充电时间。为满足客户需求和延长行驶里程，电动汽车制造商不断增加车辆的电池容量。然而，电池越大，意味着充电的时间就越长。
2023-07-28
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电源设计更快更好，高效能图腾柱PFC应用须知
现今电源供应器市场为因应全球减碳活动，已经将效能目标设定为更高效率、减少损失、节省能源、降低成本、提高系统容量为主。安森美(onsemi)提出最新高效能Totem Pole(图腾柱) 结合全桥整流器之PFC IC NCP1680/1681设计方案，相较传统PFC之转换效率可以提升3%~4%，符合未来电源供应器之节省能源，降低成本，提高系统容量之诉求。加上NCP1680/1681快速的负载暂态补偿响应，以及高规格安规等级各式保护功能，特别是具有PFC-OK讯号供应后级电源时序控制，NCP1680/1681应用达到高效率，高功率因子，以及高稳定性PFC应用。
2023-07-28
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介绍一款适用于汽车和工业场合的高效同步SEPIC控制器
LT8711是一款直流-直流控制器，支持同步降压、升压、SEPIC、ZETA和非同步降压-升压等拓扑。ADI有多款同步降压、升压变换器和控制器，但支持同步SEPIC拓扑的并不多。SEPIC拓扑其实非常实用，因为无论输入电压远低于或远高于输出电压，它都能提供稳定的电平输出。
2023-07-27
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用于SiC MOSFET的隔离栅极驱动器使用指南
SiC MOSFET 在功率半导体市场中正迅速普及，因为它最初的一些可靠性问题已得到解决，并且价位已达到非常有吸引力的水平。随着市场上的器件越来越多，必须了解 SiC MOSFET 与 IGBT 之间的共性和差异，以便用户充分利用每种器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的关键特性及驱动条件对它的影响，作为安森美提供的全方位宽禁带生态系统的一部分，还将提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔离栅极驱动器）的使用指南。本文为第三部分，将重点介绍NCP51705 SiC 栅极驱动器的使用指南。
2023-07-26
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全集成汽车USB Type-A和USB Type-C充电器控制芯片
汽车中控系统通常都会提供一个 USB 充电端口，该端口需要在传输数据的同时为移动设备充电。对这些系统而言，选择带 USB 限流开关的汽车级 IC 非常重要。本文将介绍 MPS 的 USB 充电端口降压变换器 MPQ4228-C-AEC1，以及如何将其高效率的优势应用于 USB 集线器和其他 USB Type-C 、USB Type-A 应用中。
2023-07-25
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如何从正电压电源获得负电压，正电压转负电压的方法图解
该电路图显示了如何从正电压电源获得负电压。该电路的另一个优点是，负电压与原始正电源一起可用于模拟双电源。该电路基于定时器ICNE555。NE555作为非稳态多谐振荡器接线，工作频率约为1KHz。方波输出（如果位于IC的引脚3处）。
2023-07-25
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借助更多的选项响应正反馈
负反馈什么时候会变成正反馈？当控制工程师想要实现不错的增益和相位裕度时。本博文概述第 4 代 SiC FET 如何为设计人员提供理想性能和多种器件选择，同时支持更高的设计灵活性，从而实现成本效益最优的功率设计。
2023-07-24
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华润微总裁李虹：中国半导体市场下滑趋势有到底迹象！
6月17日，在广州南沙召开的第二届中国•南沙国际集成电路产业论坛（2023 IC NANSHA）上，国内IDM大厂华润微（SH688396）总裁李虹在演讲中表示，中国半导体市场规模在过去的一年当中，增速弱于全球，呈现周期性衰退，但下滑趋势有到底迹象。
2023-07-24
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工程师必须知道的大电流单通道栅极驱动器设计技巧
NCD(V)5700x 是大电流单通道栅极驱动器，内置电流隔离功能，用于在高功率应用中实现高系统效率和可靠性。其特性包括：互补输入（IN+ 和 IN-），开漏故障（1686908889869977.png）和就绪 (RDY) 输出，复位或清除故障功能（1686908875512772.png），有源米勒箝位 (CLAMP)，去饱和保护 (DESAT)，去饱和情况下软关断，拉电流 (OUTH) 和灌电流 (OUTL) 分离驱动输出（仅限 NCD(V)57000），精确欠压闭锁 (UVLO)，低传播延迟（最大值90 ns）和小脉冲失真（最大值25 ns），较高的共模瞬变抗扰度 (CMTI)——在 VCM = 1500 V条件下可承受 100kV/us（最小值），输入信号范围涵盖 5 V 和 3.3 V，输出差分偏置电压（VDD2-VEE2）最高 25 V（最大值），VDD2 额定值为 25 V（最大值），VEE2 额定值为 -10 V（最大值）。NCD(V)5700x 提供 5 kVrms 电流隔离和 1.2 kV 工作电压能力，输入和输出之间的爬电距离保证至少 8 mm。宽体 SOIC-16 封装满足增强型安全绝缘要求。
2023-07-21
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