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科锐首推的碳化硅肖特基二极管在功率应用上推广
科锐公司日前宣布推出一新型产品系列。该系列产品由七款1200V Z-Rec 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管组成，不仅优化了价格和性能，还可提供多种额定电流和封装选择。通过推出种类齐全的碳化硅二极管产品系列，科锐不断将碳化硅功率器件向主流功率应用中推广
2011-07-12
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CFSH2-3L：Central推出采用SOD-882L封装的低VF肖特基二极管
Central Semiconductor公司公布了采用低空间占用的SOD-882L封装的CFSH2-3L低VF肖特基二极管。新元件的反向重复峰值电压为30V，最大正向电流为200mA。CFSH2-3L前端电压下降很低，10mA下240mV，非常适用于空间有限而且又需要超高能效的设计。
2011-03-28
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Diodes推出额定12A和15A器件适用于开关模电源
Diodes公司推出采用紧凑PowerDI5封装的额定12A和15A器件，扩展了其专利的超势垒整流器（SBR）系列。新器件可用作空间有限的开关模电源设计的输出整流器，具备超低正向压降特性，无论在效率或冷却运行方面都超过了标准肖特基二极管。
2011-03-22
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罗姆展出结温可达250℃的功率模块和适用各种调光的LED照明驱动IC
罗姆在最近参加的展会上推出了一系列创新产品，其中包括满足手机副屏个性化要求的微间距点阵LED驱动IC、采用COB方式的平板电视LED灯条、SiC肖特基二极管、高耐热智能功率模块以及适用于各种调光应用的LED照明驱动IC。
2011-03-04
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Z-Rec™650V：Cree推出碳化硅肖特基二极管满足数据中心电源系统要求
碳化硅功率器件领域的市场领先者 Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec™650V 结型肖特基势垒 (JBS) 二极管系列，以满足最新数据中心电源系统要求。新型 JBS 二极管的阻断电压为 650V，能够满足近期数据中心电源架构修改的要求。据行业咨询专家估算，这样可以将能效提高多达 5% 。由于数据中心的耗电量几乎占全球年耗电量的 10%，任何水平的能效提升都会有助于大幅降低总体能耗。
2010-12-21
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利用MOSFET提升系统轻负载和高频率DC-DC转换效率
为了提高较轻负载和较高开关频率的DC-DC转换效率，可以采用集成一个肖特基二极管的MOSFET，以减少由降压式转换器电路的低端开关引起的功率损耗。此外，将两个元件集成在一起还有助于降低MOSFET的rDS（on） 额定值并节省电路板空间。
2010-08-20
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飞兆结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的FDZ3N513ZT
飞兆半导体开发出结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的器件FDZ3N513ZT，占位面积仅为1mm x 1mm。
2010-08-18
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安森美推出带集成肖特基二极管的30 V N沟道功率MOSFET
应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体扩充 N沟道功率MOSFET 器件阵容，新推出带集成肖特基二极管的30 V产品。
2010-04-14
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Torex推出0603 尺寸超小型肖特基二极管
特瑞仕半导体针对便携式仪器市场向小型化、薄型化进步的需要、开发了两种世界上最小级别的肖特基二极管产品。
2010-04-06
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FDFMA2P859T:飞兆半导体推出行业领先的薄型封装MOSFET
飞兆半导体公司(Farichild Semiconductor)宣布其MicroFET现推出行业领先的薄型封装版本，帮助设计人员提升其设计性能。飞兆半导体与设计工程师和采购经理合作，开发了集成式P沟道PowerTrench® MOSFET与肖特基二极管器件FDFMA2P859T，利用单一封装解决方案，满足对电池充电和功率多工(power-multiplexing)应用至关重要的效率和热性能需求。
2009-11-25
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FDFME3N311ZT：飞兆半导体实现高效率的升压开关
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 全新的升压开关产品FDFME3N311ZT，有助提高手机、医疗、便携和消费应用设计的升压转换电路效率。该器件结合了30V集成式N沟道PowerTrench® MOSFET和肖特基二极管，具有极低的输入电容 (典型值55pF) 和总体栅极电荷 (1nC)，以提升DC-DC升压设计的效率。
2009-10-12
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LT3519:45V、高端电流检测 DC/DC 转换器
Linear 推出 45V、高端电流检测 DC/DC 转换器 LT3519。该器件的 3V 至 40V 输入电压范围使其非常适用于诸如汽车和工业照明等应用。其内部 45V 和 750mA 开关、肖特基二极管以及内部补偿可提供一个高度紧凑的 LED 驱动器解决方案。
2009-09-22
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