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CFSH2-3L：Central推出采用SOD-882L封装的低VF肖特基二极管
Central Semiconductor公司公布了采用低空间占用的SOD-882L封装的CFSH2-3L低VF肖特基二极管。新元件的反向重复峰值电压为30V，最大正向电流为200mA。CFSH2-3L前端电压下降很低，10mA下240mV，非常适用于空间有限而且又需要超高能效的设计。
2011-03-28
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Diodes推出额定12A和15A器件适用于开关模电源
Diodes公司推出采用紧凑PowerDI5封装的额定12A和15A器件，扩展了其专利的超势垒整流器（SBR）系列。新器件可用作空间有限的开关模电源设计的输出整流器，具备超低正向压降特性，无论在效率或冷却运行方面都超过了标准肖特基二极管。
2011-03-22
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罗姆展出结温可达250℃的功率模块和适用各种调光的LED照明驱动IC
罗姆在最近参加的展会上推出了一系列创新产品，其中包括满足手机副屏个性化要求的微间距点阵LED驱动IC、采用COB方式的平板电视LED灯条、SiC肖特基二极管、高耐热智能功率模块以及适用于各种调光应用的LED照明驱动IC。
2011-03-04
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Z-Rec™650V：Cree推出碳化硅肖特基二极管满足数据中心电源系统要求
碳化硅功率器件领域的市场领先者 Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec™650V 结型肖特基势垒 (JBS) 二极管系列，以满足最新数据中心电源系统要求。新型 JBS 二极管的阻断电压为 650V，能够满足近期数据中心电源架构修改的要求。据行业咨询专家估算，这样可以将能效提高多达 5% 。由于数据中心的耗电量几乎占全球年耗电量的 10%，任何水平的能效提升都会有助于大幅降低总体能耗。
2010-12-21
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利用MOSFET提升系统轻负载和高频率DC-DC转换效率
为了提高较轻负载和较高开关频率的DC-DC转换效率，可以采用集成一个肖特基二极管的MOSFET，以减少由降压式转换器电路的低端开关引起的功率损耗。此外，将两个元件集成在一起还有助于降低MOSFET的rDS（on） 额定值并节省电路板空间。
2010-08-20
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飞兆结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的FDZ3N513ZT
飞兆半导体开发出结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的器件FDZ3N513ZT，占位面积仅为1mm x 1mm。
2010-08-18
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安森美推出带集成肖特基二极管的30 V N沟道功率MOSFET
应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体扩充 N沟道功率MOSFET 器件阵容，新推出带集成肖特基二极管的30 V产品。
2010-04-14
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Torex推出0603 尺寸超小型肖特基二极管
特瑞仕半导体针对便携式仪器市场向小型化、薄型化进步的需要、开发了两种世界上最小级别的肖特基二极管产品。
2010-04-06
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FDFMA2P859T:飞兆半导体推出行业领先的薄型封装MOSFET
飞兆半导体公司(Farichild Semiconductor)宣布其MicroFET现推出行业领先的薄型封装版本，帮助设计人员提升其设计性能。飞兆半导体与设计工程师和采购经理合作，开发了集成式P沟道PowerTrench® MOSFET与肖特基二极管器件FDFMA2P859T，利用单一封装解决方案，满足对电池充电和功率多工(power-multiplexing)应用至关重要的效率和热性能需求。
2009-11-25
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FDFME3N311ZT：飞兆半导体实现高效率的升压开关
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 全新的升压开关产品FDFME3N311ZT，有助提高手机、医疗、便携和消费应用设计的升压转换电路效率。该器件结合了30V集成式N沟道PowerTrench® MOSFET和肖特基二极管，具有极低的输入电容 (典型值55pF) 和总体栅极电荷 (1nC)，以提升DC-DC升压设计的效率。
2009-10-12
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LT3519:45V、高端电流检测 DC/DC 转换器
Linear 推出 45V、高端电流检测 DC/DC 转换器 LT3519。该器件的 3V 至 40V 输入电压范围使其非常适用于诸如汽车和工业照明等应用。其内部 45V 和 750mA 开关、肖特基二极管以及内部补偿可提供一个高度紧凑的 LED 驱动器解决方案。
2009-09-22
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安森美半导体推出4款便携应用最小封装肖特基势垒二极管
安森美半导体(ON Semiconductor)推出4款新的30伏(V)肖特基势垒二极管。这些新的肖特基势垒二极管采用超小型0201双硅片无引脚(DSN2)芯片级封装，为便携电子设计人员提供业界最小的肖特基二极管和同类最佳的空间性能。
2009-08-24
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