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具有反向阻断功能的新型 IGBT
新型 IGBT 已开发出来，具有反向阻断能力。各种应用都需要此功能，例如电流源逆变器、谐振电路、双向开关或矩阵转换器。本文介绍了单片芯片的技术及其运行行为，并通过典型电路中的个样本进行了测量。
2023-09-06
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不同壳温下SOA曲线的计算方法
安全工作区(SOA)定义为IGBT可以预期在没有自损坏或退化的情况下工作的电流和电压条件，分为正向偏置和反向偏置安全工作区（FBSOA和RBSOA）。正向偏置安全工作区(FBSOA)定义了IGBT开启期间的可用电流和电压条件。反向偏置安全工作区(RBSOA)定义了IGBT关断期间的可用电流和电压条件。在实践中，SOA曲线是工程师的重要参考之一。工程师必须考虑到所有的极限工况，同时保证器件的工作时的参数都在SOA之内。不仅需要在安全工作区域内使用IGBT，而且还需要控制器件的工作温度。
2023-08-23
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有效测量碳化硅信号
碳化硅（SiC）技术已超越传统的硅（Si）绝缘栅双极晶体管（IGBT）应用，因为它具有大功率系统的主要热和电气优势。这些优势包括更高的开关频率、更高的功率密度、更好的工作温度、更高的电流/电压能力以及整体更好的可靠性和效率。SiC器件正在迅速取代基于硅的组件和模块，作为系统升级和系统设计的新选择。
2023-08-22
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IGBTs给高功率带来了更多的选择
绝缘栅双极性晶体管（IGBT）面市已有些时日，事实上，通用电气（GE）早在1983年6月就发布了其首款IGBT产品。从那时起，IGBT成为了中压和高压（>200 V ）应用的主要器件，包括供暖通风与空气调节（HVAC）系统以及电焊和感应加热等高电流应用。随着太阳能面板、电动汽车充电器和工业伺服电机的日益普及，市场对高压解决方案的需求也在不断攀升。为了满足各个行业的需求，并进一步完善持续扩大的高压技术产品组合（GaN和SiC），Nexperia （安世半导体）正在推出多个 IGBT系列，首先便是600 V 器件。
2023-08-22
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BLDC 电机控制设计
在无刷电机中，电流反转是通过微控制器控制的一组功率晶体管（通常是 IGBT）以电子方式获得的。驱动它们的主要问题是了解电机的准确位置；只有这样控制器才能确定驱动哪一相。转子的位置通常使用霍尔效应传感器或光学传感器获得。在效率方面，由于摩擦减少，无刷电机比同等交流电机产生的热量少得多。
2023-08-17
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如何优化SiC MOSFET的栅极驱动？这款IC方案推荐给您
在高压开关电源应用中，相较传统的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下简称“SiC”）MOSFET有明显的优势。使用硅MOSFET可以实现高频（数百千赫兹）开关，但它们不能用于非常高的电压（>1000 V）。而IGBT虽然可以在高压下使用，但其 "拖尾电流 "和缓慢的关断使其仅限于低频开关应用。SiC MOSFET则两全其美，可实现在高压下的高频开关。然而，SiC MOSFET的独特器件特性意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。了解这些特性后，设计人员就可以选择能够提高器件可靠性和整体开关性能的栅极驱动器。在这篇文章中，我们讨论了SiC MOSFET器件的特点以及它们对栅极驱动电路的要求，然后介绍了一种能够解决这些问题和其它系统级考虑因素的IC方案。
2023-08-15
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电机控制设计基础知识
软件和硬件都是所有电机控制系统的一部分，例如 IGBT、WBG 半导体和 MCU。工业4.0的发展强烈依赖于电机控制，但能源消耗是一个关键问题，因为它正在快速增长，并且需求随着设计的复杂性而增长，因为许多电子技术都有严格的控制要求。宽带隙 (WBG) 材料就是这种情况的一个例子。
2023-08-15
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IGBT单管数据手册参数解析——下
IGBT是大家常用的开关功率器件，本文基于英飞凌单管IGBT的数据手册，对手册中的一些关键参数和图表进行解释说明，用户可以了解各参数的背景信息，以便合理地使用IGBT。
2023-08-14
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IGBT如何选择，你真的了解吗？
最近，碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 等宽禁带半导体的应用日益增多，受到广泛关注。然而，在这些新技术出现之前，许多高功率应用都是使用高效、可靠的绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)，事实上，许多此类应用仍然适合继续使用 IGBT。在本文中，我们介绍 IGBT 器件的结构和运行，并列举多种不同 IGBT 应用的电路拓扑结构，然后探讨这种多用途可靠技术的新兴拓扑结构。
2023-08-04
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使用SiC MOSFET和Si IGBT栅极驱动优化电源系统
在电动汽车 (EV) 和光伏 (PV) 系统等绿色能源应用所需的 DC-DC 转换器、电池充电器、电机驱动器和交流 (AC) 逆变器中，碳化硅 (SiC) MOSFET 和硅 (Si) IGBT 是关键元件。但是如要获得最高的效率，SiC MOSFET 和 Si IGBT 的栅极在导通和关断时需要精确的驱动电压（具体取决于所使用的器件）。
2023-08-03
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基于模型设计提高车规级芯片功能安全设计效率
在汽车电气化、智能化、网联化快速发展的今天，汽车所用的芯片数量与种类也日益增多。电气化引领了汽车电子电气架构的革新，催生出域控制器等集中式大算力芯片和 IGBT 等功率芯片。智能化则引入了多种类的传感器和 AI 应用，带动了雷达、激光雷达、摄像头、智能座舱、5G 车联网等模组、处理器、存储芯片、以及 AI 计算芯片的发展。
2023-07-28
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用于SiC MOSFET的隔离栅极驱动器使用指南
SiC MOSFET 在功率半导体市场中正迅速普及，因为它最初的一些可靠性问题已得到解决，并且价位已达到非常有吸引力的水平。随着市场上的器件越来越多，必须了解 SiC MOSFET 与 IGBT 之间的共性和差异，以便用户充分利用每种器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的关键特性及驱动条件对它的影响，作为安森美提供的全方位宽禁带生态系统的一部分，还将提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔离栅极驱动器）的使用指南。本文为第三部分，将重点介绍NCP51705 SiC 栅极驱动器的使用指南。
2023-07-26
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