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使用 SiC JFET 接近完美开关
碳化硅 (SiC) JFET坚固耐用，具有高能量雪崩和短路耐受额定值，而且值得注意的是，它们在每单位芯片面积的 FOM 导通电阻R DS(on) × A方面击败了所有其他技术，实现了价值接近材料的理论极限（图 1）。这个品质因数直接关系到开关的实际性能及其经济性，与竞争技术相比，每个晶圆的芯片数量更多，性能相当。
2022-12-16
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Vicor携手贸泽推出以48V设计为主题的全新资源网站
2022年12月14日 – 专注于推动行业创新的知名新品引入 (NPI) 分销商™贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布与Vicor联手推出一个全新的资源网站，提供各种面向48V产品和电源设计的资源。该网站包含一系列深入详细的文章、视频和信息图，为设计人员和制造商提供了全面的资源，助其开发采用48V较高压配电系统的新型电源。
2022-12-14
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数字电容器 IC 如何简化天线调谐？
天线调谐要求的源阻抗和负载阻抗共轭匹配，从无线技术诞生开始一直延续至今，而今已经演变成一种新的、更具挑战性的形式。
2022-12-14
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安森美智能电源产品斩获中国“2022年Top 10电源产品奖”多项殊荣
领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，宣布其创新的智能电源产品在“2022年Top 10电源产品奖”评选中荣获多项奖项。其中，APM32系列汽车碳化硅功率模块获“2022 Top 10电源产品奖”，汽车主驱碳化硅功率模块VE-Trac™ Direct SiC获“最佳应用奖”，高功率图腾柱PFC控制器NCP1681获“绿色节能奖”。“Top 10电源产品奖”由21IC中国电子网主办，备受行业认可，获得该殊荣的产品代表其在本年度具有极高的产品力和技术创新能力。
2022-12-13
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SiC MOSFET和Si MOSFET寄生电容在高频电源中的损耗对比
富昌电子（Future Electronics）一直致力于以专业的技术服务，为客户打造个性化的解决方案，并缩短产品设计周期。在第三代半导体的实际应用领域，富昌电子结合自身的技术积累和项目经验，落笔于SiC相关设计的系列文章。希望以此给到大家一定的设计参考，并期待与您进一步的交流。
2022-12-13
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桥式结构中的栅极-源极间电压的行为：关断时
具有驱动器源极引脚的SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的SiC MOSFET产品相比，在桥式结构情况下的栅-源电压的行为不同。在上一篇文章中，我们介绍了LS（低边）SiC MOSFET导通时的行为。本文将介绍低边SiC MOSFET关断时的行为。
2022-12-12
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实现测试测量突破性创新，采用ASIC还是FPGA？
作为世界创新的幕后英雄，特别是在电子器件和通信技术方面，工程师们要开发测试设备，验证这些新技术，以把新技术推向市场。这些工程师必须运行尖端技术，处理预测行业和创新未来的挑战。在开创未来的过程中，测试测量工程师面临的基础性创新挑战之一，是确定设计中采用专用集成电路(ASIC)还是现场可编程门阵列(FPGA)。
2022-12-09
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高可靠性电容式MEMS麦克风在车载中的应用
采用MEMS技术制造的电容式硅麦克风在小型化、性能、可靠性、环境耐受性、成本及量产能力上与ECM（Electret Capacitance Microphone）相比具有巨大优势，一经推出变迅速占领手机、PDA（Personal Digital Assistant）、耳机等消费电子产品市场。
2022-12-09
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聚焦器件可靠性、栅极驱动器创新和总体系统解决方案
碳化硅（SiC）技术能在大幅提高当前电力系统效率的同时降低其尺寸、重量和成本，因此市场需求不断攀升。但是SiC解决方案并不是硅基解决方案的直接替代品，它们并非完全相同。为了实现SiC技术的愿景，开发人员必须从产品质量、供货情况和服务支持等各个方面仔细评估多家产品和供应商，并了解如何优化不同SiC功率组件到其最终系统的集成。
2022-12-09
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汽车IC分类一张图，国际大厂与中国步伐有差异
汽车IC就是车规级产品，满足汽车质量管理体系，符合可靠性和功能安全要求的集成电路。中国汽车芯片产业创新战略联盟（以下简称“联盟”）在2020年发布了《纯电动乘用车车规级芯片一般要求》团体标准，将汽车半导体分为10个大类和60个小类，10个大类分别包括控制芯片、存储芯片、计算芯片、信息安全芯片、驱动芯片、通信芯片、功率芯片、电源芯片、模拟芯片以及传感器。
2022-12-09
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恒流负载导致的启动故障
内置折返式限流电路的线性稳压器IC，在IC启动前输出端被施加恒流负载时，可能会出现无法启动的问题。
2022-12-08
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提高电源转换器性能的低 RDS(on) SiC FET（SiC FET 架构显示出多项优势）
近年来随着高性能计算需求的持续增长，HBM（High Bandwidth Memory，高带宽存储器）总线接口被应用到越来越多的芯片产品中，然而HBM的layout实现完全不同于传统的Package/PCB设计，其基于2.5D interposer的设计中，由于interposer各层厚度非常薄且信号线细，使得直流损耗、容性负载、容性/感性耦合等问题严重，给串扰和插损指标带来了非常大的挑战。
2022-12-08
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