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贸泽电子联手TI推出全新电子书探索城市空中运输的未来
2023年6月12日 – 专注于引入新品的全球半导体和电子元器件授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 与Texas Instruments联手推出全新电子书《Addressing New Challenges in Urban Air Mobility》（克服城市空中运输的新挑战），探索新一代空中运输面临的全新问题，并探讨设计人员如何更好地攻克这些难题。
2023-06-13
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2023 SiFive RISC-V中国技术论坛即将盛大开幕，北上深再掀开源风暴
指令精简、模块化、可扩展……已于2022年利用7年时间达成出货量100亿颗的里程碑，RSIC-V正在充分发挥自身的开放开源优势，一路开疆拓土。身为RISC-V的发明者与领导厂商，SiFive正发挥开源生态叠加未来计算新范式的“链主”效应，致力于将RISC-V的无限潜力引领至高性能处理器与高算力场景应用中。
2023-06-13
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小功率电机驱动方案中如何选择驱动IC
电机驱动作为工业4.0中工厂自动化整个闭环中的执行器环节，其性能好坏直接影响到整个闭环的性能。因此，工业4.0对电机驱动提出了更高的性能和功能要求，例如更快的响应速度、更高的带宽、更高精度的位置和速度控制、以及更丰富的网络互联功能等。针对不同应用场合的电机，我们应该选择与之相对应的驱动方案。简单地来说，功率大的电机应该选用内阻小、电流容许大的驱动，功率小的电机就可以选用较低功率的驱动。
2023-06-09
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对比两个具有无限间断点信号的频谱
今天想到一个问题， 这里有两个都带有无穷多个间断点的信号。它们都位于 0,1 之间。 第一个信号是从 0 开始往1前进， 每前进剩余路程的一半，幅值降低一半。 第二个信号是从 0 往 1 前进， 每次都前进剩余路程的一半。在前进的路程中出现一个宽度为路程长度一半的矩形脉冲信号。 根据傅里叶变换， 这两个信号都不满足 Dirichlet 条件。那么他们傅里叶变换是什么呢？
2023-06-08
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SMPD先进绝缘封装充分发挥SiC MOSFET优势
SMPD可用于标准拓扑结构，如降压、升压、桥臂(phase-leg)，甚至是定制的组合。它们可用于各种技术产品，如Si/SiC MOSFET、IGBT、二极管、晶闸管、三端双向可控硅，或定制组合，具有从40V到3000V不同电压等级。
2023-06-07
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第4代SiC MOS、1700V驱动…意法半导体透露了这些重点
过去一年，产业领先企业是如何抓住历史机遇勇立潮头？2023年，他们又将如何迈出新时代步伐？为此，行家说三代半、行家极光奖联合策划了《产业领袖开年说——2023，全力奔跑》专题报道，本期嘉宾是意法半导体亚太区功率分立和模拟产品部营销和应用副总裁 Francesco MUGGER。
2023-06-07
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相较IGBT，SiC如何优化混动和电动汽车的能效和性能？
随着人们对电动汽车 (EV) 和混动汽车 (HEV) 的兴趣和市场支持不断增加，汽车制造商为向不断扩大的客户群提供优质产品，竞争日益激烈。由于 EV 的电机需要高千瓦时电源来驱动，传统的 12 V 电池已让位于 400-450 V DC 数量级的电池组，成为 EV 和 HEV 的主流电池电压。
2023-06-06
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Cirrus Logic为PC市场带来沉浸式音频体验
美国德克萨斯州奥斯汀，2023年6月1日-- Cirrus Logic（纳斯达克股票代码：CRUS）今天宣布推出专为 PC 打造的优质音频解决方案，无论是通过超薄笔记本电脑的小型内置扬声器还是耳机进行语音通话和听音乐，都能带来更响亮、更身临其境的音频体验。Cirrus Logic 的 PC 优化音频解决方案包括Cirrus Logic CS35L56 智能功放，具有处理能力以提供更高性能的音频，以及集成了一个 MIPI SoundWire接口 (v1.2)的低功耗 CS42L43 SmartHIFI™ PC 音频编解码器。这种先进的音频解决方案还简化了 PC 制造商的设计，并有助于减少组件总数，从而节省电路板空间并降低物料清单成本。
2023-06-05
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X-FAB率先向市场推出110纳米BCD-on-SOI代工解决方案
中国北京，2023年6月2日——全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成为业界首家推出110纳米BCD-on-SOI解决方案的代工厂，由此加强了其在BCD-on-SOI技术领域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平台反映了模拟应用中对更高数字集成和处理能力日益增长的需求。其将SOI和DTI极具吸引力的特性结合在一起，因此与传统Bulk BCD工艺相比，高密度数字逻辑和模拟功能可以更容易地集成至单个芯片。
2023-06-05
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SiC 和 GaN 功率器件的可靠性和质量要求
在 SiC 方面，GeneSiC 使用沟槽辅助平面栅极工艺流程，确保可靠的栅极氧化物和具有较低传导损耗的器件。测试表明，在 150-kHz、1,200-V、7.5-kW DC/DC 转换器应用中，温度较低的器件运行温度约为 25°C。据估计，这种温差可将器件寿命提高 3 倍。该公司对其 SiC 产品进行了 100% 的雪崩测试，其示例如图 3 所示。
2023-05-31
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为什么稳定的开关模式电源仍会产生振荡？
非常稳定的开关模式电源(SMPS)仍可能由于其在输出端的负电阻而产生振荡。在输入端，可以将SMPS看作一个小信号负电阻。其与输入电感和输入端电容一起可形成一个无阻尼振荡电路。本文将就这一问题的分析和解决方案进行探讨。将 LTspice® 用于仿真。
2023-05-29
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使用NCP1623A设计紧凑高效的PFC级的IC控制电路设计
之前我们介绍过快速设计由 NCP1623 驱动的 CrM/DCM PFC 级的关键步骤中的定义关键规格与功率级设计。本文将详细说明IC控制电路设计中的细节：FB引脚电路、VCTRL 引脚电路、CS/ZCD 引脚电路、CSZCD电阻器设计等内容。
2023-05-25
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