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瑞萨电子推出首款支持新Matter协议的Wi-Fi开发套件
2023 年 1 月 5 日,中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE:6723)今日宣布,推出首款支持新Matter协议的开发套件,同时宣布将在未来所有Wi-Fi、低功耗蓝牙®(BLE),和IEEE 802.15.4(Thread)方案中,以及最近收购的Dialog Semiconductor和Celeno Communications产品上,提供对Matter的支持。
2023-01-05
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安森美的主驱逆变器碳化硅功率模块被现代汽车选中用于高性能电动汽车
2023年1月5日 —领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON),宣布安森美的EliteSiC系列碳化硅(SiC)功率模块已被起亚(Kia Corporation)选中用于EV6 GT车型。这款电动汽车(EV)从零速加速到60英里/小时只需3.4秒,最高时速达161英里/小时。在该高性能电动汽车的主驱逆变器中,EliteSiC功率模块实现了从电池的直流800V到后轴交流驱动的高效电源转换。安森美会继续与现代起亚汽车集团(Hyundai Motor Company and Kia Corporation,简称HMC/KIA)合作,将EliteSiC技术用于其即将推出的基于电动化全球模块型平台(E-GMP)的高性能电动汽车。
2023-01-05
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OBC DC/DC SiC MOSFET驱动选型及供电设计要点
新能源汽车动力域高压化、小型化、轻型化是大势所趋。更高的电池电压如800V系统要求功率器件具有更高的耐压小型化要求功率拓扑具有更高的开关频率。碳化硅(SiC)作为第三代半导体代表,具有高频率、高效率、小体积等优点,更适合车载充电机OBC、直流变换器 DC/DC、电机控制器等应用场景高频驱动和高压化的技术发展趋势。本文主要针对SiC MOSFET的应用特点,介绍了车载充电机OBC和直流变换器DC/DC应用中的SiC MOSFET的典型使用场景,并针对SiC MOSFET的特性推荐了驱动芯片方案。最后,本文根据SiC MOSFET驱动对供电的特殊要求,对不同供电设计方案的优劣势进行了分析。
2023-01-05
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细数心脏起搏器和ICD之间的差异
对于全球数百万需要借助外力来调节心律的人来说,心脏起搏器和植入式心律转复除颤器(ICD)是他们所依赖的、能够改变生活的技术。虽然这两种设备都是植入式医疗设备,旨在改善心律失常(一种心脏不规则跳动的疾病)患者的生活质量,但它们各自有着不同的用途。
2023-01-05
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贸泽电子推出传感器设计资源网站
2023年1月3日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布推出全新资源网站,专门提供传感器设计指南。该网站收录了丰富的技术文章,并且还在持续更新中。这些文章专门介绍传感器设计应用的复杂性,并为工程师提供解决复杂设计挑战所需的信息。读者可访问https://resources.mouser.com/sensor-design-guides进入该资源网站。
2023-01-04
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ADI和Seeing Machines携手推进先进驾驶辅助系统,加速提升驾驶安全
中国,北京—2023年1月4日—Analog Devices, Inc. (Nasdaq: ADI)(全球领先的半导体公司)和Seeing Machines (LSE:SEE)(先进的计算机视觉技术公司,擅长设计基于AI的驾驶员监测系统,以提高行驶安全性)宣布达成合作,共同支持高性能驾驶员和乘客监测系统(DMS/OMS)技术的研发。
2023-01-04
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Si对比SiC MOSFET 改变技术—是正确的做法
相比基于硅(Si)的MOSFET,基于碳化硅(SiC)的MOSFET器件可实现更高的效率水平,但有时难以轻易决定这项技术是否更好的选择。本文将阐述需要考虑哪些标准因素。
2023-01-04
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浅谈“电压处理”:一个铝电解电容选型应用必须了解的知识点
我们可能会发现在Nichicon的UVZ系列铝电解电容的数据手册中会出现“电压处理”(Voltage Treatment)这个概念。
2023-01-04
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2022中国(深圳)集成电路峰会圆满落下帷幕
“2022中国(深圳)集成电路峰会”(简称ICS2022峰会)于12月29日和30日成功举办高峰论坛和全球存储器行业创新论坛二个主论坛,以及六场专题论坛,包括集成电路设计创新论坛、芯火平台产教融合创新发展论坛、半导体供应链发展论坛、集成电路产业融合论坛、珞珈聚芯协同创新论坛和国微 EDA 生态建设论坛。专业观众与行业专家和行业领导可广泛讨论了技术、产品、市场、投资、产学研商合作、国际环境对策、人才战略和务实的技术创新路线。
2023-01-01
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RS瑞森半导体碳化硅二极管在光伏逆变器的应用
碳化硅 (SiC) 是一种由硅 (Si) 和碳 (C) 组成的半导体化合物,属于宽带隙 (WBG) 材料系列。它的物理结合力非常强,使半导体具有很高的机械、化学和热稳定性。宽带隙和高热稳定性允许 SiC器件在高于硅的结温下使用,甚至超过 200°C。碳化硅在功率应用中的主要优势是其低漂移区电阻,这是高压功率器件的关键因素。
2022-12-30
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2022中国(深圳)集成电路峰会在深圳坪山隆重召开
由深圳市人民政府、中国半导体行业协会集成电路设计分会、“核高基”国家科技重大专项总体专家组主办,深圳市半导体行业协会社会承办的以“创新强链,双驱发展”为主题的“2022中国(深圳)集成电路峰会”(以下简称:ICS2022峰会),于2022年12月29日在深圳坪山格兰云天国际酒店隆重召开。ICS2022峰会集中展示了我国集成电路产业最新的技术成果,聚集了众多国内外专家学者、技术大咖和企业领袖,围绕集成电路技术与产业应用创新、产业链生态与安全机制建设、国际局势分析与协同发展、技术演进趋势与热点应用、资本整合与运作模式创新、芯片与整机产业联动等方向,共同探讨新形势下集成电路产业发展的机遇。
2022-12-29
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“创新强链,双驱发展”2022中国(深圳)集成电路峰会在深圳坪山第二天论坛热烈进行中(上)
由深圳市人民政府、中国半导体行业协会集成电路设计分会、“核高基”国家科技重大专项总体专家组主办,深圳市半导体行业协会社会承办的以“创芯、 强链,双驱发展”为主题的“2022中国(深圳)集成电路峰会”(以下简称:ICS2022峰会),于2022年12月30日在深圳坪山格兰云天国际酒店继续第二天多场行业论坛。ICS2022峰会集中展示了我国集成电路产业最新的技术成果,聚集了众多国内外专家学者、技术大咖和企业领袖,围绕集成电路技术与产业应用创新、产业链生态与安全机制建设、国际局势分析与协同发展、技术演进趋势与
2022-12-29
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